2001年3月
AS7C513
AS7C3513
5V / 3.3V 32K × 16的CMOS SRAM
特点
AS7C513 （ 5V版）
AS7C3513 （ 3.3V版本）
工业和商业温度
组织： 32,768字× 16位
中心电源和接地引脚
高速
- 20年12月15日NS地址，访问时间
- 6,7,8 ns输出使能访问时间
低功耗：ACTIVE
- 800毫瓦（ AS7C513 ） /最大@ 12纳秒
- 432毫瓦（ AS7C3513 ） /最大@ 12纳秒
低功耗：待机
- 28毫瓦（ AS7C513 ） / MAX CMOS
- 18毫瓦（ AS7C3513 ） / MAX CMOS
2.0V数据保留
易于扩展内存通过CE ， OE输入
TTL兼容，三态I / O
44引脚JEDEC标准封装
- 400万SOJ
- 400万TSOP II
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
逻辑框图
A0
A2
A3
A4
A5
A6
A7
I/O0–I/O7
I/O8–I/O15
管脚配置
行解码器
V
CC
44引脚SOJ ， TSOP II （ 400万）
NC
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A14
A13
A12
A11
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A4
A5
A6
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
CC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A7
A8
A9
A10
NC
A1
32K × 16
ARRAY
GND
控制电路
列解码器
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
WE
UB
OE
LB
CE
选购指南
AS7C513-12
AS7C3513-12
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
阴影部分表示提前的信息。
AS7C513-15
AS7C3513-15
15
7
150
110
5
5
AS7C513
AS7C3513
I / O
卜FF器
AS7C513-20
AS7C3513-20
20
9
140
100
5
5
单位
ns
ns
mA
mA
mA
mA
12
5
AS7C513
AS7C3513
AS7C513
AS7C3513
160
120
5
5
3/23/01; v.1.0
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AS7C513
AS7C3513
功能说明
该AS7C513和AS7C3513是高性能CMOS 524288位的静态随机存取存储器（ SRAM）的组织为设备
32,768字× 16位。它们设计用于快速数据存取，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的20年12月15日NS与输出使能访问时间（T
OE
）的6,7,8 NS是理想的高
高性能的应用。该芯片使能输入端CE允许轻松扩展内存与多个银行的内存系统。
当CE为高电平时，器件进入待机模式。该AS7C513和AS7C3513保证不会超过一十八分之二十八毫瓦
在CMOS待机模式下消耗。该器件还提供2.0V数据保留。
写周期是通过发出写使能（WE ）来完成， （UB）和/或（LB ）和芯片使能（CE ） 。输入引脚上的I / O0 -I / O7数据，
和/或I / O8 -I / O15 ，被写在WE的上升沿（写周期1）或CE （写周期2）。为了防止总线冲突，外部设备
应驱动I / O引脚后，才输出已被禁用与输出使能（ OE ）和写使能（ WE） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ） ， （ UB ）和（ LB ）和芯片使能（ CE ） ，以写使能（ WE）高的完成。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能无效，或写使能
活性，或（UB）和（LB） ，输出驱动器留在高阻抗模式。
该设备提供了多个中心的电源和接地引脚，以及独立的字节使能控制，使待写入的各个字节和
读取。的LB控制较低位， I / O0 -I / O7 ，和UB控制较高位，I / O8 -I / O15 。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容。该AS7C513和AS7C3513被封装在通用的行业标准封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
设备
AS7C513
AS7C3513
符号
V
t1
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+7.0
+5.0
V
CC
+0.50
1.0
+150
+125
50
单位
V
V
V
W
o
o
C
C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
H
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
H
X
LB
X
L
H
L
L
L
H
X
H
UB
X
H
L
L
L
H
L
X
H
I/O0–I/O7
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
D
IN
高Z
高Z
I/O8–I/O15
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
D
IN
高Z
D
IN
高Z
模式
待机（我
SB
, I
SBI
)
读取I / O0 -I / O7 （我
CC
)
读取I / O8 -I / O15 （我
CC
)
读取I / O0 -I / O15 （我
CC
)
写I / O0 -I / O15 （我
CC
)
写I / O0 -I / O7 （我
CC
)
写I / O8 -I / O15 （我
CC
)
禁止输出（I
CC
)
关键：X =无关; L =低; H =高
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AS7C513
AS7C3513
读周期（在整个工作范围内）
3,9
-12
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CE ）访问时间
输出使能（ OE ）访问时间
从地址变更输出保持
CE低到低Z输出
CE高到输出高阻
OE低到低Z输出
字节选择访问时间
字节选择低到低Z
字节选择高到高阻
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
阴影部分表示提前的信息。
-15
最大
–
12
12
6
–
–
6
–
6
–
6
6
–
12
民
15
–
–
–
4
0
–
0
–
0
–
–
0
–
最大
–
15
15
7
–
–
7
–
7
–
7
7
–
15
民
20
–
–
–
4
0
–
0
–
0
–
–
0
–
-20
最大
–
20
20
8
–
–
8
–
8
–
9
9
–
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,5
4,5
4, 5
4, 5
4, 5
5
4, 5
4, 5
4, 5
3
3
笔记
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
BA
t
BLZ
t
BHZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
民
12
–
–
–
3
0
–
0
–
0
–
–
0
–
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
t
RC
地址
t
OH
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
t
OH
未定义输出/无所谓
读取波形1 （地址控制）
3,6,7,9
读取波形2 （ CE ， OE ， UB ， LB控制）
3,6,8,9
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
t
OLZ
CE
t
ACE
t
LZ
LB ， UB
t
BA
t
BLZ
数据输出
3/23/01; v.1.0
数据有效
t
BHZ
t
OHZ
t
HZ
t
OH
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