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奥斯汀半导体公司
奥斯汀半导体公司
全封闭,多芯片模块
( MCM )
32MB, 1M ×32 , 3.0Volt引导块FLASH
ARRAY
可通过适用规格:
MIL -PRF- 38534 , H级
I/O0
I/O1
I/02
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
GND
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/012
I/O13
I/O14
I/O15
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
AS8FLC1M32
FL灰
图1 :引脚分配
( TOP VIEW )
RESET \\
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS3\
GND
CS4\
WE1\
A6
A7
A8
A9
A10
VCC
09
08
07
06
05
04
03
02
01
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
78
57
76
55
54
53
52
51
50
49
特点
32MB的设备,总密度,组织为1M ×32
底部引导块(扇区)架构
操作与单个3.0V电源
提供多种访问时间的变化
通过单个字节选择单个字节的控制( CSX \\ )
低功耗CMOS
最低百万编程/擦除每个扇区周期
保证
部门架构:
一个16K字节, 2字节8K , 32K 1字节
15 64K字节扇区
任何部门的结合可以同时删除
MCM支持全系列(多片)擦除
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复;支持读取数据或
编程数据到一个部门不被擦除
TTL兼容的输入和输出
军事和工业工作温度范围
[包装代号QT ]
48
47
46
45
44
I/O16
I/O17
I/O18
I/O19
I/O20
I/O21
I/O22
I/O23
GND
I/O24
I/O25
I/O26
I/O27
I/O28
I/O29
I/O30
I/O31
39
40
41
42
I/O8
I/O9
I/O10
A14
A16
A11
A0
A18
I/O0
I/O1
I/O2
VCC
A11
A12
A13
A14
A15
A16
CS1\
OE \\
CS2\
A17
WE2\
WE3\
WE4\
A18
A19
NC
引脚分配
( TOP VIEW )
RESET \\
CS2\
GND
I/O11
A10
A9
A15
VCC
CS1\
A19
I/O3
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
OE \\
A17
WE \\
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O24
I/O25
I/O26
A7
A12
VCC
CS4\
NC
I/O27
A4
A5
A6
NC
CS3\
GND
I/O19
I/O31
I/O30
I/O29
I/O28
A1
A2
A3
I/O23
I/O22
I/O21
I/O20
66 HIP
NC
A13
A8
I/O16
I/O17
I/O18
选项
访问速度
70ns
90ns
100ns
120ns
陶瓷四方扁平封装
陶瓷六角内联包
记号
-70
-90
-100
-120
[封装标识
P
H]
概述
奥斯汀半导体公司AS8FLC1M32B是一个32MB
闪存多芯片模块组织为1M ×32位。该
模块实现高速存取,低功耗
并通过采用先进的CMOS存储器,可靠性高
技术。军用级产品的制造
符合的MIL-PRF- 38534规范,使得
AS8FLC1M32B非常适用于军事和空间应用。
该模块提供了68引线0.990英寸方形陶瓷
四方扁平封装或66引脚1.185inch广场陶瓷六角直排
包( HIP ) 。该CQFP包装设计是针对那些
应用时需低调SMT封装。
Q
P
温度范围
全军用( MIL -PRF- 38534 , H级) / Q
军用温度( -55
o
C至+ 125
o
C)
/ XT
o
o
工业( -40°C至+ 85°C ) / IT
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站:
www.austinsemiconductor.com
AS8FLC1M32B
修订版3.3 05/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格,恕不另行通知。
1
43
奥斯汀半导体公司
奥斯汀半导体公司
框图
68 -LD 。 CQFP ,包"QT"
WE1 \\ CS1 \\
RESET \\
OE \\
A0-Ax
WE2 \\ CS2 \\
WE3 \\ 8 \\
WE4 \\ CS4 \\
AS8FLC1M32
FL灰
前执行擦除操作。在擦除时,
设备自动倍擦除脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
主机系统可以检测是否编程或擦除
操作完成后,通过观察RY / BY \\销,或由
阅读DQ7 (数据\\轮询)和DQ6 (切换)状态
