【2004年8月AS7C34096A3.3V 512K × 8 CMOS SRAM特点引脚兼容AS7C】,IC型号AS7C34096A-10JC,AS7C34096A-10JC PDF资料,AS7C34096A-10JC经销商,ic,电子元器件-51电子网

2004年8月

AS7C34096A

3.3V 512K × 8 CMOS SRAM

特点

引脚兼容AS7C34096

工业和商业温度

组织： 524,288字×8位

中心电源和接地引脚

高速

- 10/12/15/20 ns地址访问时间

- 4/5/6/7 ns输出使能访问时间

平等接入和周期时间

易于扩展内存通过CE ， OE输入

TTL兼容，三态I / O

JEDEC标准封装

ESD保护

≥

2000伏

闩锁电流

≥

200毫安

- 400万36引脚SOJ

- 44引脚TSOP 2

低功耗：ACTIVE

- 650毫瓦/ MAX @ 10纳秒

管脚配置

s

36引脚SOJ （ 400万）

A0

A1

A2

A3

A4

CE

I/O1

I/O2

V

CC

GND

I/O3

I/O4

WE

A5

A6

A7

A8

A9

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

NC

A18

A17

A16

A15

OE

I/O8

I/O7

GND

V

CC

I/O6

I/O5

A14

A13

A12

A11

A10

NC

低功耗：待机

- 28.8毫瓦/ MAX CMOS

逻辑框图

V

CC

GND

输入缓冲器

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

行解码器

524,288 × 8

ARRAY

(4,194,304)

SENSE AMP

I/O1

44针TSOP 2

I/O8

NC

A0

A1

A2

A3

A4

CE

I/O1

I/O2

V

CC

GND

I/O3

I/O4

WE

A5

A6

A7

A8

A9

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

NC

A18

A17

A16

A15

OE

I/O8

I/O7

GND

V

CC

I/O6

I/O5

A14

A13

A12

A11

A10

NC

列解码器

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

A17

A18

控制

电路

WE

OE

CE

选购指南

最大地址访问时间

最大outputenable访问时间

最大工作电流

最大的CMOS待机电流

产业

–10

10

4

180

170

8

–12

12

5

160

150

8

–15

15

6

140

130

8

–20

20

7

110

100

8

单位

ns

mA

8/17/04, v. 2.1

半导体联盟

9 P. 1

AS7C34096A

功能说明

该AS7C34096A是一个高性能的CMOS 4194304位的静态随机存取存储器（SRAM）设备组织成

524288字× 8位。它是专为存储应用中快速的数据存取，低功耗，以及简单的接口是

所需。

平等地址访问和周期时间（T

AA

, t

RC

, t

WC

）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T

OE

的） 4/5/6/7 NS是

非常适合高性能应用。该芯片使能输入端CE允许轻松扩展内存与多个银行的内存

系统。

当CE为高电平时，器件进入待机模式。该装置可保证不超过28.8mW功率消耗在

CMOS待机模式。

写周期是由断言写使能（ WE）完成，芯片使能（ CE）。输入引脚上的I / O1 -I / O8写入数据

上的WE （写周期1）或CE （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应该驱动I / O引脚

只有在输出已被禁用与输出使能（ OE ）和写使能（ WE）。

读周期是由断言输出使能（ OE ）来实现和芯片使能（ CE ），以写使能（ WE）高。该芯片

驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能是无效的，或写

使处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。

所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作是从一个单一的3.3V电源电压。这个设备可以作为

每个行业标准的400密耳的36引脚SOJ和44引脚TSOP封装2 。

绝对最大额定值

参数

在V电压

CC

相对于GND

任何引脚相对于GND电压

功耗

存储温度（塑料）

温度V

CC

应用的

DC电流转换成输出（低电平）

符号

V

t1

V

t2

P

D

T

英镑

T

BIAS

I

OUT

民

–0.5

–

–65

–55

–

最大

+5.0

V

CC

+0.5

1.0

+150

+125

20

单位

V

W

°C

mA

注：应力大于那些在上市

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的tional操作不暗示。接触

绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。

真值表

CE

H

L

WE

X

H

L

OE

X

H

L

X

数据

高Z

D

OUT

D

IN

模式

待机（我

SB

, I

SB1

)

禁止输出（I

CC

)

阅读（我

CC

)

写（我

CC

)

关键： X =无关，L =低，H =高

8/17/04, v. 2.1

半导体联盟

9 P. 2

AS7C34096A

推荐运行条件

参数

电源电压

输入电压

工作环境

温度

产业

符号

V

CC

(10/12/15/20)

