2001年3月

AS7C33256PFS16A

AS7C33256PFS18A

3.3V 256K

×

16/18管道爆裂的同步SRAM

特点

组织： 262,144字× 16位或18位

快速的时钟速度为166兆赫的LVTTL / LVCMOS

快速时钟到数据存取： 3.5 / 3.8 / 4.0 / 5.0纳秒

快速OE访问时间： 3.5 / 3.8 / 4.0 / 5.0纳秒

完全同步寄存器到寄存器操作

“直通式”模式

单周期取消

- 双循环取消也可以（ AS7C33256PFD16A /

AS7C33256PFD18A)

奔腾

*

兼容的体系结构和定时

异步输出使能控制

经济型100引脚TQFP封装

字节写使能

多芯片能够很容易地扩展

3.3V核心供电

2.5V或3.3V的I /带独立V O操作

DDQ

30 mW的典型在掉电模式下的待机功耗

NTD

*

流水线架构，可

(AS7C33256NTD16A/AS7C33256NTD18A)

逻辑框图

LBO

CLK

ADV

ADSC

ADSP

A[17:0]

CLK

CS

CLR

管脚配置

256K × 16/18

内存

ARRAY

100

99

98

97

96

95

94

93

92

91

90

89

88

87

86

85

84

83

82

81

突发的逻辑

Q

A6

A7

CE0

CE1

NC

NC

BWB

BWA

CE2

V

DD

V

SS

CLK

GWE

BWE

OE

ADSC

ADSP

ADV

A8

A9

18

D

CS

CLK

18

16 18

地址

注册

NC

NC

NC

V

DDQ

V

SSQ

NC

NC

DQB

DQB

V

SSQ

V

DDQ

DQB

DQB

FT

V

DD

NC

V

SS

DQB

DQB

V

DDQ

V

SSQ

DQB

DQB

DQPb / NC

NC

V

SSQ

V

DDQ

NC

NC

NC

16/18 16/18

GWE

BW

b

BWE

BW

a

CE0

CE1

CE2

D

DQB

Q

字节写

注册

字节写

注册

CLK

D

CLK

D

DQA

Q

2

OE

启用

Q

注册

启用

Q

延迟

注册

CE

CLK

产量

注册

CLK

输入

注册

CLK

ZZ

动力

下

D

CLK

OE

FT

DATA [ 17 ：0]的

DATA [ 15：0]

选购指南

AS7C33256PFS16A AS7C33256PFS16A AS7C33256PFS16A AS7C33256PFS16A

–166

–150

–133

–100

单位

最小周期时间

流水线的最大时钟频率

最大的流水线时钟存取时间

最大工作电流

最大待机电流

最大的CMOS待机电流（DC）的

*

6

166

3.5

475

130

30

6.7

150

3.8

450

110

30

LBO

A5

A4

A3

A2

A1

A0

NC

NC

V

SS

V

DD

NC

NC

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

49

50

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

TQFP 14 X20毫米

80

79

78

77

76

75

74

73

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

A17

NC

NC

V

DDQ

V

SSQ

NC

DQPa / NC

DQA

DQA

V

SSQ

V

DDQ

DQA

DQA

VSS

NC

V

DD

ZZ

DQA

DQA

V

DDQ

V

SSQ

DQA

DQA

NC

NC

V

SSQ

V

DDQ

NC

NC

NC

注：引脚24 ， 74顷NC为× 16 。

7.5

133

4

425

100

30

10

100

5

325

90

30

ns

兆赫

ns

mA

mA

mA

奔腾

是Intel Corporation的注册商标。 NTD 是联盟半导体公司的商标。本文档中提及的所有商标是

其各自所有者的财产。

3/14/01; V.1.0

半导体联盟

11 P. 1

版权所有联半导体公司。版权所有。

AS7C33256PFS16A

AS7C33256PFS18A

功能说明

该AS7C33256PFS16A和AS7C33256PFS18A是高性能的CMOS 4兆位同步静态随机存取存储器（SRAM）

设备组织为262,144字× 16位或18位，并纳入管道的最高频率在任何给定的技术。

时序该设备是与现有的Pentium兼容

同步缓存规格。这个体系结构适于ASIC和DSP

（ TMS320C6X ）和PowerPC

*

基于系统的计算，数据通信，仪器仪表，以及通信系统。

6 / 6.7 / 7.5 / 10 ns的时钟存取时间短的循环时间（T

CD

） 3.5 / 3.8 / 4.0 / 5.0纳秒启用166 ， 150 ， 133和100 MHz的总线频率。

三芯片使能输入允许轻松扩展内存。被启动以两种方式之一突发工作：控制器地址选通（ ADSC） ，

或者，处理器地址选通（ ADSP ） 。突发提前引脚（ ADV ）允许后续内部产生爆裂地址。

读周期与ADSP （不论WE和ADSC的）使用新的外部地址读入片内地址寄存器启动。

,

当ADSP采样为低电平的芯片使取样积极的，与输出缓冲器使能OE 。在读操作的数据

由当前地址，由CLK的上升沿，在地址寄存器中登记的访问时，被输送到数据输出寄存器和从动

在输出引脚上CLK的下一个上升沿。 ADV被忽略的时钟边沿采样ADSP断言，但被采样的所有

随后的时钟边沿。地址是在内部增加了突发的下一个访问时， ADV采样为低电平并且两个地址选通

是HIGH 。突发操作是可选的

LBO

输入。同

LBO

未连接或驱动为高电平，突发操作使用奔腾

算

序列。同

LBO

低驱动装置采用适合的PowerPC线性计数序列

和许多其他应用。

写周期被禁用输出缓冲器， OE和主张写命令执行。全局写使能GWE写入所有16 /

无论个人BW的状态18位[ A：B ]输入。交替地，当GWE是HIGH时，一个或多个字节可以被写入通过断言

BWE及相应的单个字节BWN信号（S ） 。

BWN被忽略的时钟边沿采样ADSP低，但被采样的所有后续时钟边沿。输出缓冲器被禁用时，

,

.

BWN采样为低电平（无论OE ） 。数据移入数据输入寄存器时BWN采样为低电平地址递增

在内部的一个突发地址，如果BWN和ADV采样低

.

