2004年11月
AS7C33512FT18A
3.3V 512K
×
18流通式同步SRAM
特点
组织： 524,288字× 18位
快速时钟到数据存取： 7.5 / 8.5 / 10ns的
快速OE访问时间： 3.5 / 4.0纳秒
完全同步的流通操作
异步输出使能控制
可提供100引脚TQFP封装
单个字节的写入和全局写
多芯片能够很容易地扩展
3.3V内核电源
2.5V或3.3V的I /带独立VDDQ O操作
线性或交错突发控制
贪睡模式，降低功耗，待机
常见的数据输入和数据输出
逻辑框图
LBO
CLK
ADV
ADSC
ADSP
A[18:0]
CLK
CS
CLR
突发的逻辑
Q
19
CS
地址
注册
CLK
D
19
17 19
512K ×18
内存
ARRAY
18
18
GWE
BW
b
BWE
BW
a
CE0
CE1
CE2
D
DQB
Q
CLK
D
DQA
Q
字节写
注册
字节写
CLK
D
注册
启用
注册
2
OE
Q
CE
CLK
ZZ
产量
注册
CLK
输入
注册
CLK
动力
下
D
启用
Q
延迟
注册
CLK
OE
18
DQ [ A，B]
选购指南
最小周期时间
最大时钟存取时间
最大工作电流
最大待机电流
最大的CMOS待机电流（DC）的
-75
8.5
7.5
300
110
30
-85
10
8.5
275
100
30
-10
12
10
250
90
30
单位
ns
ns
mA
mA
mA
11/30/04, v 1.1
半导体联盟
1 19
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS7C33512FT18A
8 Mb的同步SRAM产品列表
1,2
ORG
512KX18
256KX32
256KX36
512KX18
256KX32
256KX36
512KX18
256KX32
256KX36
512KX18
256KX32
256KX36
512KX18
256KX32
256KX36
产品型号
AS7C33512PFS18A
AS7C33256PFS32A
AS7C33256PFS36A
AS7C33512PFD18A
AS7C33256PFD32A
AS7C33256PFD36A
AS7C33512FT18A
AS7C33256FT32A
AS7C33256FT36A
AS7C33512NTD18A
AS7C33256NTD32A
AS7C33256NTD36A
AS7C33512NTF18A
AS7C33256NTF32A
AS7C33256NTF36A
模式
PL- SCD
PL- SCD
PL- SCD
PL- DCD
PL- DCD
PL- DCD
FT
FT
FT
NTD -PL
NTD -PL
NTD -PL
NTD -FT
NTD -FT
NTD -FT
速度
133分之166兆赫
133分之166兆赫
133分之166兆赫
133分之166兆赫
133分之166兆赫
133分之166兆赫
7.5 / 8.5 / 10纳秒
7.5 / 8.5 / 10纳秒
7.5 / 8.5 / 10纳秒
133分之166兆赫
133分之166兆赫
133分之166兆赫
7.5 / 8.5 / 10纳秒
7.5 / 8.5 / 10纳秒
7.5 / 8.5 / 10纳秒
1内核电源： VDD = 3.3V + 0.165V
2 I / O电源电压： VDDQ = 3.3V + 0.165V的3.3VI / O
VDDQ = 2.5V + 0.125V为2.5V的I / O
PL- SCD
PL- DCD
FT
新台币
1
-pl
NTD -FT
:
:
:
:
:
流水线突发同步SRAM - 单周期取消
流水线突发同步SRAM - 双循环取消
流过突发同步SRAM
流水线突发同步SRAM与NTD
TM
流过突发同步SRAM与NTD
TM
1NTD ：没有周转时间。新台币
TM
是联盟半导体公司的商标。本文档中提及的所有商标都归
其各自所有者。
11/30/04, v 1.1
半导体联盟
2 19
AS7C33512FT18A
功能说明
该AS7C33512FT18A是组织为高性能CMOS 8兆位的同步静态随机存取存储器（SRAM）器件
524,288字× 18位。
8.5 / 10月12日ns的时钟存取时间短的循环时间（T
CD
） 7.5 / 8.5 / 10ns的。三芯片使能（ CE ）输入允许轻松扩展内存。
被启动以两种方式之一突发工作：控制器地址选通（ ADSC） ，或者处理器地址选通（ ADSP ） 。爆
提前销（ ADV ）允许后续内部产生爆裂地址。
读周期开始与ADSP （不论WE和ADSC的）使用新的外部地址读入片内地址寄存器
当ADSP采样为低电平时，芯片使取样积极的，与输出缓冲器使能OE 。在一读操作时，数据
通过CLK的上升沿，在地址寄存器中登记的当前地址访问被输送到数据输出缓冲器。 ADV是
