2001年1月
超前信息
AS7C1026A
AS7C31026A
5V / 3.3V 64K ×16的CMOS SRAM
特点
AS7C1026A （ 5V版）
AS7C31026A （ 3.3V版本）
工业和商业版本
组织： 65,536字× 16位
中心电源和接地引脚为低噪音
高速
- 10/12/15/20 ns地址访问时间
- 3/3/4/5 ns输出使能访问时间
最新的6T 0.25U CMOS技术
2.0V数据保留
易于扩展内存通过CE ， OE输入
TTL兼容，三态I / O
JEDEC标准包装
- 44引脚400密耳SOJ
- 44引脚400密耳的TSOP II
- 48球6毫米× 8毫米CSP的mBGA
低功耗：ACTIVE
- 660毫瓦（ AS7C1026A ） /最大@ 10纳秒
- 324毫瓦（ AS7C31026A ） /最大@ 10纳秒
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
低功耗：待机
- 55毫瓦（ AS7C1026A ） / MAX CMOS I / O
- 36毫瓦（ AS7C31026A ） / MAX CMOS I / O
逻辑框图
A0
A2
A3
A4
A5
A6
A7
I/O0–I/O7
I/O8–I/O15
管脚配置
44引脚SOJ ， TSOP II （ 400万）
V
CC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
CC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
48 -CSP小型球栅阵列封装
行解码器
A1
64K × 16
ARRAY
GND
I / O
卜FF器
控制电路
列解码器
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
WE
A
B
C
D
E
F
G
H
1
LB
I/O8
I/O9
V
SS
V
DD
I/O14
I/O15
NC
2
3
OE
A
0
UB
A3
I / O10 A5
I / O11 NC
I / O12 NC
I / O13 A14
NC A12
A8
A9
4
A
1
A4
A6
A7
NC
A15
A13
A10
5
A
2
CE
I/O1
I/O3
I/O4
I/O5
WE
A11
6
NC
I/O0
I/O2
V
DD
V
SS
I/O6
I/O7
NC
UB
OE
LB
CE
选购指南
AS7C1026A-10
AS7C31026A-10
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机
当前
AS7C1026A-12
AS7C31026A-12
AS7C1026A-15
AS7C31026A-15
AS7C1026A-20
AS7C31026A-20
单位
10
3
120
90
10
10
AS7C1026A
AS7C31026A
AS7C1026A
AS7C31026A
AS7C1026A
AS7C31026A
12
3
110
80
10
10
15
4
100
80
10
10
20
5
100
80
15
15
ns
ns
mA
mA
mA
mA
2/6/01; V.0.9
半导体联盟
9 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS7C1026A
AS7C31026A
功能说明
该AS7C1026A和AS7C31026A是高性能CMOS 1,048,576位静态随机存取存储器（ SRAM）组织成设备
65,536字× 16位。它们设计用于快速数据存取，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
的） 3/3/4/5 NS是理想的
高性能的应用程序。
当CE为高电平时，器件进入待机模式。该AS7C1026A保证不超过55毫瓦的功耗CMOS
待机模式。该器件还提供2.0V数据保留。
写周期是由断言写使能（ WE）完成，芯片使能（ CE） 。输入引脚上的I / O0 -I / O15被写入的数据
上升WE的上升沿（写周期1 ）和CE （写周期2 ） 。为了防止总线冲突，外部设备只能输出后驱动I / O引脚
已停用与输出使能（ OE ）和写使能（ WE） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）来实现和芯片使能（ CE ） ，以写使能（ WE）高。芯片驱动I / O引脚
与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能无效，或写启动被激活，输出
司机留在高阻抗模式。
该设备提供了多个中心的电源和接地引脚，以及独立的字节使能控制，使待写入的各个字节和
读取。的LB控制较低位， I / O0 -I / O7 ，和UB控制较高位，I / O8 -I / O15 。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作是从一个单一5V电源（ AS7C1026A ）或3.3V电源（ AS7C31026A ） 。该
器件采用通用的工业标准封装。芯片级BGA封装，易于制造到使用，提供最小
可能的足迹。这48球JEDEC注册封装具有0.75 mm的8毫米×6毫米的焊球间距及外形尺寸。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与VCC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
AS7C1026A
AS7C31026A
两
两
两
两
两
符号
V
t1
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+7.0