读或写周期也可以与ADSC代替ADSP启动。与ADSC和ADSP启动周期之间的差异随之而来。

ADSP必须采样为高电平时， ADSC采样为低电平启动与ADSC一个周期。

WE

信号进行采样的时钟沿采样ADSC低（和ADSP高） 。

主芯片选择CE0块ADSP ，但不ADSC 。

该AS7C33256PFS16A和AS7C33256PFS18A采用3.3V电源供电。 I / O的使用能够在2.5V或3.3V操作一个单独的电源。

这些器件采用100引脚14 × 20毫米TQFP封装可供选择。

* PowerPC的

是tradenark国际商业机器公司。

电容

参数

输入电容

I / O容量

符号

C

IN

C

I / O

信号的

地址和控制销

I / O引脚

测试条件

V

IN

= 0V

V

IN

= V

OUT

= 0V

最大

5

7

单位

pF

pF

写使能真值表（每字节）

GWE

L

H

H

H

KEY：

X =无关，L =低，H =高， T = True时， F =假

*有效的读

N = A，B

WE

,

文

=内部写信号

BWE

X

L

H

L

BWN

X

L

X

H

文

T

T

F*

F*

3/14/01; V.1.0

半导体联盟

11 P. 2

AS7C33256PFS16A

AS7C33256PFS18A

信号说明

信号

CLK

A0–A17

DQ [ A，B]

CE0

I / O

I

I

I / O

I

性能

时钟

SYNC

SYNC

SYNC

描述

时钟。除了OE ， FT ， ZZ ， LBO所有的输入是同步的这个时钟。

地址。采样时，所有的芯片都能够积极ADSC或ADSP断言。

数据。当芯片被使能和OE激活驱动作为输出。

主控芯片使能。采样时钟边沿时， ADSP和ADSC有效。当

CE0是不活动的， ADSP被阻止。参考同步真值表为更

信息。

同步芯片使。分别为高电平和低电平有效。采样

,

时钟边沿时， ADSC有效，或当CE0和ADSP活跃。

地址选通信号（处理器） 。置为低电平以装入新的地址或输入

待机模式。

地址选通（控制器） 。置为低电平以装入新的地址或输入

待机模式。

突发推进。低电平持续一阵读/写。

全局写使能。置为低电平写入所有16/18位。当HIGH ， BWE和

BW [ A，B]控制写使能。

字节写使能。置为低电平与GWE = HIGH ，使体重的影响[ A，B]

输入。

写使能。用于控制单个字节写入时GWE = HIGH和

BWE = LOW如果有BW的[A，B ]为活跃GWE = HIGH和BWE =低的

.

周期是写入周期。如果所有的BW [一，b]上是不活动的，则该循环是一个读周期。

异步输出使能。 I / O引脚被驱动时， OE处于活动状态，芯片

在读模式下。

CE1 ， CE2

ADSP

ADSC

ADV

GWE

BWE

I

I

I

I

I

I

SYNC

SYNC

SYNC

SYNC

SYNC

SYNC

BW [ A，B]

I

SYNC

OE

I

ASYNC

LBO

I

计数模式。当驱动高，计数序列如下英特尔XOR约定。

静态默认=

当驱动为低电平时的计数序列如下线性约定。该信号是

,

高

内部拉高。

STATIC

ASYNC

流通mode.When低使得单个寄存器流通模式。

,

连接到V

DD

如果未使用或流水线操作。

睡眠模式。放置器件进入低功耗模式;数据将被保留。连接至GND ，如果

未使用。

FT

ZZ

I

I

绝对最大额定值

参数

电源电压相对于GND

相对于GND输入电压（输入引脚）

相对于GND输入电压（ I / O引脚）

功耗

直流输出电流

存储温度（塑料）

在偏置温度

符号

V

DD

, V

DDQ

V

IN

V

IN

P

D

I

OUT

T

英镑

T

BIAS

民

–0.5

–0.5

–0.5

–

–

–65

–65

最大

+4.6

V

DD

+ 0.5

V

DDQ

+ 0.5

1.8

50

+150

+135

单位

V

V

V

W

mA

°C

°C

注：应力大于那些在上市

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触

绝对最大额定值条件下可能会影响其可靠性。

3/14/01; V.1.0

半导体联盟

11第3页

AS7C33256PFS16A

AS7C33256PFS18A

同步真值表

CE0

H

L

L

L

L

L

L

L

L

X

X

X

X

H

H

H

H

L

X

H

X

H

CE1

X

L

L

X

X

H

H

H

H

X

X

X

X

X

X

X

X

H

X

X

X

X

CE2

X

X

X

H

H

L

L

L

L

X

X

X

X

X

X

X

X

L

X

X

X

X

ADSP

X

L

H

L

H

L

L

H

H

H

H

H

H

X

X

X

X

H

H

X

H

X

ADSC

L

X

L

X

L

X

X

L

L

H

H

H

H

H

H

H

H

L

H

H

H

H

ADV

X

X

X

X

X

X

X

X

X

L

L

H

H

L

L

H

H

X

L

L

H

H

WEn1

X

X

X

X

X

X

X

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

T

T

T

T

T

OE

X

X

X

X

X

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

X

X

X

X

X

地址进行访问

NA

NA

NA

NA

NA

外

外

外

外

NEXT

NEXT

当前

当前

NEXT

NEXT

当前

当前

外

NEXT

NEXT

当前

当前

CLK

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

手术

DESELECT

DESELECT

DESELECT

DESELECT

DESELECT

开始阅读

开始阅读

开始阅读

开始阅读

续。读

续。读

暂停阅读

暂停阅读

续。读

续。读

暂停阅读

暂停阅读

开始写

续。写

续。写

挂起写

挂起写

DQ

高阻

高阻

高阻

高阻

高阻

高阻

2

高阻

高阻

2

高阻

Q

高阻

Q

高阻

Q

高阻

Q

高阻

D

3

D

D

D

D

关键：X =无关，L =低，H =高。

1

请参阅“写使能真值表”第2页了解更多信息。

2

在流经方式Q

3对于下面的一个读写操作，

OE必须是前高

输入数据建立时间，高通量的输入保持召开

时间。

推荐工作条件

参数

电源电压

3.3V的I / O供电

电压

2.5V的I / O供电

电压

地址

控制引脚

I / O引脚

工作环境温度

符号

V

DD

V

SS

V

DDQ

V

SSQ

V

DDQ

V

SSQ

V

IH

V

IL

V

IH

V

IL

T

A

民

3.135

0.0

3.135

0.0

2.35

0.0

2.0

–0.5

*

2.0

–0.5

*

0

公称

3.3

0.0

3.3

0.0

2.5

0.0

–

–

–

–

–

最大

3.6

0.0

3.6

0.0

2.9

0.0

V

DD

+ 0.3

0.8

V

DDQ

+ 0.3

0.8

70

单位

V

V

V

V

V

°C

输入电压

* V

IL

分= -2.0V脉冲宽度小于0.2 ×吨

RC

.

