奥斯汀半导体公司
512K ×32的SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
AS8S512K32
& AS8S512K32A
引脚分配
（ TOP VIEW ）
68铅CQFP （ Q）
军事SMD引脚选项
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
SRAM
SMD 5962-94611 （军引脚）
MIL-STD-883
操作单5V电源
高速： 12 ， 15 ， 17 ， 20 ， 25和为35ns
建于去耦电容的低噪声
组织为512Kx32 ，可选择字节
低功耗CMOS
TTL兼容的输入和输出
未来产品
3.3V电源
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
GND
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
特点
工作温度范围
军事（ -55
o
C至+ 125
o
C)
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
定时
12ns
15ns
17ns
20ns
25ns
35ns
45ns
55ns
包
陶瓷四方扁平封装
陶瓷四方扁平封装
针脚栅格阵列
低功耗数据保持模式
引脚
军事
广告
XT
IT
68铅CQFP
商业引脚选项（ A）
I / O 16
A18
A17
CS4\
CS3\
CS2\
CS1\
NC
VCC
NC
NC
OE \\
WE \\
A16
A15
A14
I / O 15
-12
-15
-17
-20
-25
-35
-45
-55
L
（无指示）
A*
CS
CS
* （可带Q
描述
一般
包只）
奥斯汀半导体公司AS8S512K32和
AS8S512K32A是16兆位的CMOS SRAM模块组织成
512Kx32位。这些器件实现高速接入，低功耗
耗和高可靠性通过使用先进的CMOS
内存技术。
这种军用温度级产品非常适合
军事和空间应用。
CS
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS8S512K32 & AS8S512K32A
修订版5.0 5/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
I / O 31
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
VCC
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
I / O 0
Q
Q1
P
No.904
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
No.702
I/O17
I/O18
I/O19
VSS
I/O20
I/O21
I/O22
I/O23
VCC
I/O24
I/O25
I/O26
I/O27
VSS
I/O28
I/O29
I/O30
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
9
8
7
6
5
4
3
2
1
68
67
66
65
64
63
62
61
VCC
A11
A12
A13
A14
A15
A16
CS1\
OE \\
CS2\
A17
WE2\
WE3\
WE4\
A18
NC
NC
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
选项
标志
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS3\
GND
CS4\
WE1\
A6
A7
A8
A9
A10
VCC
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
I / O 16
I / O 17
I / O 18
I / O 19
I / O 20
I / O 21
I / O 22
I / O 23
GND
I / O 24
I / O 25
I / O 26
I / O 27
I / O 28
I / O 29
I / O 30
I / O 31
I / O 14
I / O 13
I / O 12
VSS
I / O 11
I / O 10
I / O 9
I / O 8
VCC
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
VSS
I / O 3
I / O 2
I / O 1
66引脚PGA （ P）
军事SMD引脚
\
CS
奥斯汀半导体公司
AS8S512K32
& AS8S512K32A
SRAM
CS
CS\4
CS4\
CS
CS3\
CS\3
512K ×8
M3
512K ×8
M2
CS
I / O 24 - I / O 31
CS\2
CS2\
I / O 16 - I / O 23
CS
512K ×8
M1
CS\1
CS1\
WE \\
OE \\
A0 - A18
I / O 8 - I / O 15
512K ×8
M0
I / O 0 - I / O 7
军事引脚/框图
商业引脚/框图
真值表
模式
读
Write(2)
待机
OE \\
L
X
X
CE \\
CS
L
L
H
WE \\
H
L
X
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
动力
活跃
活跃
待机
AS8S512K32 & AS8S512K32A
修订版5.0 5/03
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2
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
VCC电源相对于Vss ......................- 。 5V至+ 7V电压
储存温度............................................- 65℃至+ 150°C
短路输出电流（每个I / O） ................................. 20毫安
任何引脚相对于Vss ....................- 。 5V至Vcc + 1V电压
最高结温** ................................... + 150°C
*强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
AS8S512K32
& AS8S512K32A
SRAM
这是一个额定值只和功能的操作上
器件在这些或以上的任何其他条件表示
本规范的业务部门是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，周期时间，
