2001年3月
AS7C1026
AS7C31026
5V / 3.3V 64K × 16的CMOS SRAM
特点
AS7C1026 （ 5V版）
AS7C31026 （ 3.3V版本）
工业和商业版本
组织： 65,536字×16位
中心电源和接地引脚为低噪音
高速
- 20年12月15日NS地址，访问时间
- 6,7,8 ns输出使能访问时间
低功耗：ACTIVE
- 880毫瓦（ AS7C1026 ） /最大@ 12纳秒
- 396毫瓦（ AS7C31026 ） /最大@ 12纳秒
低功耗：待机
- 28毫瓦（ AS7C1026 ） / MAX CMOS I / O
- 18毫瓦（ AS7C31026 ） / MAX CMOS I / O
2.0V数据保留
易于扩展内存通过CE ， OE输入
TTL兼容，三态I / O
JEDEC标准包装
- 44引脚400密耳SOJ
- 44引脚400密耳的TSOP II
- 48球6毫米× 8毫米CSP的mBGA
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
逻辑框图
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
I/O0–I/O7
I/O8–I/O15
管脚配置
44引脚SOJ ， TSOP II （ 400万）
V
CC
行解码器
64K × 16
ARRAY
GND
I / O
卜FF器
控制电路
列解码器
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
WE
UB
OE
LB
CE
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
CC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
48 -CSP小型球栅阵列封装
1
2
3
4
5
A
LB
OE
A
0
A
1
A
2
B I / O8 UB
A3
A4 CE
C I / O9 I / O10 A5
A6的I / O1
D V
SS
I / O11 NC
A7的I / O3
ê V
DD
I / O12 NC
NC I / O4
F I / O14 I / O13 A14 A15 I / O5
G I / O15 NC A12 A13 WE
NC
A8
A9 A10 A11
6
NC
I/O0
I/O2
V
DD
V
SS
I/O6
I/O7
NC
选购指南
AS7C1026-12
AS7C31026-12
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
阴影部分表示的初步信息。
AS7C1026
AS7C31026
AS7C1026-15
AS7C31026-15
15
8
150
100
10
10
AS7C1026-20
AS7C31026-20
20
10
140
90
15
15
单位
ns
ns
mA
mA
mA
mA
12
6
AS7C1026
AS7C31026
AS7C1026
AS7C31026
160
110
10
10
3/23/01; v.1.0
半导体联盟
10 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS7C1026
AS7C31026
功能说明
该AS7C1026和AS7C31026是高性能的CMOS 1048576位的静态随机存取存储器（SRAM）器件
组织为65,536字×16位。它们设计用于存储应用中的快速数据存取，低功耗，简单
接口是期望的。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的20年12月15日NS与输出使能访问时间（T
OE
的） 6,7,8 NS是理想
对于高性能应用。
当CE为高电平时，器件进入STANBY模式。该AS7C1026保证不超过28毫瓦的功耗
CMOS待机模式。该器件还提供2.0V数据保留。
写周期是由断言写使能（ WE）完成，芯片使能（ CE） 。输入引脚上的I / O0 -I / O15是数据
写在WE （写周期1）或CE （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应该推动I /
O引脚后，才输出已被禁用与输出使能（ OE ）和写使能（ WE） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）来实现和芯片使能（ CE ） ，以写使能（ WE）高。芯片驱动
I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能是无效的，或写
使处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
该器件提供多种中心电源和接地引脚，以及独立的字节使能控制，允许单个字节是
写入和读取。的LB控制较低位， I / O0 -I / O7 ，和UB控制较高位，I / O8 -I / O15 。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作是从一个单一5V电源（ AS7C1026 ）或3.3V电源
（ AS7C31026 ） 。该器件采用通用的工业标准封装。芯片级BGA封装的，易于使用的
制造，提供尽可能小的足迹。这48球JEDEC注册封装具有0.75毫米的焊球间距和
为8mm × 6毫米外部尺寸。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与VCC应用
DC电流转换成输出（低电平）
AS7C1026
AS7C31026
符号
V
t1
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+7.0
+5.0
V
CC
+0.50