V

IH **

V

IL *

T

A

T

A

民

3.0

2.0

–0.5

0

–40

公称

3.3

–

最大

3.6

V

CC

+ 0.5

0.8

70

85

单位

V

°C

* V MIN = -1.0V脉冲宽度小于5ns的。

**

IL

V

IH

最大值= V

CC

+ 2.0V的脉冲宽度小于5ns的。

直流工作特性（在工作范围内）

1

参数

输入漏

当前

输出漏

当前

工作电源

电源电流

符号

|I

LI

|

|I

LO

|

I

CC

I

SB

待机功耗

电源电流

I

SB1

V

OL

V

OH

测试条件

V

CC

=最大，V

IN

= GND到V

CC

V

CC

=最大，CE = V

IH

V

OUT

= GND到V

CC

V

CC

=最大，CE

≤

V

IL

f = f

最大

, I

OUT

= 0毫安

产业

–10

–12

–15

–20

最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位

–

-

–

1

180

170

60

–

-

–

1

160

150

60

–

-

–

1

140

130

60

–

-

–

1

110

100

60

A

mA

V

CC

=最大，CE

≥

V

IH ，

f = f

最大

V

CC

=最大，

CE

≥

V

CC

– 0.2V,

V

IN

≤

0.2V或V

IN

≥

V

CC

– 0.2V,

f=0

I

OL

= 8毫安， V

CC

=分钟

I

OH

= -4毫安，V

CC

=分钟

–

8

–

8

–

8

–

8

mA

输出电压

–

2.4

0.4

–

2.4

0.4

–

2.4

0.4

–

2.4

0.4

–

V

电容

（ F = 1MHz的，T

a

= 25 ° C，V

CC

=标称）

2

参数

输入电容

I / O容量

符号

C

IN

C

I / O

信号的

A， CE， WE ， OE

I / O

测试条件

V

IN

= 0V

V

IN

= V

OUT

= 0V

最大

5

7

单位

pF

8/17/04, v. 2.1

半导体联盟

9 P. 3

AS7C34096A

读周期（在整个工作范围内）

3,9

参数

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（ CE ）访问时间

输出使能（ OE ）访问时间

从地址变更输出保持

CE低到低Z输出

CE高到输出高阻

OE低到低Z输出

OE高到高Z输出

电时间

关机时间

符号

t

RC

t

AA

t

ACE

t

OE

t

OH

t

CLZ

t

CHZ

t

OLZ

t

OHZ

t

PU

t

PD

–10

民

最大

10

–

3

–

0

–

0

–

10

4

–

5

–

5

–

10

–12

民

最大

12

–

3

–

0

–

0

–

12

5

–

6

–

6

–

12

–15

民

最大

15

–

3

–

0

–

0

–

15

6

–

7

–

7

–

15

–20

民

最大

20

–

3

–

0

–

0

–

20

7

–

9

–

9

–

20

单位注

ns

5

4, 5

3

关键开关波形

瑞星输入

下降输入

未定义/无所谓

读取波形1 （地址控制）

3,6,7,9

t

RC

地址

t

AA

D

OUT

数据有效

t

OH

读取波形2 （ CE ， OE控制）

3,6,8,9

t

RC1

CE

t

OE

t

OLZ

t

ACE

D

OUT

t

CLZ

供应

当前

t

PU

50%

数据有效

t

PD

50%

I

CC

I

SB

t

OHZ

t

CHZ

8/17/04, v. 2.1

半导体联盟

9 P. 4

AS7C34096A

写周期（在整个工作范围内）

10

参数

写周期时间

芯片使能（ CE）写结束

地址设置写到底

地址建立时间

把脉冲宽度（ OE =高）

写脉冲宽度（ OE =低

从写结束地址保持

写恢复时间

有效的数据写入结束

数据保持时间

写使能到输出中高Z

从输出的写端活跃

–10

符号最小值

最大

t

WC

t

CW

t

AW

t

AS

t

WP1

t

WP2

t

AH

t

WR

t

DW

t

DH

t

WZ

t

OW

10

7

0

7

10

0

5

0

3

–

5

–

–12

民

最大

12

8

0

8

12

0

6

0

3

–

6

–

–15

民

最大

15

10

0

10

15

0

7

0

3

–

7

–

–20

民

最大

20

12

0

12

20

0

9

0

3

–

9

–

单位注

ns

4, 5

写波形1 （我们控制）

10

t

WC

t

AW

地址

t

WP

WE

t

AS

D

IN

t

WZ

D

OUT

t

DW

数据有效

t

OW

t

DH

t

WR

t

AH

8/17/04, v. 2.1

半导体联盟

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