EEPROM
奥斯汀半导体公司
128K ×32的耐辐射EEPROM
作为军事规格
MIL-STD-883
AS8ER128K32
引脚分配
（ TOP VIEW ）
68铅CQFP
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
10
60
11
59
12
58
13
57
14
56
15
55
16
54
17
53
18
52
19
51
20
50
21
49
22
48
23
47
24
46
25
45
26
44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
VCC
A11
A12
A13
*A15
*A14
A16
CS1\
OE \\
CS2\
NC
WE2\
WE3\
WE4\
NC
NC
RDY
RES \\
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS3\
GND
CS4\
WE1\
A6
A7
A8
A9
A10
VCC
SMD 5962-94585
的为150ns ， 200ns的， 250ns的访问时间
操作单5V ±10 ％电源
功耗：
主动： 1.43 W（最大） ，最大速度运行
待机： 7.7毫瓦（ MAX ） ，电池备份模式
自动字节写： 10毫秒（最大值）
自动页写（ 128字节） ： 10毫秒（最大值）
电源开/关数据保护电路
低功耗CMOS
10
4
擦除/写周期（以页面模式）
软件数据保护
TTL兼容的输入和输出
数据保存： 10年
就绪/忙\\和数据轮询信号
通过RES \\引脚写保护
抗辐射：经过验证的总剂量40K到100K RADS *
屏蔽封装的最佳辐射抗扰度
工作温度范围：
军事： -55
o
C至+ 125
o
C
工业： -40
o
C至+ 85
o
C
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
GND
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
特点
I/O16
I/O17
I/O18
I/O19
I/O20
I/O21
I/O22
I/O23
GND
I/O24
I/O25
I/O26
I/O27
I/O28
I/O29
I/O30
I/O31
* ＃针脚的31和32 ， A15和A14分别从AS8E128K32逆转。正确
利用这些地址线需要在SDP模式的操作，以正常工作。
引脚名称
A0到A16
I / O0至I / O31
OE \\
CE \\
WE \\
V
CC
选项
时机
150纳秒
200纳秒
250纳秒
包
陶瓷四方扁平封装W /引线形成
陶瓷四方扁平封装W /拉杆
屏蔽陶瓷四方扁平封装
屏蔽陶瓷四方扁平封装
标志
-150
-200
-250
功能
地址输入
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能
写使能
电源
地
V
SS
RDY / BUSY \\就绪忙
RES \\
RESET
Q
QB
SQ
SQB
第703Q
第703QB
第703SF
第703SQB
概述
奥斯汀半导体公司AS8ER128K32是4兆位
耐辐射EEPROM模块组织为128K ×32位。
用户可配置为256K X16或512Kx 8.该模块实现了高
高速存取，低功耗和高可靠性
采用先进的CMOS内存技术。
军用级产品符合制造
MIL -STD 883 ，使得AS8ER128K32非常适合军事
或空间应用。
该模块提供了一个68铅0.880英寸方形陶瓷
四方扁平封装。它有一个最大值。为0.200英寸的高度（非屏蔽） 。这
包装设计是针对那些要求低的应用
简介SMT封装。
*请联络厂方测试报告。 ASI并不保证或担保
这些性能水平，但引用这些第三方报告。
AS8ER128K32
5.3修订版6/05
功能框图
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS8ER128K32
真值表
模式
读
待机
写
DESELECT
WIRTE禁止
DATA \\轮询
程序复位
CE \\
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IL
X
OE \\
V
IL
X
3
WE \\
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IH
X
RES \\
V
H
X
V
H
V
H
X
X
V
H
V
IL
2
RDY / BUSY \\
高-Z
高-Z
1
I / O
DOUT
高-Z
DIN
高-Z
---
---
DOUT （ I / O7 ）
高-Z
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
X
高Z到V
OL
高-Z
---
---
V
OL
高-Z
注意事项：
1. RDY /忙\\输出只有低电平有效v
OL
和高阻抗状态。它不能去HIGH （V
OH
）状态。
2. V
CC
-0.5 ＆ LT ; V
H
＆ LT ; V
CC
+1.0
3. X ：无关
AS8ER128K32
5.3修订版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
EEPROM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss电压
VCC ................................................. ...................- 0.6V至+ 7.0V
工作温度范围
(1)
..................- 55 ° C至+ 125°C
存储温度范围.........................- 65 ° C至+ 150°C
任何引脚相对于Vss ..............- 0.5V至+ 7.0V的电压
(2)
最高结温** ....................................... + 150°C
热阻结到管壳（ θ
JC
):
封装类型Q ........................................... 11.3 ° C / W
封装类型P & PN .................................. 2.8 ° C / W
注意事项：
1）包括电气特性和数据保留。
2) V
IN
MIN = -3.0V脉冲宽度<为20ns 。
AS8ER128K32
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，周期时间，
负载，环境温度和空气流通，湿度
