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EEPROM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 EEPROM
EEPROM模块
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-93091
MIL-STD-883
AS8E512K8
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚DIP & 32引脚SOJ （ CW）
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE \\
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
特点
的150 ，200， 250 ，和300纳秒的存取时间
JEDEC兼容的引脚
万写周期耐力
10年的数据保存
组织为512Kx8
操作单5伏电源
低功耗CMOS
TTL兼容的输入和输出
选项
包装
32针600 MIL DIP
定时
150ns
200ns
250ns
300ns
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
记号
CW
第112号
-150
-200
-250
-300
XT
IT
引脚说明
A0 - A18
地址输入
I / O 0 - I / O 7的数据输入/输出
CE \\
芯片选择
OE \\
OUTPUT ENABLE
WE \\
写使能
VCC
+ 5.0V电源
概述
奥斯汀半导体公司AS8E512K8是
4兆位的CMOS EEPROM模块组织为512K ×8位。
它是建立与4 128K ×8的组件和单个解码器。
该AS8E512K8实现高速接入，低功耗
耗和高可靠性通过使用先进的CMOS
内存技术。软件数据保护实施
采用JEDEC标准的可选算法。
这种军用温度级产品非常适合
军事和航天应用需要高可靠性。
A0 - A16
I / O 0 - I / O 7
WE \\
OE \\
U1
A0 - A16
I / O 0 - I / O 7
WE \\
OE \\
CE \\
U2
A0 - A16
I / O 0 - I / O 7
WE \\
OE \\
CE \\
U3
A0 - A16
I / O 0 - I / O 7
WE \\
OE \\
CE \\
U4
A0 - A16
I / O 0 - I / O 7
WE \\
OE \\
CE \\
A17
A18
CE \\
1 4
解码器
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
AS8E512K8
第3.1版6/05
1
EEPROM
奥斯汀半导体公司
设备操作：
该AS8E512K8是一种电可擦除和可编程存储器
即象用于读或写周期中的静态RAM存取模块
而不需要外部元件。该器件包含一个
128字节的页寄存器允许写入多达128个字节的数据
同时。在写周期中，地址和1到128个字节
的数据被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他
操作。以下的一个写周期开始，该装置将
使用一个内部控制定时器自动写入锁存的数据。
在写入周期结束时可以通过I / O 7的数据\\轮询来检测。
一旦写周期结束时已经检测到用于读出一个新的接入
或写可以开始。
AS8E512K8
触发位：
除了数据\\轮询AS8E512K8提供了另一种
判定方法的一个写周期的结束。在写
操作时，连续尝试读出的数据从该装置将导致
在1和0之间的I / O 6切换。一旦写入完成，
I / O 6将停止切换，有效的数据将被读取。读切换
位可以在写周期开始，在任何时间。
数据保护：
如果不采取预防措施，在此期间可能会出现意外写入
主机电源的转换。电子
2
模块有其纳入
额定硬件和软件功能，以保护内存
防止意外写入。
阅读：
该AS8E512K8访问就像一个静态RAM 。当CE \\和
OE \\低和WE \\高，存储在该存储器位置中的数据
由地址引脚确定被断言的输出。该
输出被置于高阻抗状态时，无论CE \\或OE \\是
高。这双线路的控制，使设计人员灵活地预防
总线争用在他们的系统。
硬件保护：
硬件功能防止意外写入
AS8E512K8在以下几个方面：（1 ） Vcc的感觉 - 如果VCC低于
3.8V （典型值）的写入功能受到抑制; （二） Vcc的上电延时
- 一旦VCC达到3.8V时，设备会自动超时
5毫秒（典型值）允许写入前; （三）禁止写入 - 持有任何
OE \\低， CE \\高或WE \\高抑制写周期中的一个; （四）噪音
过滤器 - 小于15纳秒（典型值）的WE \\或CE \\输入的脉冲将
不启动写周期。
写字节：
在WE \\或CE \\输入， CE \\低脉冲或WE \\低
（分别）和OE \\高启动一个写周期。的地址是
锁存CE \\下降沿或WE \\ ，最后的为准。该
数据通过CE \\第一个上升沿锁存或WE \\ 。一旦一个字节，
字或双字写入已经启动，会自动时间
本身来完成。
软件数据保护：
软件控制的数据保护功能已经imple-
mented上theAS8E512K8 。当启用时，该软件数据保护
化（ SDP ） ，将防止意外写入。该SDP功能可能
启用或由用户禁用，随SDP禁用，
SDP是由主机系统发出一系列的三个写使能
命令;数据的三个特定字节写入三个具体
地址（请参考软件数据保护算法） 。后
写了三字节指令序列和T后
WC
