2005年2月
初步信息
AS7C32098A
3.3 V 128K × 16的CMOS SRAM
特点
工业和商业温度
组织： 131,072字× 16位
中心电源和接地引脚
高速
- 10/12/15/20 ns地址访问时间
- 4/5/6/7 ns输出使能访问时间
- 28.8毫瓦/ MAX CMOS
单个字节的读/写控制
易于扩展内存通过CE ， OE输入
TTL和CMOS兼容的三态I / O
44引脚JEDEC标准封装
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
- TSOP 2
低功耗：ACTIVE
- 650毫瓦/ MAX @ 10纳秒
低功耗：待机
逻辑框图
对于TSOP 2引脚排列
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
GND
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A16
A15
A14
OE
UB
LB
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
GND
V
CC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A13
A12
A11
A10
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A6
A7
A8
A12
A13
I/O1–I/O8
I/O9–I/O16
WE
行解码器
V
CC
1024 × 128 × 16
ARRAY
(2,097,152)
GND
I / O
卜FF器
控制电路
列解码器
A5
A9
A10
A11
A14
A15
A16
UB
OE
LB
CE
选购指南
–10
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
产业
广告
10
4
180
170
8
–12
12
5
160
150
8
–15
15
6
140
130
8
–20
20
7
110
100
8
单位
ns
ns
mA
mA
mA
2/24/05, v. 1.0
半导体联盟
10 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS7C32098A
功能说明
该AS7C32098A是一个高性能的CMOS 2097152位的静态随机存取存储器（SRAM）设备组织成
131,072字× 16位。它是专为存储应用中快速的数据存取，低功耗，以及简单的接口是
所需。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
的） 4/5/6/7 NS是
非常适合高性能应用。该芯片使能输入端CE允许轻松扩展内存与多个银行
内存系统。
当CE为高电平时，器件进入待机模式。该装置可保证不超过28.8mW功率消耗在
CMOS待机模式。写周期是由断言写使能（ WE）完成，芯片使能（ CE） 。在输入数据
销的I / O 1 -I / O16被写在WE的上升沿（写周期1）或CE （写周期2）。为了防止总线冲突，外部
设备应该驱动的I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）来实现和芯片使能（ CE ） ，以写使能（ WE）高。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能无效，或
写使能处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
该器件提供多种中心电源和接地引脚，以及独立的字节使能控制，允许单个字节是
写入和读取。的LB控制较低位， I / O1 -I / O8 ，和UB控制较高位，I / O9 -I / O16 。
所有芯片的输入和输出TTL和CMOS兼容，且操作于3.3V （ AS7C32098A ）供应。该装置是
在提供JEDEC标准的TSOP封装2 。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
符号
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+5.0
V
CC
+0.50
1.5
+150
+125
±20
单位
V
V
W
°C
°C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
真值表
CE
H
L
L
WE
X
H
X
OE
X
H
X
LB
X
X
H
L
UB
X
X
I/O1–I/O8
高Z
高Z
I/O9–I/O16
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
H
H
L
L
H
L
L
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
高Z
D
IN
L
H
L
H
L
L
阅读（我
CC
)
L
L
X
H
L
写（我
CC
)
关键：X =无关，L =低，H =高。
2/24/05,v. 1.0
半导体联盟
10 P. 2
AS7C32098A
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度
广告
产业
符号
V
CC
(10/12/15/20)
V
IH **
V
IL *
T
A
T
A
最小典型
3.0
2.0
–0.5
0
–40
3.3
–
–
–
–
最大
3.6
V
CC
+ 0.5
0.8
70
85
单位
V
V
V
°C
°C
*
V
IL
分= -1.0V脉冲宽度小于5ns的。
** V最大= V + 2.0V的脉冲宽度小于5ns的。
IH
CC
直流工作特性（在工作范围内）
1
–10
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
操作
电源
当前
符号
|I
LI
|
测试条件
V
CC
=最大
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大
CE = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
I / O
= GND到V
CC
V
CC
=最大
CE
≤
V
IL
, f = f
最大
I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大
CE
≥
V
IH
， F =最大
V
CC
=最大
CE
≥
V
CC
– 0.2V, V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
输出电压
V
OL
V
OH
I
OL
= 8毫安， V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安，V
CC
=分钟
–
2.4
0.4
–
–
2.4
0.4
–
–
2.4
0.4
–
–
2.4
0.4
–
V
V
产业
广告
–12
–15
–20
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
–
1
–
1
–
1
–
1
A
|I
LO
|
–
1
–
1
–
1
–
1
A
–
-
–
180
170
60
–
-
–
160
150
60
–
-
–
140
130
60
–
-
–
110毫安
百毫安
60
mA
I
CC
I
SB
待机功耗
电源电流
I
SB1
–
8
–
8
–
8
–
8
mA
电容（ F = 1MHz的，T
a
= 25 ° C，V
CC
=标称）
4
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CE， WE ， OE ， UB ， LB
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
最大
6
8
单位
pF
pF
2/24/05,v. 1.0
半导体联盟
10第3页
AS7C32098A
读取波形2 （ CE ， OE ， UB ， LB控制）
5,7,8
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
t
OLZ
CE
t
ACE
t
CLZ
LB ， UB
t
BA
t
BLZ
数据
OUT
数据有效
t
BHZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
写周期（在整个工作范围内）
9
–10
参数
写周期时间
芯片使能（ CE）写结束
地址设置写到底
地址建立时间
把脉冲宽度（ OE =高）
把脉冲宽度（ OE =低）
写恢复时间
从写结束地址保持
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能在高阻输出
从输出的写端活跃
字节使能低到写结束
符号最小值
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP1
t
WP2
t
WR
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
t
BW
10
7
7
0
7
10
0
0
5
0
0
3
7
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
–
–
12
8
8
0
8
12
0
0
6
0
0
3
8
–
6
–
–
–12
民
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
民
15
10
10
0
10
15
0
0
7
0
0
3
10
–15
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
7
–
–
民
20
12
12
0
12
20
0
0
9
0
0
3
12
–20
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
9
–
–
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3,4
3,4
3,4
3,4
记
2/24/05,v. 1.0
半导体联盟
10第5页
QQ：2881677436 复制