（塑料） 。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
C<T
A
<125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
输入高电压
输入低电压
低输入漏电流（ RES \\信号）
高输入漏电流（ RES \\信号）
输入漏电流
2
输出漏电流
2
输出高电压
输出低电压
电源电压
RES \\ = 0V ， VCC = 5.5V
RES \\ = 5.5V ， VCC = 5.5V
OV < V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）已禁用，
OV < V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
= -0.4mA
I
OL
= 2.1毫安
条件
符号
V
IH
V
H
V
IL
I
LI
（ RES ）
I
HI
（ RES ）
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
V
CC
-10
-10
2.4
--
4.5
输入高电压（ RES \\ ）
民
2.2
V
CC
-0.5
-0.3
1
-500
10
10
10
--
0.4
5.5
V
V
V
最大
V
CC
+0.3
0.8
单位
V
V
V
V
CC
+1.0
注意：
1) V
IL
（ MIN ） ： -1.0V脉冲宽度<为20ns 。
2 ）所有其他信号引脚除外RES \\
参数
条件
IOUT = 0毫安，V
CC
= 5.5V
周期= 1μS ，占空比= 100 ％
符号
最大
-15
80
单位
电源电流：
操作
I
cc3
IOUT = 0毫安，V
CC
= 5.5V
周期= MIN ，占空比= 100 ％
CE \\ = V
CC,
V
CC
= 5.5V
CE \\ = V
IH ，
V
CC
= 5.5V
I
CC1
I
CC2
260
mA
1.4
12
mA
mA
电源电流：
待机
AS8ER128K32
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3
EEPROM
奥斯汀半导体公司
电容表
1
(V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C)
符号
C
添加
C
OE
C
WE ，
C
CE
C
IO
参数
A0 - A16电容
OE \\ RES \\ ， RDY电容
WE \\和CE \\电容
I / O 0 I / O容量31
最大
40
40
12
20
单位
pF
pF
pF
pF
AS8ER128K32
注意：
1.此参数是保证，但未经测试。
交流试验特性
测试规范
输入脉冲电平........................................... V
SS
到3V
输入上升和下降时间为5ns ...........................................
输入时序参考电平1.5V .................................
输出参考电平1.5V .........................................
输出负载................................................见图1
注意事项：
VZ的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
我
OH
可编程从0到16毫安。
Vz的典型Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载
电路。
电流源
I
OL
设备
下
TEST
-
+
+
VZ = 1.5V
（双极
SUPPLY ）
CEFF = 50pF的
电流源
I
OH
图1
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
描述
地址输出延迟
CE \\到输出延迟
OE \\到输出延迟
地址输出保持
CE \\或OE \\高输出的浮动（ 1 ）
RES \\低到输出的浮动（ 1 ）
RES \\到输出延迟
测试条件
CE \\ OE = \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
OE \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
OE \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
CE \\ OE = \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
OE \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
CE \\ OE = \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
CE \\ OE = \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
150
符号
t
加
t
CE
t
OE
t
OH
t
DF
t
DFR
t
RR
10
0
0
0
0
50
350
450
民
最大
150
150
75
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AS8ER128K32
5.3修订版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS8ER128K32
电气特性和推荐AC写特性
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
符号
t
AS
t
AH
t
CS
t
CH
t
WS
t
WH
t
OES
t
OEH
t
DS
t
DH
t
WP
t
CW
t
DL
t
BLC
t
BL
t
WC
t
DB
t
DW
t
RP
t
水库
参数
地址建立时间
地址保持时间
CE \\写建立时间（WE \\控制）
CE \\保持时间（WE \\控制）
WE \\写建立时间（ CE \\控制）
WE \\以保持时间（ CE \\控制）
OE \\写建立时间
OE \\以保持时间
数据建立时间
数据保持时间
WE \\脉冲宽度（WE \\控制）
CE \\脉冲宽度（ CE \\控制）
数据锁存时间
字节负载循环
字节加载窗口
写周期时间
时间到设备忙
写开始时间
复位保护时间
复位的时候
(5)
民
0
(2)
最大
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