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
V
W
°C
°C
mA
注：强调超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
L
L
WE
X
H
H
H
L
L
OE
X
L
L
L
X
X
LB
X
L
H
L
L
L
UB
X
H
L
L
L
H
I/O0–I/O7
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
D
IN
I/O8–I/O15
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
D
IN
高Z
模式
待机（我
SB
), I
SBI
)
读取I / O0 -I / O7 （我
CC
)
读取I / O8 -I / O15 （我
CC)
读取I / O0 -I / O15 （我
CC
)
写I / O0 -I / O15 （我
CC
)
写I / O0 -I / O7 （我
CC
)
3/23/01; v.1.0
半导体联盟
10 P. 2
AS7C1026
AS7C31026
读周期（在整个工作范围内）
3,9
-12
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CE ）访问时间
输出使能（ OE ）访问时间
从地址变更输出保持
CE低到低Z输出
CE高到输出高阻
OE低到低Z输出
字节选择访问时间
字节选择低到低Z
字节选择高到高阻
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
阴影部分表示的初步信息。
-15
最大
–
12
12
6
–
–
6
–
6
–
6
6
–
12
民
15
–
–
–
4
0
–
0
–
0
–
–
0
–
最大
–
15
15
7
–
–
6
–
7
–
6
6
–
15
民
20
–
–
–
4
0
–
0
–
0
–
–
0
–
-20
最大
–
20
20
8
–
–
8
–
8
–
8
8
–
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,5
4,5
4, 5
4, 5
4, 5
5
4, 5
4, 5
4, 5
3
3
笔记
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
BA
t
BLZ
t
BHZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
民
12
–
–
–
4
0
–
0
–
0
–
–
0
–
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义输出/无所谓
读取波形1 （地址控制）
3,6,7,9
t
RC
地址
数据
OUT
t
OH
以前的数据有效
t
AA
数据有效
t
OH
读取波形2 （ OE ， CE ， UB ， LB控制）
3,6,8,9
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OLZ
CE
t
LZ
LB ， UB
t
BLZ
数据
IN
t
BA
数据有效
t
BHZ
t
ACE
t
OHZ
t
HZ
t
OE
t
OH
3/23/01; v.1.0
半导体联盟
10第4页
2000年5月
AS7C1026
AS7C31026
5V / 3.3V 64K × 16的CMOS SRAM
特点
AS7C1026 （ 5V版）
AS7C31026 （ 3.3V版本）
工业和商业版本
组织： 65,536字×16位
中心电源和接地引脚为低噪音
高速
- 10/12/15/20 ns地址访问时间
- 5/6/8/10 ns输出使能访问时间
低功耗：ACTIVE
- 880毫瓦（ AS7C1026 ） /最大@ 12纳秒
- 396毫瓦（ AS7C31026 ） /最大@ 12纳秒
低功耗：待机
- 28毫瓦（ AS7C1026 ） / MAX CMOS I / O
- 18毫瓦（ AS7C31026 ） / MAX CMOS I / O
2.0V数据保留
易于扩展内存通过CE ， OE输入
TTL兼容，三态I / O
JEDEC标准包装
- 44引脚400密耳SOJ
- 44引脚400密耳的TSOP II
- 48球6毫米× 8毫米CSP的mBGA
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
逻辑框图
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
I/O0–I/O7
I/O8–I/O15
管脚配置
44引脚SOJ ， TSOP II （ 400万）
V
CC
64K × 16
ARRAY
GND
控制电路
列解码器
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
WE
UB
OE
LB
CE
选购指南
AS7C1026-12 AS7C1026-15 AS7C1026-20
AS7C31026-10 AS7C31026-12 AS7C31026-15 AS7C31026-20
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
阴影部分表示的初步信息。
AS7C102
I / O
卜FF器
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
CC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
行解码器
48 -CSP小型球栅阵列封装
1
2
3
4
5
OE
A
0
A
1
A
2
A
LB
A3
A4 CE
B I / O8 UB
A6的I / O1
C I / O9 I / O10 A5
A7的I / O3
D V
SS
I / O11 NC