BITS 。后一个程序或擦除周期已经完成,该
设备已准备好读取阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构允许存储
扇区被擦除和重新编程,而不会影响
其他部门的数据内容。该装置被完全擦除
从ASI出厂时。
硬件数据保护措施,包括低VCC
探测器可以自动抑制在写操作
电源转换。硬件部门的保护特性
禁止任意组合两种编程和擦除操作
内存部门。这可以在系统来实现,或
经过特别改装的商用编程设备。
擦除挂起功能允许用户将擦除
持为任何时间段读取数据,或程序数据
到,在不被选择用于擦除的任何扇区。真
背景擦除可以由此来实现。
硬件复位\\ PIN终止在任何操作
进度和复位内部状态机一个READ
操作。在RESET \\引脚可以连接到系统复位
电路。
1M ×8
1M ×8
1M ×8
1M ×8
I/O0-7
I/O8-15
I/O16-23
I/O24-31
框图
P
66 -LD 。 HIP ,包"H"
CS1\
WE \\
RESET \\
OE \\
A0-Ax
CS2\
CS3\
CS4\
1M ×8
1M ×8
1M ×8
1M ×8
I/O0-7
I/O8-15
I/O16-23
I/O24-31
该设备需要用于仅单个3.3volt电源
读取和写入操作。内部生成的,
提供了用于将程序和擦除稳压电压
功能。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源FASH标准。命令
写入命令寄存器使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机,用于控制擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存
所需的编程或擦除的地址和数据
功能(多个) 。读出的数据的数组类似于阅读
从其他电可编程器件。
器件编程时通过执行程序命令
序列。这将启动嵌入式程序算法
自动时间写脉冲宽度和周期
并验证每个单元进行适当的单元格边距。解锁
BYPASS模式有利于更快的编程时间,要求
只有两个写周期编程数据,而不是四个。
设备擦除时通过执行擦除命令
序列。这将启动嵌入式擦除算法,一个
内部算法自动预先计划的阵列
AS8FLC1M32B
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逻辑图(字节)
VCC
GND
DQ (字节)
RY / BY \\
RESET \\
状态
控制
命令
注册
擦除电压
发电机
PGM电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
扇形
开关
地址锁存
y解码器
I / O缓冲器
WEX \\
数据锁存器
CSX \\
OE \\
Y型GATING
VCC探测器
定时器
X解码器
细胞矩阵
A0-Ax
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2
奥斯汀半导体公司
奥斯汀半导体公司
然后系统复位也复位FLASH装置,
使系统微处理器读取引导向上
固件从闪速存储器阵列。该器件提供两种
省电功能。当地址已经稳定
一个指定的时间量,该设备进入自动
睡眠模式。该系统还可以将设备插入
待机模式。功耗大大降低
这两种模式。
AS8FLC1M32
FL灰
权力过渡。没有命令是必要的,此模式
以获得阵列的数据。标准的微处理器读周期
断言器件地址输入出示有效的有效数据
上的数据的数据输出。该装置仍处于启用状态的读
访问,直到命令寄存器的内容被改变。
请参见读取阵列数据的详细信息。请参阅
时序规格AC读操作表中的数据
有关该操作模式。
设备总线操作
本节描述了使用命令寄存器的
设置和控制总线操作。命令
注册本身并不占用任何可寻址存储器
位置。该寄存器由一系列锁存器的那
存储所需要的命令,地址和数据信息
执行指定的命令。该寄存器的内容
作为输入到内部状态机。国家
机输出决定了设备的功能。表1
列出了设备的总线操作,输入和控制/刺激
它们需要的水平,并且所得到的输出。以下
小节描述更详细,所有这些作业。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列,系统必须
开车CSX \\ , WEX \\到VIL和OE \\到VIH 。
擦除命令操作可以擦除一个扇区,多
扇区或整个阵列。表2表示的地址空间
包含在数组中的每个扇区内。扇区地址
由需要唯一地选择一个扇区的地址位。
“命令定义”部分,对擦除细节
一个单一的,多个扇区,整个阵列或悬浮剂/
恢复的擦除操作。
在系统中写入自动选择命令序列,
器件进入自动选择模式。该系统可以再
读取内部寄存器自动选择码(这是
从存储器阵列)上的每个数据输入端的分离/
MCM的闪存阵列的每个字节中的输出位。
标准读周期时序适用于这种模式。参阅
自选模式,并自动选择命令序列部分
了解更多信息。
ICC2在DC特性表代表了活跃
电流规格为写模式。交流
特色部分包含时序规格写
操作。
WE4\
OE \\
手术
地址
数据总线[ DQ0 - DQX ]
D0 -D7输出
D8 -D15输出
D16 - D23输出
D24 - D31输出
D0- D31输出
D0 - D7在
D8 - D15在
D16 - D23在
D24 - D31在
D0 - D31在
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据,系统必须驱动
