CBSL30
描述：
NPN硅射频功率晶体管
包装样式0.230 6L FLG
A
.040x45°
4X 0.025
C
B
2X.130
.115
.430 D
E
.125
G
H
I
与信
L
F
该
ASI CBSL30
是专为
产品特点：
Omnigold
金属化系统
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
7.5 A
48V
25 V
3.5 V
88 W @ T
C
= 25 C
-65℃至+ 200C
-65
O
C至+150
O
C
3.0 C / W
O
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.355 / 9.02
.115 / 2.92
.075 / 1.91
.225 / 5.72
.090 / 2.29
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.355 / 9.02
.004 / 0.10
.120 / 3.05
.160 / 4.06
.230 / 5.84
.365 / 9.27
.125 / 3.18
.085 / 2.16
.235 / 5.97
.110 / 2.79
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.365 / 9.27
.006 / 0.15
.130 / 3.30
.180 / 4.57
.260 / 6.60
O
O
O
订货编号： ASI10582
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
OB
P
G
IMD
3
VSWR
1
VSWR
2
OVD
T
C
= 25 C
NONETEST
条件
I
C
= 100毫安
I
C
= 40毫安
I
C
= 40毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 24 V
V
CE
= 20 V
V
CB
= 25 V
V
CE
= 25 V
P
OUT
= 30 W
I
CQ
= 150毫安
f
1
= 860.0兆赫
I
C
= 2.0 A
F = 1.0 MHz的
F = 860 MHz的
f
2
= 860.1兆赫
R
BE
= 150
最小典型最大
48
30
25
3.5
10
15
55
40
28
5.0
---
40
---
---
---
---
---
100
50
7.5
-35
在不降低
输出设备
在不降低
输出设备
在不降低
输出设备
---
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
dBc的
典型值。
典型值。
典型值。
V
CE
= 25 V
V
CE
= 25 V
±
20%
V
CE
= 25 V
±
20%
P
IN
= P
IN
（规范） 3分贝
V
CE
= 25 V
V
CE
= 25 V
±
20%
驻波比= 20 ：1的
驻波比= 10 ：1的
驻波比= 5:1
P
IN
（标准） = 5分贝
P
IN
（标准） = 3分贝
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/1
QQ：2880707522 复制