对于每一个
死整个AS8E512K8将受到保护防止意外写
操作。应当指出，一旦受保护主机仍可能
执行字节或页写入AS8E512K8 。这是由
该数据前将要写入的相同的三个字节的命令
序用于使能的SDP 。一旦设定， SDP将保持活跃，除非
禁用命令序列发出。电源转换不
禁用SDP和SDP将保护电期间的AS8E512K8
和断电条件。所有的命令序列必须符合
到页写时序规范。在启用数据和
关闭
命令序列没有被写入到设备和
在序列中所用的存储器地址可以写入与数据
无论是一个字节或页面写操作。
SDP设置后，任何试图写入设备无
3字节的命令序列将启动内部写定时器。没有
数据将被写入到该设备;然而，在t的持续时间
WC
,
读操作将有效地被轮询操作。
页写：
该AS8E512K8的页写操作允许1到128
数据BWDWs在一个单一的内部被写入到器件
规划期。每一个新的BWDW必须写在为150us
(t
BLC
）以前BWDW的。如果T
BLC
超过限制
AS8E512K8将停止接受数据，并展开内部
编程操作。对于我们每\\高到低在转型
页写操作，A7 -A18必须是相同的。
在A0 A6的输入用于指定页内的哪些字节
正在被写入。该字节可以以任何顺序被加载并且可以是
相同的负载周期内改变。只有那些经指定的字节
写作将被写入;内的其它字节不必要的自行车
页面不会发生。
DATA \\轮询：
该AS8E512K8设有DATA \\轮询指示的结束
写周期。在一个字节或页写周期未遂阅读
写入的最后一个字节，将导致写入数据的补
在I / O 7.将提交一旦写周期已经完成，
真实数据是对所有的输出有效，并在下一个写周期可以开始。
DATA \\轮询可以在写周期开始随时。
AS8E512K8
第3.1版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
EEPROM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss电压
电源/输入电压范围
1
.........................- 0.6V至+ 6.25V DC
在OE \\和A9 ....................................- 0.6V至+ 13.5V直流电压
所有其他引脚电压..................................- 0.6V至+ 6.25V DC
储存温度.............................................- 65 ° C至+ 150°C
工作温度，T
A
(Ambient)................-55
o
C至+ 125
o
C
引线温度（焊接10秒） ........................ + 300
o
C
最高结温** .................................... + 165℃
注意：
1.包括NC引脚，相对于地面。
AS8E512K8
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，循环
时间，装载，环境温度和空气流。
引脚电容
（ F = 1MHz时， T = 25 ° C）
(1)
符号
C
ADD， OE \\我们\\
C
I / O
C
CE \\
条件
V
IN
= 0V ， F = 1MHz的
V
OUT
= 0V ， F = 1MHz的
V
IN
= 0V ， F = 1MHz的
最大
45
50
10
单位
pF
pF
pF
操作模式
模式
读
写
2
CE \\
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE \\
V
IL
V
IH
X
1
WE \\
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
注意：
1. X可以是V
IL
或V
IH 。
2.参考AC编程波形。
X
V
IL
V
IH
高Z
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
C<T
A
<+125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
输入负载电流
输出漏电流
VCC待机电流CMOS
VCC待机电流TTL
VCC工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压CMOS
AS8E512K8
第3.1版6/05
条件
V
IN
= 0V至VCC + 1V
V
I / O
= 0V至Vcc
CE \\ = VCC -0.2V至Vcc + 1
CE \\ = 2.2V至VCC + 1
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC
V
IL
V
IH
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
V
OL
V
OH1
V
OH2
民
-20
-20
最大
20
20
单位
Α
Α
mA
20
120
0.8
2.0
0.45
2.4
4.2
mA
mA
V
V
V
V
V
I
OH
= -100
A;
VCC = 4.5V
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS8E512K8
电气特性和推荐AC读操作
条件
(-55
o
C<T
A
<+125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
 