输入电压范围适用于3.3VI / O操作。对于2.5VI / O操作，请联络厂方输入规格。

3/14/01; V.1.0

半导体联盟

11第4页

AS7C33256PFS16A

AS7C33256PFS18A

TQFP封装热阻

描述

热阻

（结到环境）

*

热阻

（结到外壳顶部的）

*

*该参数进行采样。

条件

测试条件遵循标准测试

方法和程序，用于测量

热阻抗，按照EIA / JESD51

符号

θ

JA

θ

JC

典型

46

2.8

单位

° C / W

° C / W

DC电气特性

–166

参数

输入漏

当前

*

输出漏

当前

工作电源

电源电流

符号

|I

LI

|

|I

LO

|

I

CC

I

SB

待机功耗

电源电流

I

SB1

I

SB2

输出电压

V

OL

V

OH

测试条件

V

DD

=最大，V

IN

= GND到V

DD

OE

≥

V

IH

, V

DD

=最大，

V

OUT

= GND到V

DD

CE0 = V

IL

， CE1 = V

IH

， CE2 = V

IL

,

f = f

最大

, I

OUT

= 0毫安

取消选择，女= F

最大

, ZZ

≤

V

IL

取消选择， F = 0 ， ZZ

≤

0.2V

所有V

IN

≤

0.2V或

≥

V

DD

– 0.2V

取消选择，女= F

最大

, ZZ

≥

V

DD

– 0.2V

所有V

IN

≤

V

IL

or

≥

V

IH

I

OL

= 8毫安， V

DDQ

= 3.465V

I

OH

= -4毫安，V

DDQ

= 3.135V

–150

–133

–100

最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位

–

–

–

–

–

–

–

2.4

2

2

475

130

30

30

0.4

–

–

–

–

–

–

–

–

2.4

2

2

450

110

30

30

0.4

–

–

–

–

–

–

–

–

2.4

2

2

425

100

30

30

0.4

–

–

–

–

–

–

–

–

2.4

2

2

325

90

30

30

0.4

–

V

mA

A

A

mA

* LBO引脚具有内部上拉电阻和输入漏电流= ±10

a.

注： ICC给无输出负载。 ICC增加更快的周期时间和更大的输出负载。

DC电气特性2.5VI / O操作

–166

参数

输出漏

当前

输出电压

符号

|I

LO

|

V

OL

V

OH

测试条件

OE

≥

V

IH

, V

DD

=最大，

V

OUT

= GND到V

DD

I

OL

= 2毫安， V

DDQ

= 2.65V

I

OH

= -2毫安，V

DDQ

= 2.35V

–150

–133

–100

最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位

–1

–

1.7

1

0.7

–

–1

–

1.7

1

0.7

–

–1

–

1.7

1

0.7

–

–1

–

1.7

1

0.7

–

A

V

超过工作范围时序特性

–166

参数

时钟频率

周期时间（流水线模式）

周期时间（流过模式）的

时钟存取时间（流水线模式）

符号最小值

f

最大

t

CYC

t

CYCF

t

CD

–

6

10

–

最大

166

–

–

3.5

–

6.6

10

–

–150

民

最大

150

–

–

3.8

–

7.5

12

–

–133

民

最大

133

–

–

4.0

–

10

12

–

–100

民

最大

100

–

–

5.0

单位

兆赫

ns

ns

ns

注*

3/14/01; V.1.0

半导体联盟

11第5页

2002年1月

AS7C33256PFS16A

AS7C33256PFS18A

3.3V 256K

×

16/18管道爆裂的同步SRAM

特点

组织： 262,144字× 16位或18位

快速的时钟速度为200兆赫的LVTTL / LVCMOS

快速时钟到数据存取： 3.0 / 3.1 / 3.5 / 4.0 / 5.0纳秒

快速OE访问时间： 3.0 / 3.1 / 3.5 / 4.0 / 5.0纳秒

完全同步寄存器到寄存器操作

“直通式”模式

单周期取消

- 双循环取消也可以（ AS7C33256PFD16A /

AS7C33256PFD18A)

奔腾

1

兼容的体系结构和定时

异步输出使能控制

经济型100引脚TQFP封装

字节写使能

多芯片能够很容易地扩展

3.3V核心供电

2.5V或3.3V的I /带独立V O操作

DDQ

30 mW的典型在掉电模式下的待机功耗

NTD

1

流水线架构，可

(AS7C33256NTD16A/AS7C33256NTD18A)

1.奔腾

是Intel Corporation的注册商标。 NTD 是一种

商标联盟半导体公司。所有商标men-

tioned本文中均为其各自所有者的财产。

逻辑框图

LBO

CLK

ADV

ADSC

ADSP

A[17:0]

