SRAM
奥斯汀半导体公司
128K ×32的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
MIL -STD- 883
AS8SLC128K32
引脚分配
（ TOP VIEW ）
68铅CQFP （ Q）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
特点
10个快速存取时间为25ns至
总体配置： 128K ×32
4低功耗CMOS 128K ×8的SRAM在一个MCM
+ 3.3V电源
内部去耦电容
较低的工作功耗， 1/2上一代
选项
工作温度范围
军事（ -55
o
C至+ 125
o
C)
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
定时
为10ns （联系工厂）
12ns
15ns
17ns
20ns
25ns
包
陶瓷四方扁平封装
针脚栅格阵列
低功耗数据保持模式
标志
XT
IT
-10
-12
-15
-17
-20
-25
CS
CS2\
VCC
A11
A12
A13
A14
A15
A16
CS1\
OE \\
CS2\
NC
WE2\
WE3\
WE4\
NC
NC
NC
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
GND
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS3\
GND
CS4\
WE1\
A6
A7
A8
A9
A10
VCC
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I / O 16
I / O 17
I / O 18
I / O 19
I / O 20
I / O 21
I / O 22
I / O 23
GND
I / O 24
I / O 25
I / O 26
I / O 27
I / O 28
I / O 29
I / O 30
I / O 31
66引脚PGA （ P）
\
CS
CS4\
\
\
NC
Q
P
L
\
NC
CS
CS1\
CS
CS3\
\
概述
奥斯汀半导体公司AS8SLC128K32是一种高速，
4MB SRAM CMOS多芯片模块（ MCM ）设计的全
温度范围， 3.3V电源，军用，太空，或高
可靠性，大容量存储和快速缓存的应用程序。
该设备的输入和输出的TTL兼容。写作
当被执行时的写使能（WE \\ ）和芯片使能（CS \\）输入是
低。当我们\\高， CS \\输出读数完成
使能（OE \\）都很低。访问时间等级为10ns ，为12ns ， 15ns的，
为17ns ， 20ns的和25ns的最大值为标准。
该产品是在温度设计为操作
范围为-55 ° C至+ 125°C ，并在整个军用屏蔽
环境。
功能框图
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS8SLC128K32
0.6修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
VCC电源相对于Vss电压...........- 0.5V至+ 4.6V
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
短路输出电流（每个I / O） ............................ 20毫安
任一引脚电压相对于Vss的............- 。 5V至Vcc + 4.6V
最高结温** ............................. + 150°C
*强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
AS8SLC128K32
这是一个额定值只和功能的操作上
器件在这些或以上的任何其他条件表示
本规范的业务部门是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，周期时间，
负载，环境温度和空气流。看到应用程序
在此数据表的末尾介绍部分
信息。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
A
＆ LT ; 125
o
C和-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 3.3V ± 0.3V ）
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑1 ）电压
输入漏电流
ADD， OE
输入漏电流
WE ，CE
输出漏电流
I / O
输出高电压
输出低电压
0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）禁用
0V<V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
=-4.0mA
I
OL
=8.0mA
条件
CS \\ <V
IL
; V
CC
=最大
高速
F = MAX = 1 /吨
RC
（分钟）
电源
当前位置：工作输出打开， OE \\ = V
IH
低功耗（L ）
低速
电源
当前位置：工作
CS \\ <V
IL
; V
CC
=最大
F = 1MHz时， OE \\ = V
IH
低功耗（L ）
CS \\ >V
IH
; V
CC
=最大
电源
电流：待机
F = MAX = 1 /吨
RC
（分钟）
输出打开， OE \\ = V
IH
低功耗（L ）
V
IN
= V
CC
- 0.2V或V
SS
+0.2V
V
CC
= MAX; F = 0Hz时
低功耗（L ）
AS8SLC128K32
0.6修订版06/05
条件
符号
V
IH
V
IL
I
LI1
I
LI2
I
LO
V
OH
V
OL
-10
280
-12
240
民
2.2
-0.3
-10
-10
-10
2.4
最大
V
CC
+0.3
0.8
10
10
10
单位备注
V
V
A
A
A
V
1
1
1
1
0.5
最大
-15
220
V
描述
符号
-17
180
-20
160
单位备注
I
CC1
mA
2, 3,13
240
---
80
210
---
60
200
---
60
180
---
60
160
---
60
I
CC3
mA
2
I
SBT1
100
80
70
50
2
80
60
60
36
80
60
60
36
80
60
60
36
80
60
60
36
mA
3, 13
CMOS待机
I
SBT2
mA
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SRAM
奥斯汀半导体公司
电容
(V
IN
= 0V ， F = 1MHz的，T
A
= 25
o
C)*
符号
C
添加
C
OE
C
WE ，
C
CS
C
IO
参数
A0 - A16电容
OE \\电容
WEX \\和CSX \\电容
I / O 0 I / O容量31
最大
40
40
12
15
单位
pF
pF
pF
pF
AS8SLC128K32
注意：
*该参数进行采样。
AC测试条件
测试规范
输入脉冲电平........................................... V
SS
到3V
输入上升和下降时间...........................................为1ns / V
输入时序参考电平1.5V ...............................
