ASDL-4670
高性能T- ？ （3毫米）的AlGaAs / GaAs红外光（ 940nm的）灯
数据表
描述
ASDL - 4670是一款高性能的红外发射器
利用铝镓砷在GaAs LED技术。它优化
对于在940nm的发射波长的效率和
被设计用于的应用，需要高辐射
强度，在宽视角低正向电压。该
发射器被包封在透明的T- 1 （ 3mm）封装。
特点
T- 1包
940nm的波长
广视角
低正向电压
无铅并符合RoHS标准
可在磁带卷&
应用
对于消费设备红外遥控器
工业设备红外遥控器
便携式红外仪器
无线耳机
红外灯监控摄像机
光电断路器
反光应用
订购信息
产品型号
ASDL-4670-C
ASDL-4670-C3
引脚形式
直
颜色
明确
包装
磁带&卷轴
体积
送货方式
4000pcs
8000pcs /箱
包装尺寸
注意事项：
1.所有尺寸为毫米（英寸）
2.公差为+ 0.25毫米（ 0.010 “ ）除非另有说明
在法兰3出刃树脂为1.5mm （ 0.059 “ ）最大
4.引线间距是衡量地方引线从封装件
5.规格如有变更，恕不另行通知性能
改善
典型电气/光学特性曲线（T
A
= 25℃ ，除非另有说明）
1.0
60
相对辐射强度
正向电流IF （MA ）
940
波长（nm ）
1040
50
40
30
20
10
0
-40 -20
0
20 40 60 80 100
0.5
0
840
周围温度Ta （
o
C)
图2.正向电流与环境温度
1.2
图1.谱分布
50
输出功率相对于
在IF = 20mA值
0
1.6
2.0
2.8
正向电流（mA ）
40
30
20
10
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-20
0
20
40
60
80
1.2
2.4
正向电压（ V）
图3.正向电流与正向电压
周围温度Ta （
o
C)
图4.相对辐射强度比。环境温度
0
o
10
o
20
o
30
o
5.0
输出功率相对于
在IF = 20mA值
4.0
3.0
2.0
1.0
0
相对辐射强度
40
1.0
0.9
0.8
0.7
50
60
o
o
o
o
70
o
80
o
90
0.5 0.3
0.1
0.2 0.4 0.6
0
20
40
60
80
100
FOWARD电流（mA ）
图5.相对辐射强度比。正向电流
图6.辐射图
欲了解产品信息和经销商的完整列表，请访问我们的网站：
www.avagotech.com
安华高， Avago Technologies和A徽标是Avago Technologies的商标有限公司在美国和其他国家。
数据可能会有变化。 007安华高科技有限公司版权所有 ？ 。版权所有。
？ AV0 -0009EN - ？ ??月， 007
QQ：2880707522 复制