CLK

CS

CLR

管脚配置

100

99

98

97

96

95

94

93

92

91

90

89

88

87

86

85

84

83

82

81

突发的逻辑

Q

18

D

CS

CLK

18

16 18

地址

注册

256K × 16/18

内存

ARRAY

A6

A7

CE0

CE1

NC

NC

BWB

BWA

CE2

V

DD

V

SS

CLK

GWE

BWE

OE

ADSC

ADSP

ADV

A8

A9

NC

NC

NC

V

DDQ

V

SSQ

NC

NC

DQB

DQB

V

SSQ

V

DDQ

DQB

DQB

FT

V

DD

NC

V

SS

DQB

DQB

V

DDQ

V

SSQ

DQB

DQB

DQPb / NC

NC

V

SSQ

V

DDQ

NC

NC

NC

16/18 16/18

GWE

BW

b

BWE

BW

a

CE0

CE1

CE2

D

DQB

Q

字节写

注册

字节写

注册

CLK

D

CLK

D

DQA

Q

2

OE

启用

Q

注册

启用

Q

延迟

注册

CE

CLK

D

ZZ

产量

注册

CLK

输入

注册

CLK

动力

下

CLK

OE

FT

DATA [ 17 ：0]的

DATA [ 15：0]

选购指南

–200

最小周期时间

流水线的最大时钟频率

最大的流水线时钟存取时间

最大工作电流

最大待机电流

最大的CMOS待机电流（DC）的

5

200

3

570

160

30

–183

5.4

183

3.1

540

140

30

–166

6

166

3.5

475

130

30

–133

7.5

133

4

425

100

30

–100

10

100

5

325

90

30

单位

ns

兆赫

ns

mA

mA

mA

1/30/02; V.1.3

半导体联盟

LBO

A5

A4

A3

A2

A1

A0

NC

NC

V

SS

V

DD

NC

NC

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

49

50

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

TQFP 14 X20毫米

80

79

78

77

76

75

74

73

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

A17

NC

NC

V

DDQ

V

SSQ

NC

DQPa / NC

DQA

DQA

V

SSQ

V

DDQ

DQA

DQA

VSS

NC

V

DD

ZZ

DQA

DQA

V

DDQ

V

SSQ

DQA

DQA

NC

NC

V

SSQ

V

DDQ

NC

NC

NC

注：引脚24 ， 74顷NC为× 16 。

12 P. 1

版权所有联半导体公司。版权所有。

AS7C33256PFS16A

AS7C33256PFS18A

功能说明

该AS7C33256PFS16A和AS7C33256PFS18A是高性能的CMOS 4兆位同步静态随机存取存储器（SRAM）

设备组织为262,144字× 16位或18位，并纳入管道的最高频率在任何给定的技术。

时序该设备是与现有的Pentium兼容

同步缓存规格。这个体系结构适于ASIC和DSP

（ TMS320C6X ）和PowerPC

1

基于系统的计算，数据通信，仪器仪表，以及通信系统。

5.0 / 5.4 / 6.0 / 7.5 / 10 ns的时钟存取时间短的循环时间（T

CD

） 3.0 / 3.1 / 3.5 / 4.0 / 5.0纳秒启用200 ， 183 ， 166 ， 133和100 MHz的

总线频率。三芯片使能输入允许轻松扩展内存。被启动以两种方式之一突发工作：控制器

地址选通（ ADSC） ，或者处理器地址选通（ ADSP ） 。突发提前引脚（ ADV ）允许后续内部产生爆裂

地址。

读周期与ADSP （不论WE和ADSC的）使用新的外部地址读入片内地址寄存器启动。

当ADSP采样为低电平时，芯片能够被采样有效，并且输出缓冲区启用OE 。在读操作的数据

由当前地址，由CLK的上升沿，在地址寄存器中登记的访问时，被输送到数据输出寄存器和从动

在输出引脚上CLK的下一个上升沿。 ADV被忽略的时钟边沿采样ADSP断言，但被采样的所有

随后的时钟边沿。地址是在内部增加了突发的下一个访问时， ADV采样为低电平并且两个地址选通

是HIGH 。突发模式可选择与

LBO

输入。同

LBO

未连接或驱动为高电平，突发操作使用奔腾

算

序列。同

LBO

低驱动装置采用适合的PowerPC线性计数序列

和许多其他应用。

写周期被禁用输出缓冲器， OE和主张写命令执行。全局写使能GWE写入所有16 /

无论个人BW的状态18位[ A：B ]输入。交替地，当GWE是HIGH时，一个或多个字节可以被写入通过断言

BWE及相应的单个字节BWN信号（S ） 。

BWN被忽略的时钟边沿采样ADSP低，但被采样的所有后续时钟边沿。输出缓冲器被禁用时，

BWN采样为低电平（无论OE ） 。数据移入数据输入寄存器时BWN采样为低电平。地址递增

在内部的一个突发地址，如果BWN和ADV采样低。

读或写周期也可以与ADSC代替ADSP启动。与ADSC和ADSP启动周期之间的差异随之而来。

ADSP必须采样为高电平时， ADSC采样为低电平启动与ADSC一个周期。

WE

信号进行采样的时钟沿采样ADSC低（和ADSP高） 。

主芯片选择CE0块ADSP ，但不ADSC 。

该AS7C33256PFS16A和AS7C33256PFS18A采用3.3V电源供电。 I / O的使用能够在2.5V或3.3V操作一个单独的电源。

这些器件采用100引脚14 × 20毫米TQFP封装可供选择。

电容

参数

输入电容

I / O容量

符号

C

IN

C

I / O

信号的

地址和控制销

I / O引脚

测试条件

V

IN

= 0V

V

IN

= V

OUT

= 0V

最大

5

7

单位

pF

pF

写使能真值表（每字节）

GWE

L

H

H

H

BWE

X

L

H

L

BWN

X

L

X

H

文

T

T

F*

F

*

关键： * =有效读取; N = A，B

X =无关，L =低，H =高， T = True时， F = FALSE; WE ，文=内部写信号



PowerPC的

是tradenark国际商业机器公司。

1/30/02; V.1.3

半导体联盟

12 P. 2

AS7C33256PFS16A

AS7C33256PFS18A

信号说明

信号

CLK

A0–A17

DQ [ A，B]