   



   



 





       





















   



      
？ ！ " ？ ＃ ？ ？ "" ???? ？ ！ ？
       




























交流读波形
(1,2,3,4)
地址
CE \\
t
CE
t
OE
t
加
产量
V
ALID
地址有效
OE \\
t
DF
t
OH
产量
高Z
注意事项：
1. CE \\可能会延迟到t
加
-t
CE
地址跃迁后
化不inpact对T
加
.
2. OE \\可能会延迟到t
CE
-t
OE
的下降沿之后
CE \\无inpact对T
CE
或用t
加
-t
OE
一个地址后，
更改，恕不inpact对T
加
.
3. t
DF
从OE \\或CE \\指定以先到者为准
(C
L
= 5pF的） 。
4.此参数的特点，而不是100％测试。
5， A17和A18必须通过WE \\和CE \\仍然有效
低脉冲。
输入测试波形和测量
水平之AC测试条件
在P ü吨P ü LS è L E V ê LS
在P ü吨R是E A N D F A LL牛逼的IM （E S）
在P ü T A N D O u那样TP ü吨
牛逼的IM以g FE重新权证L E V ê LS
AS8E512K8
第3.1版6/05
输出测试负载
5.0V
1.8K
1.3K
100pF
0 V至3 0.0 V
5nS
1 .5 V
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
EEPROM
奥斯汀半导体公司
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
BLC
t
WPH
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
字节负载循环时间
写脉冲宽高
50
5
AS8E512K8
电气特性和推荐AC写操作
条件
(-55
o
C<T
A
<+125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
民
最大
10
10
50
50
0
100
150
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
OE \\
地址
CE \\
AC写波形 - WE \\控制下的
5
t
OEH
t
OES
t
AS5
t
AH5
t
CH
WE \\
t
CS
t
WPH
t
WP
t
DS
t
DH
DATA IN
AC写波形 - CE \\控
5
OE \\
地址
?
WE \\
t
AS5
t
AH5
t
CH
t
OES
t
OEH
CE \\
t
CS
t
WPH
t
WP
t
DS
t
DH
DATA IN
AS8E512K8
第3.1版6/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
EEPROM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 EEPROM
EEPROM模块
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-93091
MIL-STD-883
AS8E512K8
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚DIP & 32引脚SOJ （ CW）
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE \\
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
特点
的150 ，200， 250 ，和300纳秒的存取时间
JEDEC兼容的引脚
万写周期耐力
10年的数据保存
组织为512Kx8
操作单5伏电源
低功耗CMOS
TTL兼容的输入和输出
选项
包装
32针600 MIL DIP
定时
150ns
200ns
250ns
300ns
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
记号
CW
第112号
-150
-200
-250
-300
XT
IT
引脚说明
A0 - A18
地址输入
I / O 0 - I / O 7的数据输入/输出
CE \\
芯片选择
OE \\
OUTPUT ENABLE
WE \\
写使能
VCC
+ 5.0V电源
概述
奥斯汀半导体公司AS8E512K8是
4兆位的CMOS EEPROM模块组织为512K ×8位。
它是建立与4 128K ×8的组件和单个解码器。
该AS8E512K8实现高速接入，低功耗
耗和高可靠性通过使用先进的CMOS
内存技术。软件数据保护实施
采用JEDEC标准的可选算法。
这种军用温度级产品非常适合
军事和航天应用需要高可靠性。
A0 - A16
I / O 0 - I / O 7
WE \\
OE \\
U1
A0 - A16
I / O 0 - I / O 7
WE \\
OE \\
CE \\
U2
A0 - A16
I / O 0 - I / O 7
WE \\
OE \\
CE \\
U3
A0 - A16
I / O 0 - I / O 7
WE \\
OE \\
CE \\
U4
A0 - A16
I / O 0 - I / O 7
WE \\
OE \\
CE \\
A17
A18
CE \\
1 4
解码器
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
AS8E512K8
2.0版本12/99
1
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
EEPROM
奥斯汀半导体公司
设备操作：
该AS8E512K8是一个electricaly可擦除可编程存储器
即象用于读或写周期中的静态RAM存取模块
而不需要外部元件。该器件包含一个
128字节的页寄存器允许写入多达128个字节的数据
同时。在写周期中，地址和1到128个字节
的数据被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他
操作。以下的一个写周期开始，该装置将
使用一个内部控制定时器自动写入锁存的数据。
在写入周期结束时可以通过I / O 7的数据\\轮询来检测。
一旦写周期结束时已经检测到用于读出一个新的接入
或写可以开始。
AS8E512K8
触发位：
除了数据\\轮询AS8E512K8提供了另一种
判定方法的一个写周期的结束。在写
操作时，连续尝试读出的数据从该装置将导致
在1和0之间的I / O 6切换。一旦写入完成，
I / O 6将停止切换，有效的数据将被读取。读切换
位可以在写周期开始，在任何时间。
数据保护：
如果不采取预防措施，在此期间可能会出现意外写入
主机电源的转换。电子
2
模块有其纳入
额定硬件和软件功能，以保护内存
防止意外写入。
阅读：
该AS8E512K8访问就像一个静态RAM 。当C / E \\和
