奥斯汀半导体公司
AS8E32K32
32K ×32的EEPROM
EEPROM
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-94614 ： AS8E32K32
MIL-STD-883
引脚配置（顶视图）
66铅PGA
特点
90 ，120， 150纳秒的存取时间
建于去耦电容的低噪声
手术
组织为32K ×32 ;用户可配置
为64K ×16或128K ×8
操作单5伏电源
低功耗CMOS
TTL兼容的输入和输出
选项
定时
90纳秒
120纳秒
150纳秒
标志
-9
-12
-15
68铅CQFP
包
陶瓷四方扁平封装
针脚栅格阵列
Q
P
705号
805号
概述
奥斯汀半导体公司AS8E32K32是1兆位
组织为32K ×32位的EEPROM模块。用户可配置到
64K X16或128Kx 8.模块实现高速接入，低
功耗和高可靠性由用人高级
CMOS内存技术。
军用级产品符合制造
在SMD和MIL -STD 883 ，使得AS8E32K32非常适合
军事和空间应用。
该模块提供了1.090平方英寸的陶瓷插针网格阵列
基材。这种包装设计提供了最佳的节省空间
解决方案的通孔封装接受板。
该模块还提供了一个68铅0.990平方英寸陶瓷
四方扁平封装。它有一个最大值。 0.200英寸的高度。这个包
设计是针对那些需要低姿态的应用
SMT封装。
CE4
WE4
M3
32K ×8
CE3
WE3
M2
32K ×8
I / O 24 - I / O 31
设备Identi科幻阳离子
一个额外的64字节的EEPROM存储器可在每个芯片
为用户标识。通过提高A9 12 V +/- 0.5V和使用
地址位置7FC0H到7FFFH的字节可以被写入到
或以相同的方式作为常规存储器阵列读取。
CE2
WE2
M1
I / O 16 - I / O 23
32K ×8
CE1
WE1
OE
A0 - 14
M0
32K ×8
I / O 8 - I / O 23
I / O 0 - I / O 7
AS8E32K32
REV 。 1.5 9/99
1
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
奥斯汀半导体公司
设备操作
AS8E32K32
32K ×32的EEPROM
该32Kx 32 EEPROM存储器soultion是像一个访问的electricaly可擦除和可编程存储器模块
静态RAM的读或写周期，而无需外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器
允许同时写入的最多64个字节的数据。在写周期中，地址和数据的164个字节的内部
锁，从而释放地址和数据总线，用于其它操作。下面的写周期开始时，设备会自动
编写使用的内部控制定时器锁存数据。在写入周期结束时可以通过I / O 7的数据的轮询来检测。一旦结束
的写周期已被检测用于读出一个新的访问或写可以开始。
读
存储器模块进行访问像静态RAM 。当
CE \\和OE \\低， WE \\高，存储在数据
由地址引脚决定的存储器位置被置为上
的输出。该模块可以被理解为一个32位，16位或8位
装置。输出处于高阻抗状态时，
无论是CE \\或OE \\高。这种双行控制使设计师
灵活性在防止总线争用中的系统。
读取数据。读取触发位可以随时开始
在写入周期。
数据保护
如果不采取预防措施，可能会发生意外写入
在主机电源的转换。电子
2
模块
结合硬件和软件功能，将
防止意外写入内存。
字节写
在WE \\或CE \\输入， CE \\低脉冲或WE \\低
（分别）和OE \\高启动一个写周期。的地址是
锁存CE \\下降沿或WE \\ ，最后的为准。
该数据通过CE \\第一个上升沿锁存或WE \\ 。一旦
BWDW （字节，字或双字），写有蜜蜂
启动它
硬件保护
硬件功能防止意外写入
通过以下方式模块：（1） VCC的意义 - 如果VCC低于
3.8 V（典型值）的写入功能受到抑制; （二） VCC电
延迟 - 一旦VCC达到3.8V时，设备会自动
时间5毫秒（典型值）允许写入前; （三）禁止写入 -
控股OE \\低， CE \\高的任何一个或WE \\高抑制写
周期; （四）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的脉冲
WE \\或CE \\输入将不会启动写周期。
会自动时间本身来完成。
页写
的32K ×32的EEPROM页写操作允许
数据的164个BWDWs期间被写入到器件
单一的内部编程周期。每一个新的BWDW必须
写在之前的BWDW的150微秒（ TBLC ） 。如果
TBLC超出限制时，设备将停止接受数据，并
开始内部编程操作。对于我们每
高向低过渡页写操作， A6- A14中
必须是相同的。
在A0 -A5输入用于指定字节以内
