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2005年1月
AS7C4096
AS7C34096
5V / 3.3V 512K × 8 CMOS SRAM
特点
AS7C4096 ( 5V版)
AS7C34096 ( 3.3V版本)
工业和商业温度
组织: 524,288字×8位
中心电源和接地引脚
高速
- 10/12/15/20 ns地址访问时间
- 5/6/7/8 ns输出使能访问时间
低功耗:待机
- 110毫瓦( AS7C4096 ) / MAX CMOS
- 72毫瓦( AS7C34096 ) / MAX CMOS
平等接入和周期时间
易于扩展内存通过CE , OE输入
TTL兼容,三态I / O
JEDEC标准封装
ESD保护
2000伏
闩锁电流
百毫安
- 400万36引脚SOJ
- 44引脚TSOP 2
低功耗:ACTIVE
- 1375兆瓦( AS7C4096 ) /最大@ 12纳秒
- 576毫瓦( AS7C34096 ) /最大@ 10纳秒
逻辑框图
V
CC
GND
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
I/O1
管脚配置
s
36引脚SOJ ( 400万)
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O1
I/O2
V
CC
GND
I/O3
I/O4
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O8
I/O7
GND
V
CC
I/O6
I/O5
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O1
I/O2
V
CC
GND
I/O3
I/O4
WE
A5
A6
A7
A8
A9
NC
NC
44针TSOP 2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O8
I/O7
GND
V
CC
I/O6
I/O5
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
NC
行解码器
524,288 × 8
ARRAY
(4,194,304)
SENSE AMP
I/O8
列解码器
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
WE
OE
CE
控制
电路
选购指南
最大地址访问时间
最大outputenable访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
AS7C4096
AS7C34096
AS7C4096
AS7C34096
–10
10
5
160
20
–12
12
6
250
130
20
20
–15
15
7
220
110
20
20
–20
20
8
180
100
20
20
单位
ns
ns
mA
mA
mA
mA
1/13/05; v.1.9
半导体联盟
9 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS7C4096
AS7C34096
功能说明
该AS7C4096和AS7C34096是高性能的CMOS 4194304位的静态随机存取存储器(SRAM)器件
组织为524288字×8位。它们设计用于存储应用中的快速数据存取,低功耗,简单
接口是期望的。
平等地址访问和周期时间(T
AA
, t
RC
, t
WC
)的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间(T
OE
的) 5/6/7/8 NS是
非常适合高性能应用。该芯片使能输入端CE允许轻松扩展内存与多个银行
内存系统。
当CE为高电平时,器件进入待机模式。该AS7C4096 / AS7C34096保证不超过七十二分之一百十毫瓦
在CMOS待机模式下消耗。
写周期是由断言写使能( WE)完成,芯片使能( CE) 。输入引脚上的I / 01 -I / O8是数据
写在WE (写周期1)或CE (写周期2)的上升沿。为了防止总线冲突,外部设备应该推动I /
O引脚后,才输出已被禁用与输出使能( OE )和写使能( WE) 。
读周期是由断言输出使能( OE )来实现和芯片使能( CE ) ,以写使能( WE)高。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能无效,或
写使能处于活动状态,输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的,并且操作是从一个单5V ( AS7C4096 )或3.3V ( AS7C34096 )
供应量。两款器件都采用JEDEC标准的400万的36引脚SOJ和44引脚TSOP封装2 。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
储存温度
温度V
CC
应用的
对输出直流电流(低)
设备
AS7C4096
AS7C34096
符号
V
t1
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
–1
–0.5
–0.5
–65
–55
最大
+7.0
+5.0
V
CC
+0.5
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
V
W
°C
°C
mA
注:应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的tional操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机(我
SB
, I
SB1
)
禁止输出(I
CC
)
阅读(我
CC
)
写(我
CC
)
关键: X =无关,L =低,H =高
1/13/05; v.1.9
半导体联盟
9 P. 2
AS7C4096
AS7C34096
推荐运行条件
参数
电源电压
设备
AS7C4096
AS7C34096
AS7C34096
AS7C4096
AS7C34096
符号
V
CC
(12/15/20)
V
CC
(10)