CSX \\和OE \\引脚VIL 。片选CSX \\是电力和
在一个或多个字节的片选控制的目标由系统
(用户) 。输出使能[ OE \\ ]为输出控制和大门
数组数据到输出引脚。写(字节)启用[ WEX \\ ]
应保持在VIH水平。
内部状态机被设置为在读数组数据
设备上电,或一个硬件复位之后。这保证
该内存的内容没有虚假变更过程中发生
表1
RESET \\
H
CS1\
L
H
H
H
L
L
H
H
H
L
VCC+/-0.3V
H
CS2\
H
L
H
H
L
H
L
H
H
L
VCC+/-0.3V
CS3\
H
H
L
H
L
H
H
L
H
L
VCC+/-0.3V
CS4\
H
H
H
L
L
H
H
H
L
L
VCC+/-0.3V
WE1\
WE2\
WE3\
H
H
H
H
L
A0 - AX在
VCC+/-0.3V
X
L
VID
VID
VID
传说
L
X
L
L
X
L
X
L
L
X
L
X
L
L
X
L
X
L
L
X
L
H
H
H
L
X
H
X
L
L
X
H
L
H
H
L
X
H
X
L
L
X
H
H
L
H
L
X
H
X
L
L
X
H
H
H
L
L
X
H
X
L
L
X
H
A0 - AX在
X
H
X
H
H
X
待机
输出禁用
RESET
部门保护
部门取消保护
临时机构取消保护
X
X
X
扇区地址, A6 = L ,
A 1 = H, A 0 = L
扇区地址, A6 = H ,
A 1 = H, A 0 = L
A-IN
D-中, D-出
D-中, D-出
D- IN
L =逻辑低= VIL ,H =逻辑高电平= VIH , VID = 12.0 +/- 0.5V , X =无所谓,艾因=地址,状态DOUT =数据输出
注( * )
AS8FLC1M32B
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3
奥斯汀半导体公司
奥斯汀半导体公司
表2
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
SA11
SA12
SA13
SA14
SA15
SA16
SA17
SA18
A19
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
A18
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
A17
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A16
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
A15
0
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A14
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A13
X
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
AS8FLC1M32
扇区大小
(千字节)
16
8
8
32
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
64
FL灰
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时,系统可
通过对读出状态位,检查操作的状态
该MCM的每个字节中的每一个的七个数据I / O位
闪存阵列。标准的读周期时序和ICC读
规格适用。请参阅“写操作状态”
更多信息,并以“ AC特性”时机
特定连接的阳离子。
自动睡眠模式,独立的CSX \\ ,
WEX \\和OE \\控制信号。标准地址的访问时序
提供新数据时,地址被改变了。而在睡眠
模式时,输出数据被锁存并始终可用的系统。
ICC5中的“ DC特性表代表
自动休眠模式下的电流使用。
RESET \\ :硬件复位引脚
在RESET \\引脚提供复位的硬件方法
设备读取阵列的数据。当RESET \\引脚驱动
低至少一段色氨酸,设备立即终止
中的任何操作,所有三态输出引脚,并忽略
为复位期间所有的读/写命令\\
脉搏。该器件还复位内部状态机
读阵列数据。被中断的操作应该
要重新开始,一旦该设备已准备好接受另一个
命令序列,以保证数据的完整性。
电流减小为复位\\脉冲的持续时间。当
RESET \\保持在VSS +/- 0.3V ,该器件消耗的CMOS
待机电流( ICC4 ) 。如果RESET \\保持在VIL但不
的VCC +/- 0.3V的范围内,在MCM阵列将在
待机状态,但目前的限制会比上市高
下ICC4 。
在RESET \\引脚可以连接到系统复位电路。一
系统复位会也因此而复位FLASH阵列,使
系统以从引导读出的引导固件代码
存储器的块区域。
待机模式
当系统没有读取或写入设备,
它可以放置在设备处于待机模式,以节省功率
消费。
该器件进入CMOS待机模式,当CSX \\
和RESET \\引脚保持在VCC +/- 0.3V 。如果CSX \\和RESET \\
保持在VIH ,但不能在VCC +/- 0.3V ,该器件将在
待机模式,但在全比达到更高水平
CMOS待机。该设备要求的标准访问时间
(TCE)进行读访问时,该设备在任一这些
待机模式中,它准备读数据之前。
如果设备被擦除过程中取消选择或