CE0

I / O

I

I

I / O

I

性能

时钟

SYNC

SYNC

SYNC

描述

时钟。除了OE ， FT ， ZZ ， LBO所有的输入是同步的这个时钟。

地址。采样时，所有的芯片都能够积极ADSC或ADSP断言。

数据。当芯片被使能和OE激活驱动作为输出。

主控芯片使能。采样时钟边沿时， ADSP和ADSC有效。当

CE0是不活动的， ADSP被阻止。参考同步真值表为更

信息。

同步芯片使。高电平有效和低电平有效，分别为。采样

时钟边沿时， ADSC有效，或当CE0和ADSP活跃。

地址选通信号（处理器） 。置为低电平来加载一个新的地址或进入待机

模式。

地址选通（控制器） 。置为低电平来加载一个新的地址或进入待机

模式。

突发推进。低电平持续一阵读/写。

全局写使能。置为低电平写入所有16/18位。当HIGH ， BWE和

BW [ A，B]控制写使能。

字节写使能。置为低电平与GWE = HIGH ，使体重的影响[ A，B]

输入。

写使能。用于控制单个字节写入时GWE = HIGH和

BWE =低。如果任何带宽的[A，B ]为活性与GWE = HIGH和BWE =低电平的

周期是写入周期。如果所有的BW [一，b]上是不活动的，则该循环是一个读周期。

异步输出使能。 I / O引脚被驱动时， OE处于活动状态，芯片

在读模式下。

计数模式。当驱动高，计数序列如下英特尔XOR约定。

当驱动为低电平，计数顺序如下线性约定。该信号是

内部拉高。

流通mode.When低，使得单个寄存器流通模式。

连接到V

DD

如果未使用或流水线操作。

睡眠模式。放置器件进入低功耗模式;数据将被保留。连接至GND ，如果未使用。

CE1 ， CE2

ADSP

ADSC

ADV

GWE

BWE

I

I

I

I

I

I

SYNC

SYNC

SYNC

SYNC

SYNC

SYNC

BW [ A，B]

I

SYNC

OE

I

ASYNC

静态默认=

高

STATIC

ASYNC

LBO

I

FT

ZZ

I

I

绝对最大额定值

参数

电源电压相对于GND

相对于GND输入电压（输入引脚）

相对于GND输入电压（ I / O引脚）

功耗

直流输出电流

存储温度（塑料）

在偏置温度

符号

V

DD

, V

DDQ

V

IN

V

IN

P

D

I

OUT

T

英镑

T

BIAS

民

–0.5

–0.5

–0.5

–

–

–65

–65

最大

+4.6

V

DD

+ 0.5

V

DDQ

+ 0.5

1.8

50

+150

+135

单位

V

V

V

W

mA

°

C

°

C

注：应力大于那些在上市

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作

该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件和灰是不是暗示。暴露在绝对

最大额定条件下可能会影响其可靠性。

1/30/02; V.1.3

半导体联盟

12第3页

AS7C33256PFS16A

AS7C33256PFS18A

同步真值表

CE0

H

L

L

L

L

L

L

L

L

X

X

X

X

H

H

H

H

L

X

H

X

H

CE1

X

L

L

X

X

H

H

H

H

X

X

X

X

X

X

X

X

H

X

X

X

X

CE2

X

X

X

H

H

L

L

L

L

X

X

X

X

X

X

X

X

L

X

X

X

X

ADSP

X

L

H

L

H

L

L

H

H

H

H

H

H

X

X

X

X

H

H

X

H

X

ADSC

L

X

L

X

L

X

X

L

L

H

H

H

H

H

H

H

H

L

H

H

H

H

ADV

X

X

X

X

X

X

X

X

X

L

L

H

H

L

L

H

H

X

L

L

H

H

文

X

X

X

X

X

X

X

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

T

T

T

T

T

1

OE

X

X

X

X

X

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

X

X

X

X

X

地址

访问

NA

NA

NA

NA

NA

外

外

外

外

NEXT

NEXT

当前

当前

NEXT

NEXT

当前

当前

外

NEXT

NEXT

当前

当前

CLK

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

手术

DESELECT

DESELECT

DESELECT

DESELECT

DESELECT

开始阅读

开始阅读

开始阅读

开始阅读

续。读

续。读

暂停阅读

暂停阅读

续。读

续。读

暂停阅读

暂停阅读

开始写

续。写

续。写

挂起写

挂起写

DQ

Hi

Z

Hi

Z

Hi

Z

Hi

Z

Hi

Z

Hi

Z

2

Hi

Z

Hi

Z

2

Hi

Z

Q

Hi

Z

Q

Hi

Z

Q

Hi

Z

Q

Hi

Z

D

3

D

D

D

D

关键：X =无关，L =低，H =高。

1

请参阅“写使能真值表”第2页了解更多信息。

2

在流经方式Q

3对于下面的一个读写操作，

OE必须为高电平的输入数据建立时间，高通量的输入保持时间召开之前。

推荐工作条件

参数

电源电压

3.3V的I / O电源电压

2.5V的I / O电源电压

符号

V

DD

V

SS

V

DDQ

V

SSQ

V

DDQ

V

SSQ

民

3.135

0.0

3.135

0.0

2.35

0.0

公称

3.3

0.0

3.3

0.0

2.5

0.0

最大

3.6

0.0

3.6

0.0

2.9

0.0

单位

V

V

V

1/30/02; V.1.3

半导体联盟

12第4页

AS7C33256PFS16A

AS7C33256PFS18A

推荐工作条件

参数

符号

V

IH

输入电压

1

V

IL

V

IH

V

IL

工作环境

温度

T

A

民

2.0

–0.5

2

2.0

–0.5

2

0

公称

–

–

–

–

–

最大

V

DD

+ 0.3

0.8

V

DDQ

+ 0.3

0.8

70

单位

V

V

°

C

？ YROWDJH UDQJHV DSSO \\ WR ??? 9 ？ 2 RSHUDWLRQ ？ ） RU ??? 9 ，λ2 RSHUDWLRQ ？ FRQWDFW IDFWRU \\ IRU LQSXW VSHFLILFDWLRQV ？