OE \\低和WE \\高，存储在该存储器位置中的数据
由地址引脚确定被断言的输出。该
输出被置于高阻抗状态时，无论CE \\或OE \\是
高。这双线路的控制，使设计人员灵活地预防
总线争用在他们的系统。
硬件保护：
硬件功能防止意外写入
AS8E512K8在以下几个方面：（1 ） Vcc的感觉 - 如果VCC低于
3.8V （典型值）的写入功能受到抑制; （二） Vcc的上电延时
- 一旦VCC达到3.8V时，设备会自动超时
5毫秒（典型值）允许写入前; （三）禁止写入 - 持有任何
OE \\低， CE \\高或WE \\高抑制写周期中的一个; （四）噪音
过滤器 - 小于15纳秒（典型值）的WE \\或CE \\输入的脉冲将
不启动写周期。
写字节：
在WE \\或CE \\输入， CE \\低脉冲或WE \\低
（分别）和OE \\高启动一个写周期。的地址是
锁存CE \\下降沿或WE \\ ，最后的为准。该
数据通过CE \\第一个上升沿锁存或WE \\ 。一旦一个字节，
字或双字写入已经启动，会自动时间
本身来完成。
软件数据保护：
软件控制的数据保护功能已经imple-
mented上theAS8E512K8 。当启用时，该软件数据保护
化（ SDP ） ，将防止意外写入。该SDP功能可能
启用或由用户禁用，随SDP禁用，
SDP是由主机系统发出一系列的三个写使能
命令;数据的三个特定字节写入三个具体
地址（请参考软件数据保护算法） 。后
写了三字节指令序列和T后
WC
整个
AS8E512K8将得到保护，防止意外写操作。它
应当指出，一旦受保护主机仍可能执行一个字节
页面写入AS8E512K8 。这是通过将数据前完成
要被写入由所使用的相同的三个字节的命令序列
使SDP 。一旦设定， SDP将保持活跃，除非禁用
命令序列发出。电源转换不禁SDP
和SDP将保护在电和供电的AS8E512K8
下来的条件。所有的命令序列必须符合页面
写时序规范。在启用和禁用数据
命令序列没有被写入到设备和存储器
该序列中使用的地址可以写入与在任一数据
字节和页写操作。
SDP设置后，任何试图写入设备无
3字节的命令序列将启动内部写定时器。没有
数据将被写入到该设备;然而，在t的持续时间
WC
,
读操作将有效地被轮询操作。
页写：
该AS8E512K8的页写操作允许1到128
数据BWDWs在一个单一的内部被写入到器件
规划期。每一个新的BWDW必须写在为150us
(t
BLC
）以前BWDW的。如果T
BLC
超过限制
AS8E512K8将停止接受数据，并展开内部
编程操作。对于我们每\\高到低在转型
页写操作，A7 -A18必须是相同的。
在A0 A6的输入用于指定页内的哪些字节
正在被写入。该字节可以以任何顺序被加载并且可以是
相同的负载周期内改变。只有那些经指定的字节
写作将被写入;内的其它字节不必要的自行车
页面不会发生。
DATA \\轮询：
该AS8E512K8设有DATA \\轮询指示的结束
写周期。在一个字节或页写周期未遂阅读
写入的最后一个字节，将导致写入数据的补
在I / O 7.将提交一旦写周期已经完成，
真实数据是对所有的输出有效，并在下一个写周期可以开始。
DATA \\轮询可以在写周期开始随时。
AS8E512K8
2.0版本12/99
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
EEPROM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss电压
电源/输入电压范围
1
.........................- 0.6V至+ 6.25V DC
在OE \\和A9 ....................................- 0.6V至+ 13.5V直流电压
所有其他引脚电压..................................- 0.6V至+ 6.25V DC
储存温度.............................................- 65 ° C至+ 150°C
工作温度，T
A
(Ambient)................-55
o
C至+ 125
o
C
引线温度（焊接10秒） ........................ + 300
o
C
最高结温** .................................... + 165℃
注意：
1.包括NC引脚，相对于地面。
AS8E512K8
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，循环
时间，装载，环境温度和空气流。
引脚电容
（ F = 1MHz时， T = 25 ° C）
(1)
符号
C
ADD， OE \\我们\\
C
I / O
C
CE \\
条件
V
IN
= 0V ， F = 1MHz的
V
OUT
= 0V ， F = 1MHz的
V
IN
= 0V ， F = 1MHz的
最大
45
50
10
单位
pF
pF
pF
操作模式
模式
读
写
2
CE \\
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE \\
V
IL
V
IH
X
1
WE \\
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
注意：
1. X可以是V
IL
或V
IH 。
2.参考AC编程波形。
X
V
IL
V
IH
高Z
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
C<T
A
<+125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
输入负载电流
输出漏电流
VCC待机电流CMOS
VCC待机电流TTL
VCC工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压CMOS
AS8E512K8
2.0版本12/99
条件
V
IN
= 0V至VCC + 1V
V
I / O
= 0V至Vcc
CE \\ = VCC -0.2V至Vcc + 1
CE \\ = 2.2V至VCC + 1
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC
V
IL
V
IH
I
OL
= 2.1毫安
V
OL
V
OH1
V
OH2
民
-20
-20
最大
20
20
单位
Α
Α
mA
20
120
0.8
2
0.45
2.4
4.2
mA
mA
V
V
V
V
V
I
OH
= -400
A
I
OH
= -100
A;
VCC = 4.5V
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3
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS8E512K8
电气特性和推荐AC读操作
条件
(-55
o
C<T
A
<+125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
 