+5.0
V
CC
+0.50
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
V
W
°C
°C
mA
注：强调超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
H
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
H
X
LB
X
L
H
L
L
L
H
X
H
UB
X
H
L
L
L
H
L
X
H
I / O0 -I / O7 I / O8 -I / O15
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
D
IN
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
D
IN
高Z
D
IN
高Z
模式
待机（我
SB
), I
SBI
)
读取I / O0 -I / O7 （我
CC
)
读取I / O8 -I / O15 （我
CC)
读取I / O0 -I / O15 （我
CC
)
写I / O0 -I / O15 （我
CC
)
写I / O0 -I / O7 （我
CC
)
写I / O8 -I / O15 （我
CC
)
禁止输出（I
CC
)
KEY：
H =高，L =低，X =无关。
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半导体联盟
9 P. 2
AS7C1026A
AS7C31026A
读周期（在整个工作范围内）
3,9
-10
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CE ）访问时间
输出使能（ OE ）访问时间
从地址变更输出保持
CE低到低Z输出
CE高到输出高阻
OE低到低Z输出
字节选择访问时间
字节选择低到低Z
字节选择高到高阻
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
BA
t
BLZ
t
BHZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
民
10
–
–
–
2
0
–
0
–
0
–
–
0
–
最大
–
10
10
3
–
–
3
–
3
–
5
3
–
10
12
–
–
–
3
0
–
0
–
0
–
–
0
–
-12
民
最大
–
12
12
3
–
–
3
–
3
–
6
3
–
12
15
–
–
–
3
0
–
0
–
0
–
–
0
–
-15
民
最大
–
15
15
4
–
–
4
–
4
–
6
4
–
15
20
–
–
–
3
0
–
0
–
0
–
–
0
–
-20
民
最大单位
–
20
20
5
–
–
5
–
5
–
8
5
–
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
5
4, 5
4, 5
4, 5
3
3
笔记
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义输出/无所谓
读取波形1 （地址控制）
3,6,7,9
t
RC
地址
数据
OUT
t
OH
以前的数据有效
t
AA
数据有效
t
OH
读取波形2 （ OE ， CE ， UB ， LB控制）
3,6,8,9
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OLZ
CE
t
LZ
LB ， UB
t
BLZ
数据
IN
t
BA
数据有效
t
BHZ
t
ACE
t
OHZ
t
HZ
t
OE
t
OH
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AS7C1026A
AS7C31026A
写周期（在整个工作范围内）
11
-10
参数
写周期时间
芯片使能（ CE）写结束
地址设置写到底
地址建立时间
把脉冲宽度
从写结束地址保持
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
从输出的写端活跃
字节选择低写入结束
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
t
BW
10
8
8
0
7
0
5
0
–
1
8
–
–
–
–
–
–
–
–
6
–
–
-12
12
10
9
0
8
0
6
0
–
1
10
–
–
–
–
–
–
–
–
6
–
–
15
12
10
0
9
0
8
0
–
1
12
-15
–
–
–
–
–
–
–
–
6
–
–
-20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
4, 5
4, 5
笔记
20
12
12
0
12
0
10
0
–
2
12
–
–
–
–
–
–
–
–
8
–
–
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
写波形1 （我们控制）
10,11
t
WC
地址
t
CW
CE
t
BW
LB ， UB
t
AS
WE
t
DW
数据
IN
t
WZ
数据
OUT
数据中，未定义
数据有效
t
OW
高Z
t
WC
地址
t
AS
CE
t
CW
t
AW
t
BW
LB ， UB
t
WP
WE
t
DW
数据
IN
t
CLZ
数据
OUT
2/6/01; V.0.9
高Z
t
WZ
数据中，未定义
高Z
9第5页
数据有效
t
OW
t
DH
t
WR
t
DH
t
AW
t
WP
t
WR
写波形2 （ CE控制）
10,11
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