编程时,器件消耗的有功电流,直到
操作完成。
在DC特性表, ICC3和ICC4代表
待机模式电流。
自动休眠模式
自动睡眠模式,最大限度地降低闪存器件
能量消耗。该设备将自动启用此
当地址保持稳定TACC + 30ns的模式。
AS8FLC1M32B
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4
奥斯汀半导体公司
奥斯汀半导体公司
如果RESET \\是一个程序时断言或擦除操作
化时, RY / BY \\引脚保持为“0” (忙) ,直到内部
复位操作完成,这需要TREADY的时间。
因此,系统可以监视RY / BY \\ ,以确定是否
复位操作完成。如果RESET \\断言时,
AS8FLC1M32
FL灰
底部引导扇区地址表
12.5V )的地址引脚A9 。地址引脚A6 , A1和A0必须的
将在下面的自动选择表所示。也是出于当
验证扇区保护,扇区地址必须出现在
相应的最高地址位。当所有必要的
位已被设置为所需的,则编程设备
然后读取相应的识别码的
相应的字节DQ的。
访问自动选择代码在系统中,主机系统
可以发出通过命令寄存器中的自动选择命令。
自选代码表
编程或擦除操作不执行( RY / BY \\销
为“1”) ,复位操作的时间内完成
TREADY 。该系统可以在复位\\引脚读取数据TRH
返回到VIH 。
请参阅“AC特性”表RESET \\参数。
部门保护算法流程
开始
PLSCNT = 1
RESET # = V
ID
T
输出禁止模式
当OE \\输入为VIH ,从设备输出被禁用。
输出引脚被置于高阻抗状态。
自选模式
自选模式提供了制造商和设备
鉴定,并通过部门核查保障
通过适当的字节DQ的识别码输出。这
模式主要用于编程设备
自动匹配的装置与待编程的
相应的规划算法。然而,该
自动选择代码也可在系统内通过被访问
命令寄存器。
当使用编程设备(修改以支持
多字节的设备,或者从编程供给分析装备
换货提供商这样) ,自选模式,需要VID
( 11.5V至
No
等待1毫秒
临时
扇形
取消保护模式
第一次写
周期= 60H ?
是的
建立部门
地址
扇形
保护:
写60H到
扇形
地址
A6 = 0, A1 = 1,
A0 = 0
等待150微秒
VERIFY
扇形
保护:写40H
to
扇区地址
用A6 = 0 ,
A1 = 1, A0 = 0
从阅读
扇区地址
用A6 = 0 ,
A1 = 1, A0 = 0
增量
PLSCNT
RESET
PLSCNT = 1
No
No
PLSCNT
= 25?
是的
数据= 01H ?
是的
是的
设备失败
保护
行业?
No
删除V
ID
从RESET #
写复位
命令
扇形
保护
算法
扇形
保护
完整
描述
制造商ID
CS1\
L
X
H
H
L
H
H
H
L
H
H
H
L
H
H
H
器件ID
扇区保护验证
CS2\
H
L
H
H
H
L
H
H
H
L
H
H
H
L
H
H
CS3\
H
H
L
H
H
H
L
H
H
H
L
H
H
H
L
H
CS4\
H
H
H
L
H
H
H
L
H
H
H
L
H
H
H
L
OEX \\
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
WEX \\
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
A19到
A13
X
X
X
X
X
X
X
X
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SA
A12到
A10
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A9
VID
VID
VID
VID
VID
VID
VID
VID
VID
VID
VID
VID
VID
VID
VID
VID
A8到
A7
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A6
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
A5到
A2
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A1
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
A0
DQX [OUTPUT]
DQ0-7 [ 01H ]
DQ8-15 [ 01H ]
DQ16-23 [ 01H ]
DQ24-31 [ 01H ]
DQ0-7 [ 5BH ]
DQ8-15 [ 5BH ]
DQ16-23 [ 5BH ]
DQ24-31 [ 5BH ]
DQ0-7 [ 01H ]受保护
DQ8-15 [ 01H ]受保护
DQ16-23 [ 01H ]受保护
DQ24-31 [ 01H ]受保护
DQ0-7 [ 00H ]未受保护
DQ8-15 [ 00H ]非受保护
DQ16-23 [ 00H ]未受保护
DQ24-31 [ 00H ]未受保护
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单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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