ê V
DD
I / O12 NC
NC I / O4
F I / O14 I / O13 A14 A15 I / O5
G I / O15 NC A12 A13 WE
NC
A8
A9 A10 A11
6
NC
I/O0
I/O2
V
DD
V
SS
I/O6
I/O7
NC
单位
ns
ns
mA
mA
mA
mA
10
5
AS7C1026
AS7C31026
AS7C1026
AS7C31026
–
125
–
3
12
6
160
110
3
3
15
8
150
100
3
3
20
10
140
90
3
3
DID 11-20011 -A 。 00年5月22日
半导体联盟
1
版权所有1999联半导体公司。版权所有。
AS7C1026
AS7C31026
功能说明
该AS7C1026和AS7C31026是高性能的CMOS 1048576位的静态随机存取存储器（SRAM）器件
组织为65,536字×16位。它们设计用于存储应用中的快速数据存取，低功耗，简单
接口是期望的。
SRAM
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
）的5/6/8/10 NS
非常适合高性能应用。
当CE为高电平时，器件进入STANBY模式。该AS7C1026保证不超过28毫瓦的功耗
CMOS待机模式。该器件还提供2.0V数据保留。
写周期是由断言写使能（ WE）完成，芯片使能（ CE） 。输入引脚上的I / O0 -I / O15是数据
写在WE （写周期1）或CE （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应该推动I /
O引脚后，才输出已被禁用与输出使能（ OE ）和写使能（ WE） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）来实现和芯片使能（ CE ） ，以写使能（ WE）高。芯片驱动
I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能是无效的，或写
使处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
该器件提供多种中心电源和接地引脚，以及独立的字节使能控制，允许单个字节是
写入和读取。的LB控制较低位， I / O0 -I / O7 ，和UB控制较高位，I / O8 -I / O15 。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作是从一个单一5V电源（ AS7C1026 ）或3.3V电源
（ AS7C31026 ） 。该器件采用通用的工业标准封装。芯片级BGA封装的，易于使用的
制造，提供尽可能小的足迹。这48球JEDEC注册封装具有0.75毫米的焊球间距和
为8mm × 6毫米外部尺寸。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与VCC应用
DC电流转换成输出（低电平）
AS7C1026
AS7C31026
符号
V
t1
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+7.0
+5.0
V
CC
+0.50
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
V
W
°
C
°
C
mA
注：强调超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个STRE SS值仅为功能
该设备在这些或以外的与本规范ification的业务部门所标明的任何其他条件的tional操作不暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
L
L
WE
X
H
H
H
L
L
OE
X
L
L
L
X
X
LB
X
L
H
L
L
L
UB
X
H
L
L
L
H
I/O0–I/O7
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
D
IN
I/O8–I/O15
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
D
IN
高Z
模式
待机（我
SB
), I
SBI
)
读取I / O0 -I / O7 （我
CC
)
读取I / O8 -I / O15 （我
CC)
读取I / O0 -I / O15 （我
CC
)
写I / O0 -I / O15 （我
CC
)
写I / O0 -I / O7 （我
CC
)
2
半导体联盟
DID 11-20011 -A 。 00年5月22日
AS7C1026
AS7C31026
CE
L
L
L
WE
L
H
X
OE
X
H
X
LB
H
X
H
UB
L
X
H
I/O0–I/O7
高Z
高Z
I/O8–I/O15
D
IN
高Z
模式
写I / O8 -I / O15 （我
CC
)
禁止输出（I
CC
)
SRAM
SRAM
KEY：
H =高，L =低，X =无关。
推荐工作条件
参数
电源电压
设备
AS7C1026
AS7C31026 （ -10 ）
AS7C31026 （ 20年12月15日）
AS7C1026
输入电压
广告
产业
AS7C31026
符号
V
CC
V
CC
V
CC
V
IH
V
IH
V
IL
工作环境温度
V
民
4.5
3.15
3.0
2.2
2.0
–0.5
0
–40
典型值
5.0
3.3
3.3
–
–
–
–
–
最大
5.5
3.6
3.6
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.5
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
V
V
°C
°C
T
A
T
A
IL
分= -3.0V脉冲宽度小于T
RC
/2.
