AS7C34096A
功能说明
该AS7C34096A是一个高性能的CMOS 4194304位的静态随机存取存储器（SRAM）设备组织成
524288字× 8位。它是专为存储应用中快速的数据存取，低功耗，以及简单的接口是
所需。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
的） 4/5/6/7 NS是
非常适合高性能应用。该芯片使能输入端CE允许轻松扩展内存与多个银行的内存
系统。
当CE为高电平时，器件进入待机模式。该装置可保证不超过28.8mW功率消耗在
CMOS待机模式。
写周期是由断言写使能（ WE）完成，芯片使能（ CE） 。输入引脚上的I / O1 -I / O8写入数据
上的WE （写周期1）或CE （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应该驱动I / O引脚
只有在输出已被禁用与输出使能（ OE ）和写使能（ WE） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）来实现和芯片使能（ CE ） ，以写使能（ WE）高。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能是无效的，或写
使处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作是从一个单一的3.3V电源电压。这个设备可以作为
每个行业标准的400密耳的36引脚SOJ和44引脚TSOP封装2 。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
温度V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
符号
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–
–65
–55
–
最大
+5.0
V
CC
+0.5
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
W
°C
°C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的tional操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
关键： X =无关，L =低，H =高
8/17/04, v. 2.1
半导体联盟
9 P. 2
AS7C34096A
推荐运行条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境
温度
广告
产业
符号
V
CC
(10/12/15/20)
V
IH **
V
IL *
T
A
T
A
民
3.0
2.0
–0.5
0
–40
公称
3.3
–
–
–
–
最大
3.6
V
CC
+ 0.5
0.8
70
85
单位
V
V
V
°C
°C
* V MIN = -1.0V脉冲宽度小于5ns的。
**
IL
V
IH
最大值= V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度小于5ns的。
直流工作特性（在工作范围内）
1
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
工作电源
电源电流
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
I
CC
I
SB
待机功耗
电源电流
I
SB1
V
OL
V
OH
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，CE = V
IH
V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最大，CE
≤
V
IL
f = f
最大
, I
OUT
= 0毫安
产业
广告
–10
–12
–15
–20
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
–
–
–
-
–
1
1
180
170
60
–
–
–
-
–
1
1
160
150
60
–
–
–
-
–
1
1
140
130
60
–
–
–
-
–
1
1
110
100
60
A
A
mA
mA
mA
V
CC
=最大，CE
≥
V
IH ，
f = f
最大
V
CC
=最大，
CE
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
– 0.2V,
f=0
I
OL
= 8毫安， V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安，V
CC
=分钟
–
8
–
8
–
8
–
8
mA
输出电压
–
2.4
0.4
–
–
2.4
0.4
–
–
2.4
0.4
–
–
2.4
0.4
–
V
V
电容
（ F = 1MHz的，T
a
= 25 ° C，V
CC
=标称）
2
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CE， WE ， OE
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
8/17/04, v. 2.1
半导体联盟
9 P. 3
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