   



   



   



      
 

  

     























       
？ ！ " ？ ＃ ？ ？ "" ???? ？ ！ ？





























交流读波形
(1,2,3,4)
地址
CE \\
t
CE
t
OE
t
加
产量
V
ALID
地址有效
OE \\
t
DF
t
OH
产量
高Z
注意事项：
1. CE \\可能会延迟到t
加
-t
CE
地址跃迁后
化不inpact对T
加
.
2. OE \\可能会延迟到t
CE
-t
OE
的下降沿之后
CE \\无inpact对T
CE
或用t
加
-t
OE
一个地址后，
更改，恕不inpact对T
加
.
3. t
DF
从OE \\或CE \\指定以先到者为准
(C
L
= 5pF的） 。
4.此参数的特点，而不是100％测试。
5， A17和A18必须通过WE \\和CE \\仍然有效
低脉冲。
输入测试波形和测量
水平之AC测试条件
在P UT P ULS 左EV ê LS
在P UT R是E上的ND F A LL牛逼IM ES
在P UT斯达康A N D 2 O ü TP UT
牛逼的IM以g FE重数控è L E V ELS
AS8E512K8
2.0版本12/99
输出测试负载
5.0V
1.8K
1.3K
100pF
0 V至3 0.0 V
5纳秒
1 .5 V
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4
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EEPROM
奥斯汀半导体公司
符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
BLC
t
WPH
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
字节负载循环时间
写脉冲宽高
50
5
AS8E512K8
电气特性和推荐AC写操作
条件
(-55
o
C<T
A
<+125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
民
最大
10
10
50
50
0
100
150
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
OE \\
地址
CE \\
AC写波形 - WE \\控制下的
5
t
OEH
t
OES
t
AS5
t
AH5
t
CH
WE \\
t
CS
t
WPH
t
WP
t
DS
t
DH
DATA IN
AC写波形 - CE \\控
5
OE \\
地址
WE \\
?
t
AS5
t
AH5
t
CH
t
OES
t
OEH
CE \\
t
CS
t
WPH
t
WP
t
DS
t
DH
DATA IN
AS8E512K8
2.0版本12/99
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EEPROM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 EEPROM
EEPROM模块
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-93091
MIL-STD-883
AS8E512K8
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚DIP & 32引脚SOJ （ CW）
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE \\
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
特点
的150 ，200， 250 ，和300纳秒的存取时间
JEDEC兼容的引脚
万写周期耐力
10年的数据保存
组织为512Kx8
操作单5伏电源
低功耗CMOS
TTL兼容的输入和输出
选项
包装
32针600 MIL DIP
定时
150ns
200ns
250ns
300ns
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
记号
CW
第112号
-150
-200
-250
-300
XT
IT
引脚说明
A0 - A18
地址输入
I / O 0 - I / O 7的数据输入/输出
CE \\
芯片选择
OE \\
OUTPUT ENABLE
WE \\
写使能
VCC
+ 5.0V电源
概述
奥斯汀半导体公司AS8E512K8是
4兆位的CMOS EEPROM模块组织为512K ×8位。
它是建立与4 128K ×8的组件和单个解码器。