页面是将被写入。该字节可以以任何顺序被加载
并且可在相同的负载周期内改变。只有字节
这是用于编写规定将被写入;不必要
不会发生的页面中的其它字节循环。
软件数据保护
软件控制的数据保护功能已
内存模块上实现。当启用时，
软件数据保护（ SDP ） ，将防止意外写入。
该SDP功能可以被启用或由用户禁用并
随SDP禁用。
SDP是由主机系统发布一系列THRE 启用
写命令;数据的三个特定字节写入到三
具体地址（请参考软件数据保护算法） 。
写了三字节指令序列和后三元催化器后，
整个模块将被保护免受意外写
操作。应当指出，一旦受保护的主机可以
仍执行页写一个字节到模块。这是由
该数据前将要写入的相同的三个字节的命令
序用于使能的SDP 。
一旦设定， SDP将保持活跃，除非禁用
命令序列发出。电源转换不禁止
SDP和SDP将在保护32K ×32的EEPROM模块
上电和掉电条件。所有的命令序列
必须符合页写时序规范。数据
在启用和禁用命令序列不被写入到
在序列中所用的设备和存储器地址可以是
写在页写操作或者一个字节的数据。
SDP设置后，任何试图写入设备
没有3字节的命令序列将启动内部
写定时器。没有数据将被写入到设备;然而，对于
TWC的时间，读操作将有效地被投票
操作。
数据轮询
此内存模块具有数据查询来表示
在写入周期结束。在一个字节或页写周期的
未遂读取写入的最后一个字节，将导致完井
写入的数据的换货必须提交的I / O7 。一旦写
循环已经完成时，真正的数据是对所有的输出有效，并且
在下一个写周期可能开始。数据轮询可能在开始
在写入周期随时。
切换位
除了数据投票的模块提供了另一种
判定方法的一个写周期的结束。在写
操作时，连续尝试从设备读取数据会
导致1和0之间的访问模肘的I / O6 。
一旦写入完成， I / O6将停止翻转，有效
AS8E32K32
REV 。 1.5 9/99
2
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
奥斯汀半导体公司
AS8E32K32
32K ×32的EEPROM
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss电压
VCC ................................................. .........................- 。 6V至+ 6.5V
储存温度........................................- 65 ° C至+ 150 °
短路输出电流（每个I / O） ... ......................... 20毫安
任何引脚相对于Vss ..............- 。 5V至Vcc + 1 mA电压
结温** .............................................. ... + 150°C
热阻结到管壳（ θ
JC
):
封装类型Q ........................................... 11.3 ° C / W
封装类型P .............................................. 2.8 ° C / W
*强调大于"Absolute下所列
最大Ratings"可能会导致永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能的操作
化器件在这些或以上的任何其他条件
在本规范的操作部的指示
化，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
**最高结温取决于封装
式，循环时间，装载，环境温度和空气流，
和湿度。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55°C
≤
T
A
≤
125°C ; VCC = 5V ± 10 ％ ）
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输入漏电流
WE \\ CE \\
条件
符号
V
IH
V
IL
民
2
-0.5
-10
-10
-10
2.4
最大
V
CC
+.3
0.8
10
10
10
单位
V
V
A
A
A
V
笔记
1
1, 2
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
输出（S ）禁用
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
I
OH
= -.4毫安
I
OL
= 2.1毫安
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
V
CC
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
