AS7C332MPFD18A
功能说明
该AS7C332MPFD18A是一个高性能的CMOS 32兆位的同步静态随机存取存储器（SRAM）器件
组织为2,097,152字× 18位。它包括一个两阶段的寄存器的寄存器流水线对任何给定的最高频率
技术。
5 /6 / 7.5 ns的时钟存取时间短的循环时间（T
CD
） 3.1 / 3.5 / 3.8纳秒能200166和133MHz的总线频率。
三芯片使能（ CE ）输入允许轻松扩展内存。被启动以两种方式之一突发工作：控制器
地址选通（ ADSC） ，或者处理器地址选通（ ADSP ） 。突发提前引脚（ ADV ）允许后续内部
产生爆裂地址。
读周期开始与ADSP （无论WE和ADSC的）使用新的外部地址锁存到芯片上的
地址时， ADSP采样寄存器低，芯片使采样活跃，输出缓冲器使能OE 。在
读操作时，访问由被CLK的上升沿，在地址寄存器中登记的当前地址中的数据
输送到数据输出寄存器和驱动输出引脚上在CLK的下一个上升沿。 ADV是在时钟被忽略
边缘的样品ADSP断言，但被采样的所有后续时钟边沿。地址是在内部增加下一个
突发的访问时， ADV采样低，这两个地址选通脉冲高。突发模式可选择与
LBO
输入。
同
LBO
未连接或驱动为高电平，突发操作使用交错式计数序列。同
LBO
驱动为低电平时，器件
使用线性计数序列。
写周期被禁用输出缓冲器， OE和主张写命令执行。全局写使能
GWE写个人BW [ A，B]的输入状态的所有18位不分。交替地，当GWE高时，一个或多个字节
可被写入通过断言BWE及相应单个字节BWN信号。
BWN被忽略的时钟沿采样ADSP低，但它被采样，所有随后的时钟边沿。输出缓冲器是
当BWN无论是OE的采样为低电平禁用。数据移入数据输入寄存器时BWN采样为低电平。
地址是内部递增到下一个突发地址，如果BWN和ADV采样低。该器件工作在双
在读周期循环取消功能。
读或写周期也可以与ADSC代替ADSP启动。与ADSC启动周期之间的差异
和ADSP随之而来。
ADSP必须进行采样时，高ADSC采样为低电平启动与ADSC一个周期。
WE信号进行采样的时钟沿采样ADSC低（和ADSP高） 。
主控芯片使CE0块ADSP ，但不ADSC 。
该AS7C332MPFD18A家庭工作在3.3V核心电源。的I / O使用，可以在操作一个单独的电源
2.5V或3.3V 。这些器件采用100引脚TQFP封装。
TQFP电容
参数
输入电容
I / O容量
*保证不会测试
符号
C
以*
C
I / O *
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
-
-
最大
5
7
单位
pF
pF
TQFP封装热阻
描述
热阻
（结到环境）
1
热阻
（结到外壳顶部的）
1
1 ，该参数被采样
条件
测试条件遵循的标准测试方法
以及用于测量热过程
阻抗，按照EIA / JESD51
1–layer
4–layer
符号
θ
JA
θ
JA
θ
JC
典型
40
22
8
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2/10/05,
v.1.1
半导体联盟
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