V
CC
(12/15/20)
V
IH
V
IH
V
IL1
T
A
T
A
4.5
3.15
3.0
2.2
2.0
–0.5
0
–40
公称
5.0
3.30
3.3
最大
5.5
3.6
3.6
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.5
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
V
V
°C
°C
输入电压
工作环境
温度
广告
产业
1 V
IL
分= -1.0V脉冲宽度小于5ns的。
直流工作特性(在工作范围内)
1
参数符号
输入漏
当前
产量
泄漏
当前
操作
电源
当前
待机
电源
当前
产量
电压
|I
LI
|
|I
LO
|
测试条件
V
CC
=最大,V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大,CE = V
IH
V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最大,CE < V
IL
f = f
最大
, I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大,CE = V
IH
f = f
最大
, I
OUT
= 0毫安
设备
AS7C4096/
AS7C34096
AS7C4096/
AS7C34096
AS7C4096
AS7C34096
AS7C4096
AS7C34096
AS7C4096
–10
–12
–15
–20
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
1
1
160
60
20
0.4
2.4
1
1
250
130
60
60
20
20
0.4
2.4
1
1
220
110
60
60
20
20
0.4
2.4
1
1
A
A
180毫安
100
60
60
20
20
0.4
mA
mA
V
V
I
CC
I
SB
I
SB1
V
OL
V
OH
V
CC
=最大,
CE
V
CC
– 0.2V, V
IN
0.2V或V
IN
AS7C34096
V
CC
- 0.2V , F = 0
I
OL
= 8毫安, V
CC
=分钟
AS7C4096/
I
OH
= -4毫安,V
CC
=分钟
AS7C34096 2.4
电容
( F = 1MHz的,T
A
= 25 ° C,V
CC
=标称)
2
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A, CE, WE , OE
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
1/13/05; v.1.9
半导体联盟
9 P. 3
AS7C4096
AS7C34096
读周期(在整个工作范围内)
3,9
–10
Symbo
l
参数
最大
读周期时间
t
RC
10
地址访问时间
t
AA
10
芯片使能( CE )访问时间
t
ACE
10
输出使能( OE )访问时间
t
OE
5
从地址变更吨输出保持
OH
3
CE低到低Z输出
t
CLZ
3
CE高到输出高阻
t
CHZ
5
OE低到低Z输出
t
OLZ
0
OE高到高Z输出
t
OHZ
5
电时间
t
PU
0
关机时间
t
PD
10
–12
最大
12
12
12
6
3
3
6
0
6
0
12
–15
最大
15
15
15
7
3
0
7
0
7
0
15
–20
最大
20
20
20
8
3
0
9
0
9
0
20
单位注
ns
ns
3
ns
3
ns
ns
5
ns
4, 5
ns
4, 5
ns
4, 5
ns
4, 5
ns
4, 5
ns
4, 5
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义/无所谓
读取波形1 (地址控制)
3,6,7,9
t
RC
地址
t
AA
D
OUT
数据有效
t
OH
读取波形2 ( CE , OE控制)
3,6,8,9
t
RC1
CE
t
OE
OE
t
OLZ
t
ACE
D
OUT
t
CLZ
供应
当前
t
PU
50%
数据有效
t
PD
50%
I
CC
I
SB
t
OHZ
t
CHZ
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半导体联盟
9 P. 4
AS7C4096
AS7C34096
写周期(在整个工作范围内)
11
–10
参数
符号最小值
最大
写周期时间
t
WC
10
芯片使能( CE)写结束
t
CW
7
地址设置写到底
t
AW
7
地址建立时间
t
AS
0
把脉冲宽度( OE =高)
t
WP1
7
写脉冲宽度( OE =低
t
WP2
10
从写结束地址保持
t
AH
0
写恢复时间
t
WR
0
有效的数据写入结束
t
DW
5
数据保持时间
t
DH
0
写使能到输出中高Z
t
WZ
0
5
从输出的写端活跃
t
OW
3
–12
最大
12
8
8
0
8
12
0
0
6
0
0
6
3
–15
最大
15
10
10
0
10
15
0
0
7
0
0
7
3
–20
最大
20
12
12
0
12
20
0
0
9
0
0
9
3
单位注
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5
ns
4, 5
ns
4, 5
写波形1 (我们控制)
10,11
t
WC
t
AW
地址
WE
t
AS
D
IN
t
WZ
D
OUT
t
WP
t
DW
数据有效
t
OW
t
DH
t
WR
t
AH
写波形2 ( CE控制)
10,11
t
WC
t
AW
地址
t
AS
CE
WE
t
WZ
D
IN
D
OUT
t
WP
t
DW
数据有效
t
DH
t
CW
t
WR
t
AH
1/13/05; v.1.9
半导体联盟
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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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