电源电压
1
1
1
0.45
4.5
5.5
V
V
描述
电源
当前位置：工作
电源
电流：待机
条件
CE \\
≤
V
IL
; V
CC
=最大
F = 5兆赫
输出打开
CE \\
≥
V
IH
;所有其它输入
≤V
IL
or
≥
V
IH
; V
CC
=最大
F = 5兆赫
CE \\
≥
V
CC
-0.2V; V
CC
=最大
V
IL
≤
V
SS
+ 0.2V或
V
IH
≥
V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹
符号
I
CC
-90
340
最大
-120
340
-150
340
单位备注
mA
I
SBT1
12
12
12
mA
I
SBC1
1.3
1.3
1.3
mA
AS8E32K32
REV 。 1.5 9/99
3
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奥斯汀半导体公司
AS8E32K32
32K ×32的EEPROM
亚太ITANC ê表
V
IN
= 0V ， F = 1MHz时， TA = 25℃
S y时M B 0 1 P中的RA M E TE
C
添加
C
OE
A0 - A14 apacti ANCE
OE \\ C apacti ANCE
(1)
马个IM ü米
24
24
6
12
加利其
pF
pF
pF
pF
释
4, 14
4, 14
4, 14
4, 14
C
WE
, C
CE
WE \\和权证\\ C apacti ANCE
C
IO
I / O 0 - I / O 31 C apacti ANCE
1.此参数是保证，但不tesed
真值表
模式
读
写（ 2 ）
待机/写
写禁止
写禁止
输出禁用
CE \\
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE \\
V
IL
V
IH
X (1)
X
V
IL
V
IH
WE \\
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
高Z
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
AC测试条件
测试规范
输入脉冲电平.................................... VSS到3V
输入上升和下降时间为5ns .......................................
输入时序参考电平1.5V .............................
输出参考电平1.5V .....................................
输出负载................................见图1和图2
I
OL
电流源
设备
下
TEST
-
+
+
VZ = 1.5V
（双极
SUPPLY ）
CEFF = 50pF的
电流源
I
OH
注意事项：
VZ是可编程从-2V至+ 7V 。
I
OL
我
OH
可编程从0到16毫安。
Vz的典型Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载
电路。
AS8E32K32
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4
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奥斯汀半导体公司
AS8E32K32
32K ×32的EEPROM
AC阅读特点
(-55°C
≤
T
A
≤
125°C ; V
CC
= 5V ±10%)
-90
符号
t
RC
t
加
t
ACS
t
CE
(1)
t
OE
(2)
t
DF
(3,4)
t
OH
参数
读周期时间
地址输出延迟
CE \\访问时间
CE \\到输出延迟
OE \\到输出延迟
CE \\或OE \\到输出高阻
从OE \\ CE \\或输出保持
地址，以先到为准
民
90
90
90
90
50
50
0
0
最大
民
120
-120
最大
民
150
120
120
120
60
60
0
-150
最大
单位
ns
150
150
150
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交流读波形
(1,2,3)
TRC
地址
TCE
CE /
TOE
OE \\
TACC
DQ
输出有效
地址有效
TDF
TOH
注意事项：
1. CE \\可能会延迟到t
加
-t
CE
没有inpact T上的地址转换后
加
.
2. OE \\可能会延迟到t
CE
-t
OE
的CE \\无inpact对T下降沿后
CE
或用t
加
-t
OE
地址变更后
没有inpact对T
加
.