负载，环境温度和空气流。看到应用程序
在此数据表的末尾如需更多信息，部分信息
息。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
A
＆ LT ; 125
o
C和-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑1 ）电压
输入漏电流
ADD， OE
输入漏电流
WE ，CE
输出漏电流
I / O
输出高电压
输出低电压
电源电压
条件
符号
V
IH
V
IL
0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）禁用
0V<V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
= 4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
I
LI1
I
LI2
国际劳工组织
V
OH
V
OL
V
CC
4.5
民
2.2
-0.5
-10
-10
-10
2.4
0.4
5.5
最大值单位备注
V
CC
+.5
V
1
0.8
10
10
10
V
A
A
A
V
V
V
1
1
1
1,2
描述
条件
SYMBOL -12
ICC
250
-15
200
-17
700
最大
-20 -25
650
600
-35
570
-45
570
-55单位备注
550
mA
3,13
CS \\ <VIL ; VCC = MAX
电源
F = MAX = 1 / tRC的（MIN）
当前位置：工作
输出打开
CS \\ >VIH ; VCC = MAX
电源
F = MAX = 1 / tRC的（MIN）
电流：待机
输出打开
I
SBT1
80
80
240
240
190
190
150
150
mA
3, 13
CMOS待机
VIN = VCC - 0.2V ，或
VSS + 0.2V
VCC =最大; F = 0Hz时
I
SBT2
80
80
80
80
80
80
80
80
mA
AS8S512K32 & AS8S512K32A
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3
奥斯汀半导体公司
电容
(V
IN
= 0V ， F = 1MHz的，T
A
= 25
o
C
)1
符号
C
添加
C
OE
C
WE ，
C
CS
C
IO
C
WE
（ QUOT ; A ＆ QUOT ; VERSION ）
参数
A0 - A18电容
OE \\电容
WE \\和CS \\电容
I / O 0 I / O容量31
WE \\电容
最大
50
50
20
20
50
AS8S512K32
& AS8S512K32A
SRAM
单位
pF
pF
pF
pF
pF
注意：
1.该参数进行采样。
AC测试条件
测试规范
输入脉冲电平......................................... V
SS
到3V
输入上升和下降时间为5ns .........................................
输入时序参考电平1.5V ...............................
输出参考电平1.5V ........................................
输出负载..............................................见图1
I
OL
电流源
设备
下
TEST
-
+
+
VZ = 1.5V
（双极
SUPPLY ）
CEFF = 50pF的
电流源
I
OH
注意事项：
VZ的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
我
OH
可编程从0到16毫安。
Vz的典型Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载
电路。
图1
AS8S512K32 & AS8S512K32A
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4
奥斯汀半导体公司
AS8S512K32
& AS8S512K32A
SRAM
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
C<T
A
＆ LT ; 125
o
C和-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
从地址变更输出保持
片选在低Z输出
芯片在高Z选择输出
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
片选写的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
符号
RC
AA
t
ACS
t
OH
t
LZCS
t
HZCS
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
t
-12
-15
-17
-20
-25
-35
-45
-55
单位备注
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
12
12
2
2
7
7
0
0
2
2
8
8
0
12
12
10
10
2
1
10
10
8
0
2
7
15
12
12
2
1
12
12
10
0
2
8
17
15
15
2
1
15
15
12
0
2
9
20
15
15
2
1
15
15
10
0
2
11
15
15
15
2
2
9
9
0
12
25
17
17
2
1
17
17
12
0
2
13
17
17
17
2
2
10
10
0
12
35
20
20
2
1
20
20
15
0
2
15
20
20
20
2
2
12
12
0
15
45
25
25
2
1
25
25
20
0
2
15
25
25
25
2
2
15
15
0
20
55
25
25
2
1
25
25
20
0
2
15
35
35
35
2
2
20
20
0
20
45
45
45
2
2
20
20
55
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,6,7
4,6,7
4,6
4,6
WC
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP1
t
WP2
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
t
t
4,6,7
4,6,7
AS8S512K32 & AS8S512K32A
修订版5.0 5/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
QQ：2880707522 复制
