高性能
64K × 8 3.3V
CMOS SRAM
AS7C3512
低压64K × 8 CMOS SRAM
特点
组织： 65,536字×8位
单3.3 ± 0.3V电源
高速
- 20/25 ns地址访问时间
- 5/6 ns输出使能访问时间
极低功耗
- 活动： 216毫瓦最大，为20 ns周期
- 待机： 9.0毫瓦最大， CMOS I / O
2.0V数据保留
平等接入和周期时间
易于扩展内存与CE1 ， CE2和OE输入
TTL兼容，三态I / O
适用于高速缓存和便携式计算
- 在CPU空闲模式下的75％降低功耗
32引脚JEDEC标准封装
- 300万PDIP和SOJ
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
逻辑框图
VCC
GND
输入缓冲器
管脚配置
DIP ， SOJ
NC
NC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
行解码器
256×256×8
ARRAY
(524,288)
SENSE AMP
I/O0
WE
列解码器
控制
电路
OE
CE1
CE2
A A A A A A A A
8 9 10 11 12 13 14 15
选购指南
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
7C3512-20
20
5
60
2.5
7C3512-25
25
6
55
2.5
单位
ns
ns
mA
mA
半导体联盟
DID 11-20015 -A 。
AS7C3512
I/O7
版权所有1998联半导体公司。版权所有。
AS7C3512
功能说明
该AS7C3512是组织为65,536字× 8位的3.3V高性能CMOS 524,288位静态随机存取存储器（ SRAM ） 。
它是专为需要在低电压下快速数据访问，包括奔腾内存应用
和PowerPC
和便携式计算。
在不牺牲性能或运营利润率联盟的先进的电路设计和工艺技术的许可工作电压为3.3V 。
该器件进入待机模式，当CE1是高还是CE2为低。 CMOS待机模式下消耗
≤9.0
毫瓦。正常运行提供了75 ％
经初步获得降低功耗，在CPU空闲，暂停和拉伸模造成显著降低功耗。该AS7C3512报价
2.0V数据保留。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的20/25 NS与输出使能访问时间（T
OE
） 5/6 NS是理想的高
高性能的应用。活动的高和低的芯片使能（ CE1 ， CE2 ）允许轻松扩展内存与多个银行的内存
系统。
写周期是由断言写使能（ WE）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ） 。输入引脚上的I / O0 -I / O7写入数据
在WE （写周期1）和CE1和CE2是（写周期2）的活性 - 无效边缘的上升沿。为了防止总线冲突，外部
设备应该驱动的I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ） ，用写使能（ WE） HIGH 。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能无效，或写使能
活跃，输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，和5V宽容。操作是从一个单一的3.3 ± 0.3V供电。该AS7C3512封装在
所有大批量的工业标准封装。
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于GND
输入相对于电压GND
功耗
存储温度（塑料）
在偏置温度
直流输出电流
符号
V
CC
V
IN
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–
–55
–10
–
最大
+4.6
+6.0
1.0
+150
+85
20
单位
V
V
W
o
C
o
C
mA
应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个额定值仅为运行
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的值，我们不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
in
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
待机（我
SB
, I
SB1
)
输出禁用
读
写
关键： X =无关，L =低，H =高
2
DID 11-20015 -A 。
版权所有1998联半导体公司。版权所有。
AS7C3512
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
(T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
民
3.0
0.0
2.0
–0.5
典型值
3.3
0.0
-
-
最大
3.6
0.0
V
CC
+ 0.5
0.8
单位
V
V
V
V
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
V
IL
分= -2.0V脉冲宽度小于T
RC
/2.