150
0
0
0
0
0
0
100
10
250
250
300
0.55
100
10
120
150
1
(4)
(3)
30
s
s
ms
ns
ns
s
s
100
读时序波形
地址
CE \\
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
OH
OE \\
WE \\
数据输出
V
IH
高-Z
t
RR
数据输出有效
t
DFR
RES \\
AS8ER128K32
5.3修订版6/05
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5
EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS8ER128K32
结束
F生活
请注意：
一个停产通知是
在2001年发布了这款产品。
不过， ASI有一个大的
芯片库存量
可用。如需帮助，
请联系您当地的
销售代表。
AS8ER128K32
修订版4.5 2/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
EEPROM
奥斯汀半导体公司
128K ×32 EEPROM
耐辐射
EEPROM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
MIL-STD-883
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
GND
I/O8
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
AS8ER128K32
引脚分配
（ TOP VIEW ）
68铅CQFP
9 8 7 6 5 4 3 2 1 68 67 66 65 64 63 62 61
10
60
11
59
12
58
13
57
14
56
15
55
16
54
17
53
18
52
19
51
20
50
21
49
22
48
23
47
24
46
25
45
26
44
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
VCC
A11
A12
A13
*A15
*A14
A16
CS1\
OE \\
CS2\
NC
WE2\
WE3\
WE4\
NC
NC
RDY
RES \\
A0
A1
A2
A3
A4
A5
CS3\
GND
CS4\
WE1\
A6
A7
A8
A9
A10
VCC
SMD 5962-94585
为150ns的访问时间
操作单5V ±10 ％电源
功耗：
主动： 1.43 W（最大） ，最大速度运行
待机： 7.7毫瓦（ MAX ） ，电池备份模式
片阀门：地址，数据，CE \\ OE \\我们\\
自动字节写： 10毫秒（最大值）
自动页写（ 128字节） ： 10毫秒（最大值）
电源开/关数据保护电路
低功耗CMOS
10
4
擦除/写周期（以页面模式）
软件数据保护
TTL兼容的输入和输出
数据保存： 10年
就绪/忙\\和数据轮询信号
通过RES \\引脚写保护
抗辐射：经过验证的总剂量40K到100K RADS *
工作温度范围：
军事： -55
o
C至+ 125
o
C
工业： -40
o
C至+ 85
o
C
特点
I/O16
I/O17
I/O18
I/O19
I/O20
I/O21
I/O22
I/O23
GND
I/O24
I/O25
I/O26
I/O27
I/O28
I/O29
I/O30
I/O31
选项
结束
F生活
引脚名称
A0到A16
I / O0至I / O31
OE \\
CE \\
WE \\
V
CC
功能
地址输入
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能
写使能
电源
* ＃针脚的31和32 ， A15和A14分别从AS8E128K32逆转。正确
利用这些地址线需要在SDP模式的操作，以正常工作。
标志
-150
-200
-250
Q
QB
地
V
SS
RDY / BUSY \\就绪忙
RES \\
RESET
定时
150纳秒
200纳秒
250纳秒
包
陶瓷四方扁平封装
陶瓷四方扁平封装
703号
概述
奥斯汀半导体公司AS8ER128K32是4兆位
耐辐射EEPROM模块组织为128K ×32位。
用户可配置为256K X16或512Kx 8.该模块实现了高
高速存取，低功耗和高可靠性
采用先进的CMOS内存技术。
军用级产品符合制造
MIL -STD 883 ，使得AS8ER128K32非常适合军事
或空间应用。
该模块提供了一个68铅0.990英寸方形陶瓷
四方扁平封装。它有一个最大值。 0.200英寸的高度。这种包装设计
是针对那些需要低剖面SMT应用
包装。
*请联络厂方测试报告。 ASI并不保证或担保
这些性能水平，但引用这些第三方报告。
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修订版4.5 2/03
功能框图
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2
EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS8ER128K32
真值表
模式
读
待机
写
DESELECT
WIRTE禁止
DATA \\轮询
CE \\
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
OE \\
V
IL
X
3
WE \\
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IH
X
RES \\
V
H
X
V
H
V
H
X
X
2
RDY / BUSY \\
高-Z
高-Z
1
I / O
DOUT
高-Z
DIN
高-Z
---
---
V
IH
V
IH
X
V
IL
X
高Z到V
OL
高-Z
---
---
程序复位
注意事项：
1. RDY /忙\\输出只有低电平有效v
OL
和高阻抗状态。它不能去HIGH （V
OH
）状态。
2. V
CC
-0.5 ＆ LT ; V
H
＆ LT ; V
CC
+1.0
3. X ：无关
结束
F生活
V
IL
X
V
IL
V
H
V
OL
DOUT （ I / O7 ）
高-Z
V
IL
高-Z
AS8ER128K32
修订版4.5 2/03
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3
EEPROM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss电压
