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2004年9月
初步信息
AS9C25512M2018L
AS9C25256M2018L
2.5V 512 / 256K ×18同步双端口SRAM与3.3V或2.5V的接口
特点
真正的双端口存储器单元,让simulta-
相同的内存位置neous访问
组织: 524,288 / 262,144 × 18
[1]
完全同步,在独立运作
这两个端口
可选的管道或流通输出
模式
快速的时钟速度在管道输出模式: 250
MHz工作频率( 9Gbps带宽)
快速时钟到数据访问: 2.8ns的管道输出
放模式
异步输出使能控制
快速OE访问时间: 2.8ns
双循环取消( DCD)的管道输出
放模式
19/18
[1]
与增量位的计数器,保持和
每个端口上重复功能
注意:
1. AS9C25512M2018L / AS9C25256M2018L
双芯片使两个端口,方便
深度扩展
中断和冲突检测功能
为核心的2.5 V电源
LVTTL兼容,可选择3.3V或
针对I / O的2.5V电源,地址,
每个端口的时钟信号和控制信号
间歇模式中的每个端口的待机
手术
在电力15毫安典型待机电流
Down模式
可提供256引脚球栅阵列
( BGA ) , 144引脚薄型四方扁平封装
( TQFP )和208引脚细间距球栅
阵列(引脚fpBGA )
支持JTAG功能兼容
IEEE 1149.1
选购指南
特征
最小周期时间
管道最大时钟频率
最大的管道时钟存取时间
最大流量通过时钟频率
最大流通时钟存取时间
最大工作电流
最贪睡模式电流
-250
4
250
2.8
150
6.5
待定
18
-200
5
200
3.4
133
7.5
350
18
-166
6
166
3.6
100
10
300
18
-133
7.5
133
4.2
83
12
260
18
单位
ns
兆赫
ns
兆赫
ns
mA
mA
9/24/04; v.1.2
半导体联盟
30 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS9C25512M2018L
AS9C25256M2018L
双端口逻辑框图
R / W控制
R / W控制
BE1
A
-BE0
A
CE0
A
CE1
A
读/写
A
注册银行
D
Q
注册银行
D
Q
注册银行
Q
D
注册银行
Q
D
BE1
B
-BE0
B
CE0
B
CE1
B
读/写
B
O / P控制
O / P控制
O / P控制
O / P控制
1
1
0
PL / FT
0
PL / FT
PL / FT
A
OE
A
PL / FT
QOUT
A
<17 : 0>
QOUT
B
<17 : 0>
PL / FT
PL / FT
B
OE
B
注册银行
Q
D
注册银行
1
真正的双端口
存储阵列
512 / 256K ×18
D
Q
注册银行
注册银行
DQ17
A
-DQ0
A
D
Q
DIN
A
<17 : 0>
DIN
B
<17 : 0>
Q
D
RPT
A
ADS
A
INC。
A
A18
[1]A
-A0
A
地址
解码
增量
逻辑
注册
注册银行
D
Q
地址
解码
注册银行
Q
D
地址计数器A
CE0
A
选择
A
CLK
A
CE1
A
读/写
A
PL / FT
A
CLK
A
选择
A
INT
A
COL
A
CE0
B
地址计数器B
中断/冲突
发现
逻辑/寄存器
CE1
B
读/写
B
PL / FT
B
CLK
B
选择
B
INT
B
COL
B
选择
B
CLK
B
ZZ
A
贪睡
逻辑
贪睡
逻辑
ZZ
B
TDI
TDO
TCK
JTAG
TMS
TRST
注意:
1.地址A18是NC的AS9C25256M2018L
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半导体联盟
0
1
DQ17
B
-DQ0
B
RPT
B
ADS
B
INC。
B
0
增量
逻辑
注册
A18
[1]B
-A0
B
30 P. 2
AS9C25512M2018L
AS9C25256M2018L
概述
该AS9C25512M2018L / AS9C25256M2018L是一个高速CMOS 9 / 4.5 - Mbit的同步双端口静态随机存取存储器
设备,组织为524,288 / 262,144 × 18位。它集成了用户灵活的可选流通型/管道输出功能。顺时针
对数据的有效时间为2.8ns ,在250兆赫的“管道输出”的运作模式。
每个端口包含在输入地址寄存器的一个19/18位的线性脉冲串计数器,它可以在整个地址序列循环。后
外部加载与初始地址计数器,它可以递增或持有用于下一循环。一个新的地址,也可以加载或
