AS7C513C
功能说明
该AS7C513C是5V高性能CMOS 524288位的静态随机存取存储器（SRAM）设备组织成
32,768字× 16位。它是专为存储应用中快速的数据存取，低功耗，以及简单的接口是
所需。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
） 12纳秒与输出使能访问时间（T
OE
）的6纳秒非常适合高
高性能的应用。
当CE为高电平时，器件进入待机模式。如果输入切换仍，设备会消耗我
SB
力。如果总线是
静态的，那么完全待机功耗达到（我
SB1
).
写周期是由断言写使能（ WE）完成，芯片使能（ CE） 。通过I / O15输入引脚上的I / O0数据
被写入的WE （写周期1）或CE （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应
驱动器I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）与写使能（ WE）高的完成，芯片使能（ CE） 。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能是无效的或
写使能处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
该器件提供多种中心电源和接地引脚，以及独立的字节使能控制，允许单个字节是
写入和读取。的LB控制较低位， I / O0通过I / O 7 ，和UB通过I / O15控制较高位，I / O8 。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作是从一个5 V单电源。该AS7C513C封装在
通用的行业标准封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与VCC应用
DC电流转换成输出（低电平）
注意：
应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
符号
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–
–55
–55
–
最大
+7.0
V
CC
+0.50
1.25
+125
+125
50
单位
V
V
W
°C
°C
mA
真值表
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
H
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
H
X
LB
X
L
H
L
L
L
H
X
H
UB
X
H
L
L
L
H
L
X
H
I/O0–I/O7
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
D
IN
高Z
高Z
I/O8–I/O15
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
D
IN
高Z
D
IN
高Z
模式
待机（我
SB
), I
SBI
)
读取I / O0 -I / O7 （我
CC
)
读取I / O8 -I / O15 （我
CC)
读取I / O0 -I / O15 （我
CC
)
写I / O0 -I / O15 （我
CC
)
写I / O0 -I / O7 （我
CC
)
写I / O8 -I / O15 （我
CC
)
禁止输出（I
CC
)
KEY：
H =高，L =低，X =无关。
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内存联盟
9 P. 2
AS7C513C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度（工业）
注意事项：
V
IL
分= -1.5V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
V
IH
最大值= V
CC
+ 2.0V为脉冲宽度小于5ns的，每秒一次循环。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
2.2
–0.5
–40
公称
5.0
–
–
–
最大
5.5
V
CC
+ 0.5
0.8
85
单位
V
V
V
o
C
直流工作特性（在工作范围内）
1
AS7C513C-12
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
|
I
LI
|
|
I
LO
|
I
CC
测试条件
V
CC
=最大，
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，CE = V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CE
≤
V
IL
, I
OUT
= 0毫安，
f = f
最大
CE
≥
V
IH ，
f = f
最大
V
CC
=最大，CE
≥
V
CC
–0.2 V,
V
IN
≤
0.2 V或
V
IN
≥
V
CC
-0.2 V，F = 0
I
OL
= 8毫安， V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安，V
CC
=分钟
V
CC
=最大，
民
–
–
最大
5
5
单位
A
A
工作电源电流
–
210
mA
I
SB
待机电源电流
I
SB1
V
OL
V
OH
–
60
mA
–
–
2.4
10
0.4
–
mA
V
V
输出电压
电容（ F = 1MHz的，T
a
= 25
°C,
V
CC
=标称）
2
参数
输入电容
I / O容量
注意：
这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CE， WE ， OE ， LB ， UB
I / O
测试条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
最大
6
7
单位
pF
pF
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AS7C513C
读周期（在整个工作范围内）
3,9
AS7C513C-12
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CE ）访问时间
输出使能（ OE ）访问时间
从地址变更输出保持
CE低到低Z输出
CE高到输出高阻
OE低到低Z输出
字节选择访问时间
字节选择低到低Z
字节选择高到高阻
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
BA
t
BLZ
t
BHZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
民
12
–
–
–
4
4
–
0
–
0
–
–
0
–
最大
–
12
12
7
–
–
6
–
7
–
6
6
–
12
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
5
4, 5
4, 5
4, 5
3
3
笔记
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义输出/无所谓
读取波形1 （地址控制）
3,6,7,9
t
RC
地址
数据
OUT
t
OH
以前的数据有效
t
AA
数据有效
t
OH
读取波形2 （ OE ， CE ， UB ， LB控制）
3,6,8,9
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OLZ
CE
t
LZ
LB ， UB
t
BLZ
数据
IN
t
BA
数据有效
t
BHZ
t
ACE
t
OHZ
t
HZ
t
OE
t
OH
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