VCC ................................................. ...................- 0.6V至+ 7.0V
工作温度范围
(1)
..................- 55 ° C至+ 125°C
存储温度范围.........................- 65 ° C至+ 150°C
任何引脚相对于Vss ..............- 0.5V至+ 7.0V的电压
(2)
最高结温** ....................................... + 150°C
热阻结到管壳（ θ
JC
):
封装类型Q ........................................... 11.3 ° C / W
封装类型P & PN .................................. 2.8 ° C / W
注意事项：
1）包括电气特性和数据保留。
2) V
IN
MIN = -3.0V脉冲宽度<为20ns 。
AS8ER128K32
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，周期时间，
负载，环境温度和空气流通，湿度
（塑料） 。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
C<T
A
<125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
输入高电压
输入高电压（ RES \\ ）
输入低电压
条件
符号
V
IH
V
H
V
IL
I
LI
民
2.2
V
CC
-0.5
1
-0.3
-10
-10
2.4
--
4.5
最大
V
CC
+0.3
V
CC
+1.0
0.8
10
2
10
单位
V
V
V
Α
Α
V
V
V
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
电源电压
结束
F生活
OV < V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）已禁用，
OV < V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
= -0.4mA
I
OL
= 2.1毫安
I
LO
V
OH
V
OL
V
CC
--
0.4
5.5
注意：
1) V
IL
（ MIN ） ： -1.0V脉冲宽度<为20ns 。
2) I
LI
在RES \\ ： 500μA （最大值）
参数
条件
IOUT = 0毫安，V
CC
= 5.5V
周期= 1μS ，占空比= 100 ％
符号
最大
-15
80
单位
电源电流：
操作
I
cc3
IOUT = 0毫安，V
CC
= 5.5V
周期= MIN ，占空比= 100 ％
CE \\ = V
CC,
V
CC
= 5.5V
CE \\ = V
IH ，
V
CC
= 5.5V
I
CC1
I
CC2
260
mA
1.4
12
mA
mA
电源电流：
待机
AS8ER128K32
修订版4.5 2/03
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
EEPROM
奥斯汀半导体公司
电容表
1
(V
IN
= 0V ， F = 1 MHz时，T
A
= 25
o
C)
符号
C
添加
C
OE
C
WE ，
C
CE
C
IO
参数
A0 - A16电容
OE \\ RES \\ ， RDY电容
WE \\和CE \\电容
I / O 0 I / O容量31
最大
40
40
12
20
单位
pF
pF
pF
pF
AS8ER128K32
注意：
1.此参数是保证，但未经测试。
交流试验特性
测试规范
输入脉冲电平........................................... V
SS
到3V
输入上升和下降时间为5ns ...........................................
输入时序参考电平1.5V .................................
输出参考电平1.5V .........................................
输出负载................................................见图1
注意事项：
VZ的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
我
OH
可编程从0到16毫安。
Vz的典型Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载
电路。
结束
F生活
I
OL
电流源
设备
下
TEST
-
+
+
VZ = 1.5V
（双极
SUPPLY ）
CEFF = 50pF的
电流源
I
OH
图1
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
描述
地址输出延迟
CE \\到输出延迟
OE \\到输出延迟
地址输出保持
CE \\或OE \\高输出的浮动（ 1 ）
RES \\低到输出的浮动（ 1 ）
RES \\到输出延迟
测试条件
CE \\ OE = \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
OE \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
OE \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
CE \\ OE = \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
OE \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
CE \\ OE = \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
CE \\ OE = \\ = V
IL
我们\\ = V
IH
150
符号
t
加
t
CE
t
OE
t
OH
t
DF
t
DFR
t
RR
10
0
0
0
0
50
350
450
民
最大
150
150
75
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AS8ER128K32
修订版4.5 2/03
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5
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