该AS8E512K8实现高速接入，低功耗
耗和高可靠性通过使用先进的CMOS
内存技术。软件数据保护实施
采用JEDEC标准的可选算法。
这种军用温度级产品非常适合
军事和航天应用需要高可靠性。
A0 - A16
I / O 0 - I / O 7
WE \\
OE \\
U1
A0 - A16
I / O 0 - I / O 7
WE \\
OE \\
CE \\
U2
A0 - A16
I / O 0 - I / O 7
WE \\
OE \\
CE \\
U3
A0 - A16
I / O 0 - I / O 7
WE \\
OE \\
CE \\
U4
A0 - A16
I / O 0 - I / O 7
WE \\
OE \\
CE \\
A17
A18
CE \\
1 4
解码器
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请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
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AS8E512K8
2.0版本12/99
1
EEPROM
奥斯汀半导体公司
设备操作：
该AS8E512K8是一个electricaly可擦除可编程存储器
即象用于读或写周期中的静态RAM存取模块
而不需要外部元件。该器件包含一个
128字节的页寄存器允许写入多达128个字节的数据
同时。在写周期中，地址和1到128个字节
的数据被内部地锁存，从而释放地址和数据总线，用于其他
操作。以下的一个写周期开始，该装置将
使用一个内部控制定时器自动写入锁存的数据。
在写入周期结束时可以通过I / O 7的数据\\轮询来检测。
一旦写周期结束时已经检测到用于读出一个新的接入
或写可以开始。
AS8E512K8
触发位：
除了数据\\轮询AS8E512K8提供了另一种
判定方法的一个写周期的结束。在写
操作时，连续尝试读出的数据从该装置将导致
在1和0之间的I / O 6切换。一旦写入完成，
I / O 6将停止切换，有效的数据将被读取。读切换
位可以在写周期开始，在任何时间。
数据保护：
如果不采取预防措施，在此期间可能会出现意外写入
主机电源的转换。电子
2
模块有其纳入
额定硬件和软件功能，以保护内存
防止意外写入。
阅读：
该AS8E512K8访问就像一个静态RAM 。当C / E \\和
OE \\低和WE \\高，存储在该存储器位置中的数据
由地址引脚确定被断言的输出。该
输出被置于高阻抗状态时，无论CE \\或OE \\是
高。这双线路的控制，使设计人员灵活地预防
总线争用在他们的系统。
硬件保护：
硬件功能防止意外写入
AS8E512K8在以下几个方面：（1 ） Vcc的感觉 - 如果VCC低于
3.8V （典型值）的写入功能受到抑制; （二） Vcc的上电延时
- 一旦VCC达到3.8V时，设备会自动超时
5毫秒（典型值）允许写入前; （三）禁止写入 - 持有任何
OE \\低， CE \\高或WE \\高抑制写周期中的一个; （四）噪音
过滤器 - 小于15纳秒（典型值）的WE \\或CE \\输入的脉冲将
不启动写周期。
写字节：
在WE \\或CE \\输入， CE \\低脉冲或WE \\低
（分别）和OE \\高启动一个写周期。的地址是
锁存CE \\下降沿或WE \\ ，最后的为准。该
数据通过CE \\第一个上升沿锁存或WE \\ 。一旦一个字节，
字或双字写入已经启动，会自动时间
本身来完成。
软件数据保护：
软件控制的数据保护功能已经imple-
mented上theAS8E512K8 。当启用时，该软件数据保护
化（ SDP ） ，将防止意外写入。该SDP功能可能
启用或由用户禁用，随SDP禁用，
SDP是由主机系统发出一系列的三个写使能
命令;数据的三个特定字节写入三个具体
地址（请参考软件数据保护算法） 。后
写了三字节指令序列和T后
WC
整个
AS8E512K8将得到保护，防止意外写操作。它
应当指出，一旦受保护主机仍可能执行一个字节
页面写入AS8E512K8 。这是通过将数据前完成
要被写入由所使用的相同的三个字节的命令序列
使SDP 。一旦设定， SDP将保持活跃，除非禁用
命令序列发出。电源转换不禁SDP
和SDP将保护在电和供电的AS8E512K8
下来的条件。所有的命令序列必须符合页面
写时序规范。在启用和禁用数据
命令序列没有被写入到设备和存储器
该序列中使用的地址可以写入与在任一数据
字节和页写操作。
SDP设置后，任何试图写入设备无
3字节的命令序列将启动内部写定时器。没有
数据将被写入到该设备;然而，在t的持续时间
WC
,
读操作将有效地被轮询操作。
页写：
该AS8E512K8的页写操作允许1到128
数据BWDWs在一个单一的内部被写入到器件
规划期。每一个新的BWDW必须写在为150us
(t
BLC
）以前BWDW的。如果T