 9

,/

PLQ ± ??? 9 IRU SXOVH ZLGWK OHVV WKDQ ？ I W

5&



TQFP封装热阻

描述

热阻

（结到环境）

1

热阻

（结到外壳顶部的）

1

1 ，该参数进行采样。

条件

测试条件遵循的标准试验方法和

用于测量热阻抗程序，

按照EIA / JESD51

符号

θ

JA

θ

JC

典型

46

2.8

单位

°

C / W

°

C / W

DC电气特性

–200

参数

输入漏

当前

1

输出漏

当前

工作电源

电源电流

符号

|I

LI

|

|I

LO

|

I

CC

2

–183

–166

–133

–100

测试条件

V

DD

=最大，V

IN

= GND到

V

DD

OE

≥

V

IH

, V

DD

=最大，

V

OUT

= GND到V

DD

CE0 = V

IL

， CE1 = V

IH

， CE2 =

V

IL

,

f = f

最大

, I

OUT

= 0毫安

取消选择，女= F

最大

, ZZ

≤

V

IL

取消选择， F = 0 ， ZZ

≤

0.2V

所有V

IN

≤

0.2V或

≥

V

DD

–

0.2V

取消选择，女= F

最大

, ZZ

≥

V

DD

–

0.2V

所有V

IN

≤

V

IL

or

≥

V

IH

I

OL

= 8毫安， V

DDQ

= 3.465V

I

OH

= -4毫安，V

DDQ

=

3.135V

最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位

–

–

2

2

–

–

2

2

–

–

2

2

–

–

2

2

–

–

2

2

A

A

–

–

–

570

160

30

–

–

–

540

140

30

–

–

–

475

130

30

–

–

–

425

100

30

–

–

–

325毫安

90

30

mA

I

SB

待机功耗

电源电流

I

SB1

I

SB2

V

OL

输出电压

V

OH

–

–

2.4

30

0.4

–

–

–

2.4

30

0.4

–

–

–

2.4

30

0.4

–

–

–

2.4

30

0.4

–

–

–

2.4

30

0.4

–

V

1 LBO引脚具有内部上拉电阻和输入漏电流= ±10

a.

2 I

CC

给无输出负载。我

CC

增加更快的周期时间和更大的输出负载。

1/30/02; V.1.3

半导体联盟

12第5页

2001年3月

AS7C33256PFS16A

AS7C33256PFS18A

3.3V 256K

×

16/18管道爆裂的同步SRAM

特点

组织： 262,144字× 16位或18位

快速的时钟速度为166兆赫的LVTTL / LVCMOS

快速时钟到数据存取： 3.5 / 3.8 / 4.0 / 5.0纳秒

快速OE访问时间： 3.5 / 3.8 / 4.0 / 5.0纳秒

完全同步寄存器到寄存器操作

“直通式”模式

单周期取消

- 双循环取消也可以（ AS7C33256PFD16A /

AS7C33256PFD18A)

奔腾

*

兼容的体系结构和定时

异步输出使能控制

经济型100引脚TQFP封装

字节写使能

多芯片能够很容易地扩展

3.3V核心供电

2.5V或3.3V的I /带独立V O操作

DDQ

30 mW的典型在掉电模式下的待机功耗

NTD

*

流水线架构，可

(AS7C33256NTD16A/AS7C33256NTD18A)

逻辑框图

LBO

CLK

ADV

ADSC

ADSP

A[17:0]

CLK

CS

CLR

管脚配置

256K × 16/18

内存

ARRAY

100

99

98

97

96

95

94

93

92

91

90

89

88

87

86

85

84

83

82

81

突发的逻辑

Q

A6

A7

CE0

CE1

NC

NC

BWB

BWA

CE2

V

DD

V

SS

CLK

GWE

BWE

OE

ADSC

ADSP

ADV

A8

A9

18

D

CS

CLK

18

16 18

地址

注册

NC

NC

NC

V

DDQ

V

SSQ

NC

NC

DQB

DQB

V

SSQ

V

DDQ

DQB

DQB

FT

V

DD

NC

V

SS

DQB

DQB

V

DDQ

V

SSQ

DQB

DQB

DQPb / NC

NC

V

SSQ

V

DDQ

NC

NC

NC

16/18 16/18

GWE

BW

b

BWE

BW

a

CE0

CE1

CE2

D

DQB

Q

字节写

注册

字节写

注册

CLK

D

CLK

D

DQA

Q

2

OE

启用

Q

注册

启用

Q

延迟

注册

CE

CLK

产量

注册

CLK

输入

注册

CLK

ZZ

动力

下

D

CLK

OE

FT

DATA [ 17 ：0]的

DATA [ 15：0]