被忽略的时钟边沿采样ADSP断言，但在取样的所有后续时钟边沿。地址是内部递增
突发的下一个访问时， ADV采样为低，这两个地址选通脉冲高。突发模式可选择与LBO输入。同
LBO未连接或驱动为高，突发操作使用交错式计数序列。与LBO驱动为低电平时，器件采用一个线性计数
序列。
写周期被禁用输出缓冲器， OE和主张写命令执行。全局写使能GWE写入所有18
比特无论个人BW [ A，B]投入的状态。交替地，当GWE高时，一个或多个字节可以被写入通过断言BWE
及相应的单个字节BWN信号。
BWN被忽略的时钟沿采样ADSP低，但它被采样，所有随后的时钟边沿。输出缓冲器被禁用时，
无论OE BWN采样为低电平。数据移入数据输入寄存器时BWN采样为低电平。地址递增
在内部的一个突发地址，如果BWN和ADV采样低。
读或写周期也可以与ADSC代替ADSP启动。与ADSC和ADSP启动周期之间的差异
随之而来。
ADSP必须采样为高电平时， ADSC采样为低电平启动与ADSC一个周期。
WE信号进行采样的时钟沿采样ADSC低（和ADSP高） 。
主控芯片使CE0块ADSP ，但不ADSC 。
该AS7C33512FT18A家庭工作在3.3V核心电源。 I / O的使用能够在2.5V或3.3V操作一个单独的电源。
这些器件采用100引脚TQFP封装。
TQFP电容
参数
输入电容
I / O容量
*保证不会测试
符号
C
IN
*
C
I / O
*
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
-
-
最大
5
7
单位
pF
pF
TQFP封装热阻
描述
热阻
（结到环境）
1
热阻
（结到外壳顶部的）
1
1 ，该参数被采样
条件
1–layer
测试条件遵循的标准试验方法和
用于测量热阻抗程序，
按照EIA / JESD51
4–layer
符号
θ
JA
θ
JA
θ
JC
典型
40
22
8
单位
° C / W
° C / W
° C / W
11/30/04, v 1.1
半导体联盟
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AS7C33512FT18A
信号说明
针
CLK
A,A0,A1
DQ [ A，B]
CE0
CE1 ， CE2
ADSP
ADSC
ADV
GWE
BWE
BW [ A，B]
OE
LBO
ZZ
NC
I / O
I
I
I / O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
-
性能
时钟
SYNC
SYNC
SYNC
SYNC
SYNC
SYNC
SYNC
SYNC
SYNC
SYNC
ASYNC
STATIC
ASYNC
-
描述
时钟。除了OE ， ZZ和LBO所有的输入是同步的这个时钟。
地址。采样时，所有的芯片能够被激活，当ADSC或ADSP断言。
数据。驱动作为输出时，该芯片被使能，当OE为活动状态。
主控芯片使能。采样时钟边沿时， ADSP和ADSC有效。当CE0是无效的，
ADSP被阻止。请参阅“同步真值表”的详细信息。
同步芯片启用，高和低电平，分别激活。采样时钟边沿时，
ADSC有效，或当CE0和ADSP活跃。
地址选通处理器。置为低电平来加载一个新的地址或进入待机模式。
地址选通控制。置为低电平来加载一个新的地址或进入待机模式。
提前。低电平持续一阵读/写。
全局写使能。置为低电平写入所有18位。当高， BWE和BW [ A，B]控制写入
启用。
字节写使能。置为低电平与GWE高，使BW [ A，B]投入的效果。
写使能。用于控制单个字节写入时， GWE高， BWE低。如果任一
BW [A，B ]为活性与GWE高和BWE低，周期为写周期。如果所有BW [ A，B]是无效的，
该周期是读周期。
异步输出使能。 I / O引脚被驱动时， OE处于活动状态，芯片处于读模式。
选择连拍模式。当连接到V
DD
或悬空，设备遵循交错突发秩序。当
驱动为低电平，器件如下的线性突发顺序。
这个信号被拉高。
贪睡。放置器件进入低功耗模式;数据将被保留。连接至GND ，如果未使用。
无连接
贪睡模式
暂停模式是低电流，其中，所述装置被取消和电流掉电模式减少到我
SB2
。的持续时间
暂停模式是由时间的长短ZZ处于高状态所决定的。
该ZZ引脚是异步的，积极的高投入，导致设备进入暂停模式。
当ZZ引脚变为逻辑高电平，我
SB2
经过时间t可保证
ZZI
得到满足。进入暂停模式后，除ZZ所有输入为
残疾人和所有输出到高阻。任何操作进入暂停模式时挂起，不能保证成功完成。
因此，暂停模式（读或写）不能启动，直到有效的未决操作完成。同样，在退出的时候
吨在暂停模式
PUS
只有取消选定或读周期，而SRAM被转换了瞌睡模式应给予。
11/30/04, v 1.1
半导体联盟
5 19
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