BLC
超过限制
AS8E512K8将停止接受数据，并展开内部
编程操作。对于我们每\\高到低在转型
页写操作，A7 -A18必须是相同的。
在A0 A6的输入用于指定页内的哪些字节
正在被写入。该字节可以以任何顺序被加载并且可以是
相同的负载周期内改变。只有那些经指定的字节
写作将被写入;内的其它字节不必要的自行车
页面不会发生。
DATA \\轮询：
该AS8E512K8设有DATA \\轮询指示的结束
写周期。在一个字节或页写周期未遂阅读
写入的最后一个字节，将导致写入数据的补
在I / O 7.将提交一旦写周期已经完成，
真实数据是对所有的输出有效，并在下一个写周期可以开始。
DATA \\轮询可以在写周期开始随时。
AS8E512K8
2.0版本12/99
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2
EEPROM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss电压
电源/输入电压范围
1
.........................- 0.6V至+ 6.25V DC
在OE \\和A9 ....................................- 0.6V至+ 13.5V直流电压
所有其他引脚电压..................................- 0.6V至+ 6.25V DC
储存温度.............................................- 65 ° C至+ 150°C
工作温度，T
A
(Ambient)................-55
o
C至+ 125
o
C
引线温度（焊接10秒） ........................ + 300
o
C
最高结温** .................................... + 165℃
注意：
1.包括NC引脚，相对于地面。
AS8E512K8
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，循环
时间，装载，环境温度和空气流。
引脚电容
（ F = 1MHz时， T = 25 ° C）
(1)
符号
C
ADD， OE \\我们\\
C
I / O
C
CE \\
条件
V
IN
= 0V ， F = 1MHz的
V
OUT
= 0V ， F = 1MHz的
V
IN
= 0V ， F = 1MHz的
最大
45
50
10
单位
pF
pF
pF
操作模式
模式
读
写
2
CE \\
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE \\
V
IL
V
IH
X
1
WE \\
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
待机/写禁止
写禁止
写禁止
输出禁用
注意：
1. X可以是V
IL
或V
IH 。
2.参考AC编程波形。
X
V
IL
V
IH
高Z
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
C<T
A
<+125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
输入负载电流
输出漏电流
VCC待机电流CMOS
VCC待机电流TTL
VCC工作电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出高电压CMOS
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条件
V
IN
= 0V至VCC + 1V
V
I / O
= 0V至Vcc
CE \\ = VCC -0.2V至Vcc + 1
CE \\ = 2.2V至VCC + 1
F = 5 MHz的;我
OUT
= 0毫安
符号
I
LI
I
LO
I
SB1
I
SB2
I
CC
V
IL
V
IH
I
OL
= 2.1毫安
V
OL
V
OH1
V
OH2
民
-20
-20
最大
20
20
单位
Α
Α
mA
20
120
0.8
2
0.45
2.4
4.2
mA
mA
V
V
V
V
V
I
OH
= -400
A
I
OH
= -100
A;
VCC = 4.5V
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3
EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS8E512K8
电气特性和推荐AC读操作
条件
(-55
o
C<T
A
<+125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
 