3. t
DF
从OE \\或CE \\以先到为准（C规定
L
= 5pF的） 。
AS8E32K32
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5
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
奥斯汀半导体公司
AS8E32K32
32K ×32的EEPROM
EEPROM
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-94614 ： AS8E32K32
MIL-STD-883
引脚配置（顶视图）
66铅PGA
特点
90 ，120， 150纳秒的存取时间
建于去耦电容的低噪声
手术
组织为32K ×32 ;用户可配置
为64K ×16或128K ×8
操作单5伏电源
低功耗CMOS
TTL兼容的输入和输出
选项
定时
90纳秒
120纳秒
150纳秒
标志
-9
-12
-15
68铅CQFP
包
陶瓷四方扁平封装
针脚栅格阵列
Q
P
705号
805号
概述
奥斯汀半导体公司AS8E32K32是1兆位
组织为32K ×32位的EEPROM模块。用户可配置到
64K X16或128Kx 8.模块实现高速接入，低
功耗和高可靠性由用人高级
CMOS内存技术。
军用级产品符合制造
在SMD和MIL -STD 883 ，使得AS8E32K32非常适合
军事和空间应用。
该模块提供了1.090平方英寸的陶瓷插针网格阵列
基材。这种包装设计提供了最佳的节省空间
解决方案的通孔封装接受板。
该模块还提供了一个68铅0.990平方英寸陶瓷
四方扁平封装。它有一个最大值。 0.200英寸的高度。这个包
设计是针对那些需要低姿态的应用
SMT封装。
CE4
WE4
M3
32K ×8
CE3
WE3
M2
32K ×8
I / O 24 - I / O 31
设备Identi科幻阳离子
一个额外的64字节的EEPROM存储器可在每个芯片
为用户标识。通过提高A9 12 V +/- 0.5V和使用
地址位置7FC0H到7FFFH的字节可以被写入到
或以相同的方式作为常规存储器阵列读取。
CE2
WE2
M1
I / O 16 - I / O 23
32K ×8
CE1
WE1
OE
A0 - 14
M0
32K ×8
I / O 8 - I / O 23
I / O 0 - I / O 7
AS8E32K32
REV 。 1.5 9/99
1
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
奥斯汀半导体公司
设备操作
AS8E32K32
32K ×32的EEPROM
该32Kx 32 EEPROM存储器soultion是像一个访问的electricaly可擦除和可编程存储器模块
静态RAM的读或写周期，而无需外部元件。该器件包含一个64字节页寄存器
允许同时写入的最多64个字节的数据。在写周期中，地址和数据的164个字节的内部
锁，从而释放地址和数据总线，用于其它操作。下面的写周期开始时，设备会自动
编写使用的内部控制定时器锁存数据。在写入周期结束时可以通过I / O 7的数据的轮询来检测。一旦结束
的写周期已被检测用于读出一个新的访问或写可以开始。
读
存储器模块进行访问像静态RAM 。当
CE \\和OE \\低， WE \\高，存储在数据
由地址引脚决定的存储器位置被置为上
的输出。该模块可以被理解为一个32位，16位或8位
装置。输出处于高阻抗状态时，
无论是CE \\或OE \\高。这种双行控制使设计师
灵活性在防止总线争用中的系统。
读取数据。读取触发位可以随时开始
在写入周期。
数据保护
如果不采取预防措施，可能会发生意外写入
在主机电源的转换。电子
2
模块
结合硬件和软件功能，将
防止意外写入内存。
字节写
在WE \\或CE \\输入， CE \\低脉冲或WE \\低
（分别）和OE \\高启动一个写周期。的地址是
锁存CE \\下降沿或WE \\ ，最后的为准。
该数据通过CE \\第一个上升沿锁存或WE \\ 。一旦
BWDW （字节，字或双字），写有蜜蜂
启动它
硬件保护
硬件功能防止意外写入
通过以下方式模块：（1） VCC的意义 - 如果VCC低于
3.8 V（典型值）的写入功能受到抑制; （二） VCC电
延迟 - 一旦VCC达到3.8V时，设备会自动
时间5毫秒（典型值）允许写入前; （三）禁止写入 -
控股OE \\低， CE \\高的任何一个或WE \\高抑制写
周期; （四）噪声滤波器 - 小于15纳秒（典型值）的脉冲
WE \\或CE \\输入将不会启动写周期。
会自动时间本身来完成。
页写
的32K ×32的EEPROM页写操作允许
数据的164个BWDWs期间被写入到器件
单一的内部编程周期。每一个新的BWDW必须
写在之前的BWDW的150微秒（ TBLC ） 。如果