“上一个已装载”的地址可以被重新访问(重复)使用计数器控制(详细描述如下) 。对控制寄存器,
数据和地址输入端提供最小的建立和保持时间。
存储器阵列采用双端口存储器单元,以允许任何地址的从两个端口同时存取。一个特定的端口可以写
到一定的位置,而另一个端口从相同的位置读数,而且读出的数据的有效性不能保证。然而,该
读端口都被告知通过其碰撞报警信号的可能冲突。通过以上的写入同一位置的结果
同时有一个端口是不确定的。
异步输出使能输入引脚允许输出缓冲器的在任何给定时间异步禁用。字节使能输入
允许单个字节的读/写操作(参见字节控制真值表) 。自动断电功能,通过CE0和CE1控制,
允许芯片上的电路,每一个端口的输入非常低的待机功耗模式。
AS9C25512M2018L / AS9C25256M2018L可以支持3.3V或2.5V的任一个或两个端口的工作电压,这是
通过OPT引脚控制。该设备(VDD)的核心的电源是2.5V 。该器件是256引脚球栅可用
阵列( BGA ) , 208引脚细间距球栅阵列(引脚fpBGA )和144引脚薄型四方扁平封装( TQFP )
地址计数器
该AS9C25512M2018L / AS9C25256M2018L携带的每个端口上的内部19/18位地址计数器,它可以遍历整个
存储器阵列。的地址计数器的功能将在下面进行讨论:
负载:
任何所需的外部地址可以被加载到计数器。这个功能类似于在常规的正常地址加载
回忆。
增量:
地址计数器有能力在内部递增的地址值,有可能覆盖整个存储器阵列。
一旦整个地址空间完成后,计数器将返回。地址计数器不initailized上电,因此已知
位置具有增量操作之前被加载。
HOLD :
计数器寄存器的值可保持无限数量的时钟周期由去断言ADS , INC和RPT投入。
重复:
先前加载的地址(使用有效负荷运转加载)可以重新访问通过认定RPT的输入。一个单独的19/18
位寄存器,称为“镜报寄存器”用于保存上次加载address.This寄存器不上电初始化,因此已知
位置有重复操作(请参阅反控制真值表了解详细信息)之前加载。
9/24/04, v.1.2
半导体联盟
30第3页
AS9C25512M2018L
AS9C25256M2018L
球分配 - 256球BGA
AS9C25512M2018L/AS9C25256M2018L
B - 256
顶视图
1
A
NC
2
TDI
3
NC
4
A17
A
A18
[1]A
A16
A
5
A14
A
A15
A
A13
A
6
A11
A
A12
A
A10
A
7
A8
A
A9
A
A7
A
8
NC
9
CE1
A
CE0
A
BE0
A
10
OE
A
读/写
A
CLK
A
11
INC。
A
RPT
A
ADS
A
12
A5
A
A4
A
A6
A
13
A2
A
A1
A
A3
A
VDD
14
A0
A
VDD
15
NC
16
NC
A
B
INT
A
COL
A
NC
NC
TDO
BE1
A
NC
NC
NC
B
C
DQ9
A
DQ9
B
VSS
选择
A
NC
NC
DQ8
A
DQ8
B
DQ7
B
DQ6
A
NC
C
D
NC
PL / FT
A
VDDQ
A
VDDQ
A
VDDQ
B
VDDQ
B
VDDQ
A
VDDQ
A
VDDQ
B
VDDQ
B
VDDQ
A
VDD
VDD
NC
VSS
VSS
VSS
VDD
VDD
NC
D
E
DQ10
B
DQ10
A
DQ11
A
NC
NC
NC
VDDQ
B
NC
DQ7
A
NC
E
F
DQ11
B
VDDQ
A
DQ12
A
VDDQ
B
NC
VDDQ
B
VDD
NC
NC
VSS
VSS
VSS
VSS
VDD
VDDQ
B
DQ6
B
VDDQ
A
DQ5
A
VDDQ
A
NC
F
G
NC
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
NC
G
H
NC
DQ12
B
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
NC
DQ5
B
DQ4
A
DQ3
A
DQ2
B
NC
H
J
DQ13
A
DQ14
B
DQ13
B
VDDQ
A
NC
NC
DQ14
A
VDDQ
A
DQ15
B
VDDQ
B
NC
VDDQ
B
ZZ
B
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
ZZ
A
VSS
VDDQ
B
DQ4
B
VDDQ
B
NC
DQ3
B
NC
J
K
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
K
L
DQ15
A
NC
VDD
NC