选购指南

AS7C33256PFS16A AS7C33256PFS16A AS7C33256PFS16A AS7C33256PFS16A

–166

–150

–133

–100

单位

最小周期时间

流水线的最大时钟频率

最大的流水线时钟存取时间

最大工作电流

最大待机电流

最大的CMOS待机电流（DC）的

*

6

166

3.5

475

130

30

6.7

150

3.8

450

110

30

LBO

A5

A4

A3

A2

A1

A0

NC

NC

V

SS

V

DD

NC

NC

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

49

50

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

TQFP 14 X20毫米

80

79

78

77

76

75

74

73

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

A17

NC

NC

V

DDQ

V

SSQ

NC

DQPa / NC

DQA

DQA

V

SSQ

V

DDQ

DQA

DQA

VSS

NC

V

DD

ZZ

DQA

DQA

V

DDQ

V

SSQ

DQA

DQA

NC

NC

V

SSQ

V

DDQ

NC

NC

NC

注：引脚24 ， 74顷NC为× 16 。

7.5

133

4

425

100

30

10

100

5

325

90

30

ns

兆赫

ns

mA

mA

mA

奔腾

是Intel Corporation的注册商标。 NTD 是联盟半导体公司的商标。本文档中提及的所有商标是

其各自所有者的财产。

3/14/01; V.1.0

半导体联盟

11 P. 1

版权所有联半导体公司。版权所有。

AS7C33256PFS16A

AS7C33256PFS18A

功能说明

该AS7C33256PFS16A和AS7C33256PFS18A是高性能的CMOS 4兆位同步静态随机存取存储器（SRAM）

设备组织为262,144字× 16位或18位，并纳入管道的最高频率在任何给定的技术。

时序该设备是与现有的Pentium兼容

同步缓存规格。这个体系结构适于ASIC和DSP

（ TMS320C6X ）和PowerPC

*

基于系统的计算，数据通信，仪器仪表，以及通信系统。

6 / 6.7 / 7.5 / 10 ns的时钟存取时间短的循环时间（T

CD

） 3.5 / 3.8 / 4.0 / 5.0纳秒启用166 ， 150 ， 133和100 MHz的总线频率。

三芯片使能输入允许轻松扩展内存。被启动以两种方式之一突发工作：控制器地址选通（ ADSC） ，

或者，处理器地址选通（ ADSP ） 。突发提前引脚（ ADV ）允许后续内部产生爆裂地址。

读周期与ADSP （不论WE和ADSC的）使用新的外部地址读入片内地址寄存器启动。

,

当ADSP采样为低电平的芯片使取样积极的，与输出缓冲器使能OE 。在读操作的数据

由当前地址，由CLK的上升沿，在地址寄存器中登记的访问时，被输送到数据输出寄存器和从动

在输出引脚上CLK的下一个上升沿。 ADV被忽略的时钟边沿采样ADSP断言，但被采样的所有

随后的时钟边沿。地址是在内部增加了突发的下一个访问时， ADV采样为低电平并且两个地址选通

是HIGH 。突发操作是可选的

LBO

输入。同

LBO

未连接或驱动为高电平，突发操作使用奔腾

算

序列。同

LBO

低驱动装置采用适合的PowerPC线性计数序列

和许多其他应用。

写周期被禁用输出缓冲器， OE和主张写命令执行。全局写使能GWE写入所有16 /

无论个人BW的状态18位[ A：B ]输入。交替地，当GWE是HIGH时，一个或多个字节可以被写入通过断言

BWE及相应的单个字节BWN信号（S ） 。

BWN被忽略的时钟边沿采样ADSP低，但被采样的所有后续时钟边沿。输出缓冲器被禁用时，

,

.

BWN采样为低电平（无论OE ） 。数据移入数据输入寄存器时BWN采样为低电平地址递增

在内部的一个突发地址，如果BWN和ADV采样低

.

读或写周期也可以与ADSC代替ADSP启动。与ADSC和ADSP启动周期之间的差异随之而来。

ADSP必须采样为高电平时， ADSC采样为低电平启动与ADSC一个周期。

WE

信号进行采样的时钟沿采样ADSC低（和ADSP高） 。

主芯片选择CE0块ADSP ，但不ADSC 。

该AS7C33256PFS16A和AS7C33256PFS18A采用3.3V电源供电。 I / O的使用能够在2.5V或3.3V操作一个单独的电源。

这些器件采用100引脚14 × 20毫米TQFP封装可供选择。

* PowerPC的

是tradenark国际商业机器公司。

电容

参数

输入电容

I / O容量

符号

C

IN

C

I / O

信号的

地址和控制销

I / O引脚

测试条件

V

IN

= 0V

V

IN

= V

OUT

= 0V

最大

5

7

单位

pF

pF

写使能真值表（每字节）

GWE

L

H

H

H

KEY：

X =无关，L =低，H =高， T = True时， F =假

*有效的读

N = A，B

WE

,

文

=内部写信号

BWE

X

L

H

L

BWN

X

L

X

H

文

T

T

F*

F*

3/14/01; V.1.0

半导体联盟

11 P. 2

AS7C33256PFS16A

AS7C33256PFS18A

信号说明

信号

CLK

A0–A17

DQ [ A，B]

CE0

I / O

I

I

I / O

I

性能

时钟

SYNC

SYNC

SYNC

描述

时钟。除了OE ， FT ， ZZ ， LBO所有的输入是同步的这个时钟。

地址。采样时，所有的芯片都能够积极ADSC或ADSP断言。

数据。当芯片被使能和OE激活驱动作为输出。

主控芯片使能。采样时钟边沿时， ADSP和ADSC有效。当

CE0是不活动的， ADSP被阻止。参考同步真值表为更

信息。

同步芯片使。分别为高电平和低电平有效。采样

,

时钟边沿时， ADSC有效，或当CE0和ADSP活跃。

地址选通信号（处理器） 。置为低电平以装入新的地址或输入

待机模式。

地址选通（控制器） 。置为低电平以装入新的地址或输入

待机模式。

突发推进。低电平持续一阵读/写。

全局写使能。置为低电平写入所有16/18位。当HIGH ， BWE和

BW [ A，B]控制写使能。

字节写使能。置为低电平与GWE = HIGH ，使体重的影响[ A，B]

输入。

写使能。用于控制单个字节写入时GWE = HIGH和

BWE = LOW如果有BW的[A，B ]为活跃GWE = HIGH和BWE =低的

.

周期是写入周期。如果所有的BW [一，b]上是不活动的，则该循环是一个读周期。

异步输出使能。 I / O引脚被驱动时， OE处于活动状态，芯片

在读模式下。

CE1 ， CE2

ADSP

ADSC

ADV

GWE

BWE

I

I

I

I

I

I

SYNC

SYNC

SYNC

SYNC

SYNC

SYNC

BW [ A，B]