直流工作特性
1
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
当前
备用电源
当前
输出电压
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
I
CC
I
SB
I
SB1
V
OL
V
OH
(V
CC
= 3.3 ± 0.3V ， GND = 0V ，T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
-20
测试条件
V
CC
=最大，V
in
= GND到V
CC
CE1 = V
IH
or
CE2 = V
IL
, V
CC
=最大，
V
OUT
= GND到V
CC
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
,
f
=
f
最大，
I
OUT
= 0毫安
CE1 = V
IH
or
CE2 = V
IL
,
f
=
f
最大
CE1
≥
V
CC
–0.2V
or
CE2
≤
0.2V,
V
in
≤
0.2V
or
V
in
≥
V
CC
–0.2V,
f
= 0
I
OL
= 8毫安， V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安，V
CC
=分钟
民
–
–
–
–
–
–
2.4
最大
1
1
60
20
2.5
0.4
–
民
–
–
–
–
–
–
2.4
-25
最大
1
1
55
20
2.5
0.4
–
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
电容
2
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CE1 ， CE2 ， WE ， OE
I / O
（ F = 1 MHz时，T
a
=室温，V
CC
= 3.3V)
测试条件
V
in
= 0V
V
in
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
3
DID 11-20015 -A 。
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AS7C3512
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义输出/无所谓
读周期
3,9,12
-20
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CE1 ）访问时间
芯片使能（ CE2 ）访问时间
输出使能（ OE ）访问时间
从地址变更输出保持
芯片使能（ CE1 ）在低Z输出
芯片使能（ CE2 ）在低Z输出
芯片被禁止（ CE1 ）在高Z输出
芯片被禁止（ CE2 ）在高Z输出
输出使能到输出中低Z
输出禁止到输出中高Z
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
符号
t
RC
t
AA
t
ACE1
t
ACE2
t
OE
t
OH
t
CLZ1
t
CLZ2
t
CHZ1
t
CHZ2
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
民
20
–
–
–
–
3
3
3
–
–
0
–
0
–
最大
–
20
20
20
5
–
–
–
5
5
–
5
–
20
(V
CC
= 3.3 ± 0.3V ， GND = 0V ，T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
-25
民
25
–
–
–
–
3
3
3
–
–
0
–
0
–
最大
–
25
25
25
6
–
–
–
6
6
–
6
–
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
3
3, 12
3, 12
5
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5
4, 5
4, 5, 12
4, 5, 12
读取波形1
3,6,7,9,12
t
RC
地址
t
AA
D
OUT
数据有效
t
OH
地址控
读取波形2
3,6,8,9,12
t
RC1
CE1
CE2
t
OE
OE
t
OLZ
D
OUT
t
ACE1,
t
ACE2
数据有效
t
CLZ1,
t
CLZ2
供应
当前
t
PU
50%
t
PD
50%
t
OHZ
t
CHZ1 ， tCHZ2
CE1和CE2控制
I
CC
I
SB
4
DID 11-20015 -A 。
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AS7C3512
写周期
11,12
-20
参数
写周期时间
芯片使能（ CE1 ）写结束
芯片使能（ CE2 ）写结束
地址设置写到底
地址建立时间
把脉冲宽度
从写结束地址保持
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
从输出的写端活跃
符号
t
WC
t
CW1
t
CW2
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
民
20
12
12
12
0
12
0
10
0
–
3
(V
CC
= 3.3 ± 0.3V ， GND = 0V ，T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
-25
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
–
民
25
15
15
15
0
15
0
12
0
–
3
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
–
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5
4, 5
4, 5
12
笔记
12
12
写波形1
10,11,12
t
WC
t
AW
地址
t
WP
WE
t
AS
D
in
t
WZ
D
OUT
t
DW
数据有效
t
OW
t
DH
t
AH
我们控制
写波形2
10,11,12
t
WC
t
AW
地址
t
AS
CE1
CE2
t
WP
WE
t
WZ
D
in
D
OUT
t
DW
数据有效
t
DH
t
CW1,
t
CW2
t
AH
CE1和CE2控制
5
DID 11-20015 -A 。
版权所有1998联半导体公司。版权所有。
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