TBLC超出限制时，设备将停止接受数据，并
开始内部编程操作。对于我们每
高向低过渡页写操作， A6- A14中
必须是相同的。
在A0 -A5输入用于指定字节以内
页面是将被写入。该字节可以以任何顺序被加载
并且可在相同的负载周期内改变。只有字节
这是用于编写规定将被写入;不必要
不会发生的页面中的其它字节循环。
软件数据保护
软件控制的数据保护功能已
内存模块上实现。当启用时，
软件数据保护（ SDP ） ，将防止意外写入。
该SDP功能可以被启用或由用户禁用并
随SDP禁用。
SDP是由主机系统发布一系列THRE 启用
写命令;数据的三个特定字节写入到三
具体地址（请参考软件数据保护算法） 。
写了三字节指令序列和后三元催化器后，
整个模块将被保护免受意外写
操作。应当指出，一旦受保护的主机可以
仍执行页写一个字节到模块。这是由
该数据前将要写入的相同的三个字节的命令
序用于使能的SDP 。
一旦设定， SDP将保持活跃，除非禁用
命令序列发出。电源转换不禁止
SDP和SDP将在保护32K ×32的EEPROM模块
上电和掉电条件。所有的命令序列
必须符合页写时序规范。数据
在启用和禁用命令序列不被写入到
在序列中所用的设备和存储器地址可以是
写在页写操作或者一个字节的数据。
SDP设置后，任何试图写入设备
没有3字节的命令序列将启动内部
写定时器。没有数据将被写入到设备;然而，对于
TWC的时间，读操作将有效地被投票
操作。
数据轮询
此内存模块具有数据查询来表示
在写入周期结束。在一个字节或页写周期的
未遂读取写入的最后一个字节，将导致完井
写入的数据的换货必须提交的I / O7 。一旦写
循环已经完成时，真正的数据是对所有的输出有效，并且
在下一个写周期可能开始。数据轮询可能在开始
在写入周期随时。
切换位
除了数据投票的模块提供了另一种
判定方法的一个写周期的结束。在写
操作时，连续尝试从设备读取数据会
导致1和0之间的访问模肘的I / O6 。
一旦写入完成， I / O6将停止翻转，有效
AS8E32K32
REV 。 1.5 9/99
2
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
奥斯汀半导体公司
AS8E32K32
32K ×32的EEPROM
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss电压
VCC ................................................. .........................- 。 6V至+ 6.5V
储存温度........................................- 65 ° C至+ 150 °
短路输出电流（每个I / O） ... ......................... 20毫安
任何引脚相对于Vss ..............- 。 5V至Vcc + 1 mA电压
结温** .............................................. ... + 150°C
热阻结到管壳（ θ
JC
):
封装类型Q ........................................... 11.3 ° C / W
封装类型P .............................................. 2.8 ° C / W
*强调大于"Absolute下所列
最大Ratings"可能会导致永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能的操作
化器件在这些或以上的任何其他条件
在本规范的操作部的指示
化，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
**最高结温取决于封装
式，循环时间，装载，环境温度和空气流，
和湿度。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55°C
≤
T
A
≤
125°C ; VCC = 5V ± 10 ％ ）
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输入漏电流
WE \\ CE \\
条件
符号
V
IH
V
IL
民
2
-0.5
-10
-10
-10
2.4
最大
V
CC
+.3
0.8
10
10
10
单位
V
V
A
A
A
V
笔记
1
1, 2
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
输出（S ）禁用
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
I
OH
= -.4毫安
I
OL
= 2.1毫安