NC
VSS
VSS
VSS
VSS
VDD
VDDQ
A
DQ2
A
VDDQ
A
DQ1
B
VDD
NC
NC
L
M
DQ16
B
DQ16
A
NC
DQ17
B
DQ17
A
NC
VDD
VDD
NC
VSS
VSS
VSS
VDD
VDD
DQ1
A
DQ0
B
NC
M
N
NC
PL / FT
B
VDDQ
B
VDDQ
B
VDDQ
A
VDDQ
A
VDDQ
B
VDDQ
B
VDDQ
A
VDDQ
A
A16
B
A18
[1]B
A17
B
A13
B
A15
B
A14
B
A10
B
A12
B
A11
B
A7
B
A9
B
A8
B
NC
BE0
B
CE0
B
CE1
B
CLK
B
读/写
B
OE
B
ADS
B
RPT
B
INC。
B
A6
B
A4
B
A5
B
NC
N
P
COL
B
INT
B
NC
TMS
A3
B
A1
B
A2
B
NC
DQ0
A
NC
P
R
TRST
BE1
B
NC
选择
B
A0
B
NC
R
T
TCK
NC
NC
NC
T
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
注意:
1.地址A18是NC的AS9C25256M2018L
9/24/04, v.1.2
半导体联盟
30第4页
AS9C25512M2018L
AS9C25256M2018L
球分配 - 208球引脚fpBGA
1
A
DQ9
A
NC
2
INT
A
VSS
3
VSS
4
TDO
5
NC
6
A16
A
A13
A
7
A12
A
A9
A
A10
A
A7
A
8
A8
A
NC
9
NC
10
VDD
11
CLK
A
ADS
A
读/写
A
RPT
A
12
INC。
A
A5
A
A6
A
A3
A
13
A4
A
A1
A
A2
A
VDD
14
A0
A
NC
15
选择
A
16
NC
17
VSS
A
B
COL
A
TDI
A17
A
CE0
A
CE1
A
VDD
VSS
VDDQ
B
DQ8
A
DQ8
B
NC
NC
B
C
VDDQ
A
DQ9
B
VDDQ
B
PL / FT
A
A18
[1]
A14
A
A
NC
VSS
DQ10
A
NC
A15
A
A11
A
BE1
A
BE0
A
VSS
VDD
VSS
C
D
OE
A
NC
VDDQ
A
DQ7
A
NC
VSS
DQ7
B
NC
D
E
DQ11
A
NC
VDDQ
B
DQ10
B
NC
VSS
DQ6
A
VSS
E
F
VDDQ
A
DQ11
B
NC
VSS
DQ6
B
NC
VDDQ
B
NC
F
G
DQ12
A
NC
NC
VDDQ
A
DQ5
A
NC
VSS
G
H
VDD
NC
VDDQ
B
DQ12
B
VSS
ZZ
B
VSS
VDD
DQ5
B
VDDQ
B
VSS
H
J
VDDQ
A
VDD
DQ14
B
NC
VSS
K
DQ13
B
AS9C25512M2018L/AS9C25256M2018L
F - 208
顶视图
ZZ
A
VDD
VSS
J
DQ3
B
VDDQ
A
DQ4
B
NC
DQ3
A
NC
VSS
K
L
DQ14
A
VDDQ
B
DQ13
A
NC
DQ15
B
NC
VSS
DQ4
A
L
M
VDDQ
A
NC
VSS
DQ2
B
VDDQ
B
NC
DQ2
A
NC
M
N
VSS
DQ15
A
TRST
A16
B
A13
B
A12
B
A9
B
A10
B
A7
B
A8
B
NC
NC
VDD
CLK
B
ADS
B
读/写
B
RPT
B
INC。
B
A5
B
A6
B
A3B
A4
B
A1
B
A2
B
A0
B
DQ1
B
VDDQ
A
NC
DQ1
A
N
P
DQ16
B
DQ16
A
VDDQ
B
COL
B
VSS
NC
DQ17
B
TCK
VSS
P
R
A17
B
CE0
B
CE1
B
VDD
VSS
NC
VDDQ
A
DQ0
B
VDDQ
B
NC
VSS
NC
R
T
NC
DQ17
A
VDDQ
A
TMS
INT
B
PL / FT
B
NC
A18
[1]B
A14
B
A15
B
A11
B
BE1
B
BE0
B
VSS
VSS
T
U
VSS
OE
B
VDD
选择
B
NC
DQ0
A
U
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
注意:
1.地址A18是NC的AS9C25256M2018L
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    -
    -
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