   



   



   



      
 

  

     























       
？ ！ " ？ ＃ ？ ？ "" ???? ？ ！ ？





























交流读波形
(1,2,3,4)
地址
CE \\
t
CE
t
OE
t
加
产量
V
ALID
地址有效
OE \\
t
DF
t
OH
产量
高Z
注意事项：
1. CE \\可能会延迟到t
加
-t
CE
地址跃迁后
化不inpact对T
加
.
2. OE \\可能会延迟到t
CE
-t
OE
的下降沿之后
CE \\无inpact对T
CE
或用t
加
-t
OE
一个地址后，
更改，恕不inpact对T
加
.
3. t
DF
从OE \\或CE \\指定以先到者为准
(C
L
= 5pF的） 。
4.此参数的特点，而不是100％测试。
5， A17和A18必须通过WE \\和CE \\仍然有效
低脉冲。
输入测试波形和测量
水平之AC测试条件
在P UT P ULS 左EV ê LS
在P UT R是E上的ND F A LL牛逼IM ES
在P UT斯达康A N D 2 O ü TP UT
牛逼的IM以g FE重数控è L E V ELS
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输出测试负载
5.0V
1.8K
1.3K
100pF
0 V至3 0.0 V
5纳秒
1 .5 V
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4
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符号
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
BLC
t
WPH
参数
写周期时间
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
字节负载循环时间
写脉冲宽高
50
5
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电气特性和推荐AC写操作
条件
(-55
o
C<T
A
<+125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
民
最大
10
10
50
50
0
100
150
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
OE \\
地址
CE \\
AC写波形 - WE \\控制下的
5
t
OEH
t
OES
t
AS5
t
AH5
t
CH
WE \\
t
CS
t
WPH
t
WP
t
DS
t
DH
DATA IN
AC写波形 - CE \\控
5
OE \\
地址
WE \\
?
t
AS5
t
AH5
t
CH
t
OES
t
OEH
CE \\
t
CS
t
WPH
t
WP
t
DS
t
DH
DATA IN
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AME8822AEET120Z
AY3668S
ACT-D2M32C-150F18T
ALF90SS16
ATF1504AS-10JU44
ADC122S051CIMM
ADC12L032CIWM
ACT-F1M32T-120F14Q
APL1117D
AFL27012SZ-ES
AT6005-4UC
AA-AADYDG-FREQ
A82DL3224UG-70
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