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
V
CC
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
电源电压
1
1
1
0.45
4.5
5.5
V
V
描述
电源
当前位置：工作
电源
电流：待机
条件
CE \\
≤
V
IL
; V
CC
=最大
F = 5兆赫
输出打开
CE \\
≥
V
IH
;所有其它输入
≤V
IL
or
≥
V
IH
; V
CC
=最大
F = 5兆赫
CE \\
≥
V
CC
-0.2V; V
CC
=最大
V
IL
≤
V
SS
+ 0.2V或
V
IH
≥
V
CC
-0.2V ; F = 0赫兹
符号
I
CC
-90
340
最大
-120
340
-150
340
单位备注
mA
I
SBT1
12
12
12
mA
I
SBC1
1.3
1.3
1.3
mA
AS8E32K32
REV 。 1.5 9/99
3
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
奥斯汀半导体公司
AS8E32K32
32K ×32的EEPROM
亚太ITANC ê表
V
IN
= 0V ， F = 1MHz时， TA = 25℃
S y时M B 0 1 P中的RA M E TE
C
添加
C
OE
A0 - A14 apacti ANCE
OE \\ C apacti ANCE
(1)
马个IM ü米
24
24
6
12
加利其
pF
pF
pF
pF
释
4, 14
4, 14
4, 14
4, 14
C
WE
, C
CE
WE \\和权证\\ C apacti ANCE
C
IO
I / O 0 - I / O 31 C apacti ANCE
1.此参数是保证，但不tesed
真值表
模式
读
写（ 2 ）
待机/写
写禁止
写禁止
输出禁用
CE \\
V
IL
V
IL
V
IH
X
X
X
OE \\
V
IL
V
IH
X (1)
X
V
IL
V
IH
WE \\
V
IH
V
IL
X
V
IH
X
X
高Z
I / O
D
OUT
D
IN
高Z
AC测试条件
测试规范
输入脉冲电平.................................... VSS到3V
输入上升和下降时间为5ns .......................................
输入时序参考电平1.5V .............................
输出参考电平1.5V .....................................
输出负载................................见图1和图2
I
OL
电流源
设备
下
TEST
-
+
+
VZ = 1.5V
（双极
SUPPLY ）
CEFF = 50pF的
电流源
I
OH
注意事项：
VZ是可编程从-2V至+ 7V 。
I
OL
我
OH
可编程从0到16毫安。
Vz的典型Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载
电路。
AS8E32K32
REV 。 1.5 9/99
4
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
奥斯汀半导体公司
AS8E32K32
32K ×32的EEPROM
AC阅读特点
(-55°C
≤
T
A
≤
125°C ; V
CC
= 5V ±10%)
-90
符号
t
RC
t
加
t
ACS
t
CE
(1)
t
OE
(2)
t
DF
(3,4)
t
OH
参数
读周期时间
地址输出延迟
CE \\访问时间
CE \\到输出延迟
OE \\到输出延迟
CE \\或OE \\到输出高阻
从OE \\ CE \\或输出保持
地址，以先到为准
民
90
90
90
90
50
50
0
0
最大
民
120
-120
最大
民
150
120
120
120
60
60
0
-150
最大
单位
ns
150
150
150
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
交流读波形
(1,2,3)
TRC
地址
TCE
CE /
TOE
OE \\
TACC
DQ
输出有效
地址有效
TDF
TOH
注意事项：
1. CE \\可能会延迟到t
加
-t
CE
没有inpact T上的地址转换后
加
.
2. OE \\可能会延迟到t
CE
-t
OE
的CE \\无inpact对T下降沿后
CE
或用t
加
-t
OE
地址变更后
没有inpact对T
加
.
3. t
DF
从OE \\或CE \\以先到为准（C规定
L
= 5pF的） 。
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