输出参考电平1.5V ........................................
输出负载..........................................参见图1 ， 2
3.3V
R
L
= 50
Q
Z
O
= 50
30 pF的
V
L
= 1.5V
Q
333
5 pF的
319
图1
图2
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3
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS8SLC128K32
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
C<T
A
＆ LT ; 125
o
C和-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 3.3V ±0.3V)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
从地址变更输出保持
片选在低Z输出
芯片在高Z选择输出
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
写脉冲宽度， CS \\控制
写脉冲宽度，我们\\控制
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
符号
RC
AA
t
ACS
t
OH
t
LZCS
t
HZCS
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
t
-10
最小最大
10
10
10
1
1
0
0
5.5
5.5
5.5
10
9
9
0
0
9
9
5
1
2
5
-12
最小最大
12
12
12
2
2
0
0
6
6
6
12
10
10
0
0
10
10
6
1
2
5
-15
最小最大
15
15
15
2
2
0
0
7
7
-17
最小最大
17
17
17
2
2
7.5
7.5
0
7.5
17
11
11
0
0
14
14
7.5
1
2
6.5
-20
单位备注
最小最大
20
20
20
2
2
0
0
8
8
8
20
12
12
0
0
15
15
8
1
2
7
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,6,7
4,6,7
4,6
4,6
7
15
10
10
0
0
12
12
7
1
2
6
WC
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP1
t
WP2
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
t
t
4,6,7
4,6,7
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4
SRAM
奥斯汀半导体公司
低功耗特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
条件
所有输入@ VCC + 0.2V
或VSS + 0.2V ，
CS \\ = VCC + 0.2V
V
CC
= 2V
V
CC
= 3V
符号
V
DR
I
CCDR
I
CCDR
t
CDR
t
R
0
20
民
2
最大
24
32
单位
V
mA
mA
ns
ms
4
4, 11
笔记
AS8SLC128K32
低V
CC
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
V
DR
＆ GT ; 2V
t
4.5V
CDR
t
R
CS \\ 1-4
V
DR
笔记
1.所有电压参考V
SS
（GND）。
2.最坏情况地址转换。
3. I
CC
依赖于输出负载和循环率。
卸，并且f =
1
吨RC （ MIN ）H
Z.
t
HZCS
，小于吨
LZCS
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
.
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片选择和输出
使他们的工作状态保持。
10.地址有效之前或重合最新
OC-
curring芯片使能。
11. t
RC
=读周期时间。
12.芯片使能（ CS \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
13. I
CC
是完整的32位模式。
指定的值适用于与输出
4.此参数保证，但未经测试。
5.试验条件与输出负载为规定
在如图3所示。 1 & 2 ，除非另有说明。
6. t
HZCS
, t
HZOE
和T
HZWE
用C指定
L
= 5pF的如图
2.转换测量+/-从稳定200 mV的典型
态电压，从而允许实际测试器的RC时间常数。
7.在任何给定的温度和电压条件下，
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5
76541
7
5
7654321
56543210987654321
74323
1
7434121
56523210987654321
74341
6543
7434121
56523210987654321
743232
56523210987654321
654
76543
7654321
56543210987654321
76541 1
76523210987654321
56521210987654321
74343
54321210987654321
7654321
7434321
76543210987654321
7654321
7654321
5432
5432
76543210987654321
76543210987654321
7654321
54321
54321
76543210987654321
7654321
76543210987654321
54321
1
1
76543210987654321
7654321
7654321
54321
54321
76543210987654321
7654321
76543210987654321
QQ：2880707522 复制
