2001年9月
AS7C256
AS7C3256
5V / 3.3V 32K ×8 CMOS SRAM （通用I / O）
特点
AS7C256 （ 5V版）
AS7C3256 （ 3.3V版本）
工业和商业温度
组织： 32,768字×8位
高速
- 20年12月15日NS地址，访问时间
- 6 ，7，8 ns的输出使能存取时间
极低功耗：待机
- 22毫瓦（ AS7C256 ） / MAX CMOS I / O
- 7.2毫瓦（ AS7C3256 ） / MAX CMOS I / O
易于内存扩展CE和OE输入
TTL兼容，三态I / O
28引脚JEDEC标准封装
- 300万PDIP
- 300万SOJ
- 8
×
13.4毫米TSOP 1
极低功耗：ACTIVE
- 的660mW （ AS7C256 ） /最大@ 12纳秒
- 216mW （ AS7C3256 ） /最大@ 12纳秒
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
逻辑框图
V
CC
GND
输入缓冲器
管脚配置
28引脚TSOP 1 （ 8 × 13.4毫米）
28引脚DIP ， SOJ （ 300万）
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A14
I/O7
行解码器
SENSE AMP
256 X 128 X 8
ARRAY
(262,144)
I/O0
列解码器
WE
控制
电路
OE
CE
A14
A12
A7
A6
$
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
注意：此部分是与两个引脚兼容的编号
,2
,2
所用不同制造商的规范。
GND
OE
A11
A9
A8
A13
WE
V
CC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
(22)
(23)
(24)
(25)
(26)
(27)
（ 28 ） AS7C256
（1） AS7C3256
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(21) 28
(20) 27
(19) 26
(18) 25
(17) 24
(16) 23
(15) 22
(14) 21
(13) 20
(12) 19
(11) 18
(10) 17
(9) 16
(8) 15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A13
$
$
A11
OE
A10
CE
I/O7
,2
I/O5
I/O4
,2
A
7
A
8
A A A A A
9 10 11 12 13
选购指南
-12
-15
-20
单位
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
AS7C256
AS7C3256
AS7C256
AS7C3256
12
6
120
60
4
2
15
7
115
55
4
2
20
8
110
50
4
2
AS7C256
AS7C3256
ns
ns
mA
mA
mA
mA
9/18/01; v.1.6
半导体联盟
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版权所有联半导体公司。版权所有。
AS7C256
AS7C3256
功能说明
该AS7C （ 3 ） 256是举办一个5V / 3.3V高性能CMOS 262,144位静态随机存取存储器（ SRAM ）装置
为32,768字× 8位。它是专为需要在低电压下的快速数据存取记忆体应用，包括
奔腾
TM
和PowerPC
TM
和便携式计算。联盟的先进的电路设计和工艺技术允许3.3V
操作在不牺牲性能或经营利润。
该器件进入
待机模式
当
CE
高。 CMOS待机模式下消耗
≤3.6
毫瓦。正常运行提供了75 ％的电力
还原后的初始接入，在CPU空闲，暂停和拉伸模造成显著降低功耗。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的20年12月15日NS与输出使能访问时间（T
OE
6 ） ，7，8纳秒是
非常适合高性能应用。该芯片使能（
CE
）输入允许轻松扩展内存与多个银行
记忆的组织。
写周期是由断言芯片使能（ CE）和写使能（ WE） LOW完成。输入引脚上的I / O0 -I / O7是数据
写在WE （写周期1）或CE （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应该推动
I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期是由断言芯片来完成使能（
CE
）和输出使能（
OE
）较低，写使能（
WE
）高。该
片驱动器的I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当芯片使能或输出使能高，或写
能低，输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容和5V容限。操作是从一个单一的3.3 ± 0.3V供电。该
AS7C （ 3 ） 256A包装在大批量工业标准封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
设备
AS7C256
AS7C3256
符号
V
t1
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–0.5
–
–65
–55
–
最大
+7.0
+5.0
V
CC
+ 0.5
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
V
W
o
C
o
C
mA
应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对MAX-
imum条件下，其期限可能会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
KEY：
X =无关，L =低，H =高
9/18/01; v.1.6
半导体联盟
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AS7C256
AS7C3256
推荐工作条件
参数
电源电压
设备
AS7C256
AS7C3256
AS7C256
输入电压
AS7C3256
—
工作环境温度
* V MIN = -2.0V脉冲宽度小于T / 2 。
IL
RC
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IH
V
IL *
T
A
T
A
民
4.5
3.0
2.2
2.0
-0.5
*
0
–40
典型
5.0
3.3
–
–
–
–
–
最大
5.5
3.6
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
V
o
C
o
广告
产业
C
直流工作特性（在工作范围内）
-12
参数
输入漏
当前
符号测试条件
|I
LI
|
V
CC
=最大，
V
in
= GND到V
CC
设备
两
两
AS7C256
AS7C3256
AS7C256
AS7C3256
AS7C256
AS7C3256
-15
最大
1
1
120
60
40
20
4.0
2.0
0.4
–
民
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.4
最大
1
1
115
55
35
20
4.0
2.0
0.4
–
民
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.4
-20
最大
1
1
110
50
30
20
4.0
2.0
0.4
–
mA
V
V
mA
单位
A
A
民
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.4
输出漏
V =最大，
|I
LO
|
CC
当前
V
OUT
= GND到V
CC
操作
电源
当前
I
CC
V
CC
=最大，CE
≤
V
IL
f = f
最大
, I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大，CE
≤
V
IL
f = f
最大
, I
OUT
= 0毫安
I
SB
待机功耗
电源电流
mA
V
CC
=最大，CE
＆ GT ;
V
CC
–0.2V
I
SB1
V
IN
< GND + 0.2V或
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V ， F = 0
V
OL
I
OL
= 8毫安， V
CC
=分钟
V
OH
I
OH
= -4毫安，V
CC
=分钟
输出电压
两
两
电容（ F = 1MHz的，T
a
=室温，V
CC
=标称）
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CE， WE ， OE
I / O
测试条件
V
in
= 0V
V
in
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
9/18/01; v.1.6
半导体联盟
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