I

SYNC

OE

I

ASYNC

LBO

I

计数模式。当驱动高，计数序列如下英特尔XOR约定。

静态默认=

当驱动为低电平时的计数序列如下线性约定。该信号是

,

高

内部拉高。

STATIC

ASYNC

流通mode.When低使得单个寄存器流通模式。

,

连接到V

DD

如果未使用或流水线操作。

睡眠模式。放置器件进入低功耗模式;数据将被保留。连接至GND ，如果

未使用。

FT

ZZ

I

I

绝对最大额定值

参数

电源电压相对于GND

相对于GND输入电压（输入引脚）

相对于GND输入电压（ I / O引脚）

功耗

直流输出电流

存储温度（塑料）

在偏置温度

符号

V

DD

, V

DDQ

V

IN

V

IN

P

D

I

OUT

T

英镑

T

BIAS

民

–0.5

–0.5

–0.5

–

–

–65

–65

最大

+4.6

V

DD

+ 0.5

V

DDQ

+ 0.5

1.8

50

+150

+135

单位

V

V

V

W

mA

°C

°C

注：应力大于那些在上市

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触

绝对最大额定值条件下可能会影响其可靠性。

3/14/01; V.1.0

半导体联盟

11第3页

AS7C33256PFS16A

AS7C33256PFS18A

同步真值表

CE0

H

L

L

L

L

L

L

L

L

X

X

X

X

H

H

H

H

L

X

H

X

H

CE1

X

L

L

X

X

H

H

H

H

X

X

X

X

X

X

X

X

H

X

X

X

X

CE2

X

X

X

H

H

L

L

L

L

X

X

X

X

X

X

X

X

L

X

X

X

X

ADSP

X

L

H

L

H

L

L

H

H

H

H

H

H

X

X

X

X

H

H

X

H

X

ADSC

L

X

L

X

L

X

X

L

L

H

H

H

H

H

H

H

H

L

H

H

H

H

ADV

X

X

X

X

X

X

X

X

X

L

L

H

H

L

L

H

H

X

L

L

H

H

WEn1

X

X

X

X

X

X

X

F

F

F

F

F

F

F

F

F

F

T

T

T

T

T

OE

X

X

X

X

X

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

L

H

X

X

X

X

X

地址进行访问

NA

NA

NA

NA

NA

外

外

外

外

NEXT

NEXT

当前

当前

NEXT

NEXT

当前

当前

外

NEXT

NEXT

当前

当前

CLK

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

的LtoH

手术

DESELECT

DESELECT

DESELECT

DESELECT

DESELECT

开始阅读

开始阅读

开始阅读

开始阅读

续。读

续。读

暂停阅读

暂停阅读

续。读

续。读

暂停阅读

暂停阅读

开始写

续。写

续。写

挂起写

挂起写

DQ

高阻

高阻

高阻

高阻

高阻

高阻

2

高阻

高阻

2

高阻

Q

高阻

Q

高阻

Q

高阻

Q

高阻

D

3

D

D

D

D

关键：X =无关，L =低，H =高。

1

请参阅“写使能真值表”第2页了解更多信息。

2

在流经方式Q

3对于下面的一个读写操作，

OE必须是前高

输入数据建立时间，高通量的输入保持召开

时间。

推荐工作条件

参数

电源电压

3.3V的I / O供电

电压

2.5V的I / O供电

电压

地址

控制引脚

I / O引脚

工作环境温度

符号

V

DD

V

SS

V

DDQ

V

SSQ

V

DDQ

V

SSQ

V

IH

V

IL

V

IH

V

IL

T

A

民

3.135

0.0

3.135

0.0

2.35

0.0

2.0

–0.5

*

2.0

–0.5

*

0

公称

3.3

0.0

3.3

0.0

2.5

0.0

–

–

–

–

–

最大

3.6

0.0

3.6

0.0

2.9

0.0

V

DD

+ 0.3

0.8

V

DDQ

+ 0.3

0.8

70

单位

V

V

V

V

V

°C

输入电压

* V

IL

分= -2.0V脉冲宽度小于0.2 ×吨

RC

.

输入电压范围适用于3.3VI / O操作。对于2.5VI / O操作，请联络厂方输入规格。

3/14/01; V.1.0

半导体联盟

11第4页

AS7C33256PFS16A

AS7C33256PFS18A

TQFP封装热阻

描述

热阻

（结到环境）

*

热阻

（结到外壳顶部的）

*

*该参数进行采样。

条件

测试条件遵循标准测试

方法和程序，用于测量

热阻抗，按照EIA / JESD51

符号

θ

JA

θ

JC

典型

46

2.8

单位

° C / W

° C / W

DC电气特性

–166

参数

输入漏

当前

*

输出漏

当前

工作电源

电源电流

符号

|I

LI

|

|I

LO

|

I

CC

I

SB

待机功耗

电源电流

I

SB1

I

SB2

输出电压

V

OL

V

OH

测试条件

V

DD

=最大，V

IN

= GND到V

DD

OE

≥

V

IH

, V

DD

=最大，

V

OUT

= GND到V

DD

CE0 = V

IL

， CE1 = V

IH

， CE2 = V

IL

,

f = f

最大

, I

OUT

= 0毫安

取消选择，女= F

最大

, ZZ

≤

V

IL

取消选择， F = 0 ， ZZ

≤

0.2V

所有V

IN

≤

0.2V或

≥

V

DD

– 0.2V

取消选择，女= F

最大

, ZZ

≥

V

DD

– 0.2V

所有V

IN

≤

V

IL

or

≥

V

IH

I

OL

= 8毫安， V

DDQ

= 3.465V

I

OH

= -4毫安，V

DDQ

= 3.135V

–150

–133

–100

最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位

–

–

–

–

–

–

–

2.4

2

2

475

130

30

30

0.4

–

–

–

–

–

–

–

–

2.4

2

2

450

110

30

30

0.4

–

–

–

–

–

–

–

–

2.4

2

2

425

100

30

30

0.4

–

–

–

–

–

–

–

–

2.4

2

2

325

90

30

30

0.4

–

V

mA

A

A

mA

* LBO引脚具有内部上拉电阻和输入漏电流= ±10

a.

注： ICC给无输出负载。 ICC增加更快的周期时间和更大的输出负载。

DC电气特性2.5VI / O操作

–166

参数

输出漏

当前

输出电压

符号

|I

LO

|

V

OL

V

OH

测试条件

OE

≥

V

IH

, V

DD

=最大，

V

OUT

= GND到V

DD

I

OL

= 2毫安， V

DDQ

= 2.65V

I

OH

= -2毫安，V

DDQ

= 2.35V

–150

–133

–100

最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位

–1

–

1.7

1

0.7

–

–1

–

1.7

1

0.7

–

–1

–

1.7

1

0.7

–

–1

–

1.7

1

0.7

–

A

V

超过工作范围时序特性

–166

参数

时钟频率

周期时间（流水线模式）

周期时间（流过模式）的

时钟存取时间（流水线模式）

符号最小值

f

最大

t

CYC

t

CYCF

t

CD

–

6

10

–

最大

166

–

–

3.5

–

6.6

10

–

–150

民

最大

150

–

–

3.8

–

7.5

12

–

–133

民

最大

133

–

–

4.0

–

10

12

–

–100

民

最大

100

–

–

5.0

单位

兆赫

ns

ns

ns

注*

3/14/01; V.1.0

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