直流工作特性（在工作范围内）
-10
参数
输入漏
当前
符号
|
I
LI
|
-12
-15
-20
最小最大单位
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.4
1
1
A
A
测试条件
V
CC
=最大
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大
CE = V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最大，CE
≤
V
IL
输出打开，
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
=最大，CE
≤
V
IL
,
输出打开，
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
=最大，CE
≥
V
CC
–0.2V,
V
IN
≤
GND + 0.2V或
V
IN
≥
V
CC
-0.2V ， F = 0
I
OL
= 8毫安， V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安，V
CC
=分钟
设备
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
–
–
1
1
–
125
–
25
–
10
0.4
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.4
1
1
160
110
40
25
10
10
0.4
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.4
1
1
150
100
40
25
10
10
0.4
–
输出漏
|
I
LO
|
当前
操作
电源
当前
I
CC
AS7C1026
AS7C31026
AS7C1026
AS7C31026
AS7C1026
AS7C31026
–
–
–
–
–
–
–
2.4
140毫安
90
40
25
10
10
0.4
–
mA
V
V
mA
mA
待机
电源
当前
I
SB
I
SB1
V
OL
V
OH
产量
电压
阴影部分表示的初步信息。
电容（ F = 1MHz的，T
a
= 25
°C,
V
CC
=标称）
参数
输入电容
I / O容量
DID 11-20011 -A 。 00年5月22日
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CE， WE ， OE ， LB ， UB
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
最大单位
5
7
pF
pF
半导体联盟
3
AS7C1026
AS7C31026
读周期（在整个工作范围内）
-10
参数
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
BA
t
BLZ
t
BHZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
民
10
–
–
–
4
0
–
0
–
0
–
–
0
–
最大
–
10
10
5
–
–
6
–
5
–
5
5
–
10
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CE ）访问时间
输出使能（ OE ）访问时间
从地址变更输出保持
CE低到低Z输出
CE高到输出高阻
OE低到低Z输出
字节选择访问时间
字节选择低到低Z
字节选择高到高阻
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
阴影部分表示的初步信息。
-12
民
12
–
–
–
4
0
–
0
–
0
–
–
0
–
最大
–
12
12
5
–
–
6
–
6
–
6
6
–
12
15
–
–
–
4
0
–
0
–
0
–
–
0
–
-15
民
最大
–
15
15
8
–
–
6
–
8
–
6
6
–
15
20
–
–
–
4
0
–
0
–
0
–
–
0
–
-20
民
最大
–
20
20
10
–
–
8
–
10
–
8
8
–
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,5
4,5
4, 5
4, 5
4, 5
5
4, 5
4, 5
4, 5
3
3
笔记
SRAM
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义输出/无所谓
读取波形1 （地址控制）
t
RC
地址
数据
OUT
t
OH
以前的数据有效
t
AA
数据有效
t
OH
读取波形2 （ OE ， CE ， UB ， LB控制）
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OLZ
CE
t
LZ
LB ， UB
t
BLZ
数据
IN
t
BA
数据有效
t
BHZ
t
ACE
t
OHZ
t
HZ
t
OE
t
OH
4
半导体联盟
DID 11-20011 -A 。 00年5月22日
AS7C1026
AS7C31026
写周期（在整个工作范围内）
-10
参数
写周期时间
芯片使能（ CE）写结束
地址设置写到底
地址建立时间
把脉冲宽度
从写结束地址保持
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
从输出的写端活跃
字节选择低写入结束
阴影部分表示的初步信息。
-12
–
–
–
–
–
–
–
–
6
–
–
12
8
9
0
8
0
6
0
–
1
8
–
–
–
–
–
–
–
–
6
–
–
-15
15
12
10
0
10
0
8
0
–
1
9
–
–
–
–
–
–
–
–
6
–
–
-20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
4, 5
4, 5
笔记
20
13
12
0
12
0
10
0
–
2
12
–
–
–
–
–
–
–
–
8
–
–
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
t
BW
10
8
8
0
8
0
5
0
–
1
8
SRAM
SRAM
写波形1 （我们控制）
t
WC
地址
t
CW
CE
t
BW
LB ， UB
t
AS
WE
t
DW
数据
IN
t
WZ
数据
OUT
数据中，未定义
数据有效
t
OW
高Z
t
WC
地址
t
AS
CE
t
CW
t
AW
t
BW
LB ， UB
t
WP
WE
t
DW
数据
IN
t
CLZ
数据
OUT
高Z
t
WZ
数据中，未定义
高Z
数据有效
t
OW
t
DH
t
WR
t
DH
t
AW
t
WP
t
WR
写波形2 （ CE控制）
DID 11-20011 -A 。 00年5月22日
半导体联盟
5
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