$6&
$6&/
$6&
$6&/
.&02665$0 &RPPRQ,2
？ IDPLO \\
） HDWXUHV
组织： 131,072字×8位
高速
- 10/12/15/20 ns地址访问时间
- 3/3/4/5 ns输出使能访问时间
低功耗提供
- 活动： 180毫瓦最大（ 3V ， 15纳秒）
- 待机： 1.8毫瓦最大， CMOS I / O
- 主动式功率极低的直流分量
2.0V数据保留
平等接入和周期时间
易于扩展内存与CE1 ， CE2 ， OE输入
TTL / LVTTL兼容，三态I / O
32引脚JEDEC标准封装
- 300万PDIP和SOJ
插座兼容7C512 （ 64K × 8 ）
- 400万SOJ
- 8毫米X20毫米TSOP
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
提供3.3V和5.0V版本
工业和商业温度可
Intelliwatt
tm
提供低功耗和CPG版本
65$0
/ RJLF ？？ GLDJUDP
VCC
GND
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
3LQDUUDQJHPHQW
TSOP
DIP ， SOJ
I/O7
行解码器
512×256×8
ARRAY
(1,048,576)
SENSE AMP
I/O0
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
NC
A10
CE1
A16
I/O7
A14
I/O6
A12
A7
I/O5
I/O4
A6
I/O3
A5
GND
A4
I/O2
A3
I/O1
A2
I/O0
A1
A0
A0
A1
I/O0
A2
I/O1
A3
列解码器
控制
电路
WE
OE
CE1
CE2
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
6HOHFWLRQJXLGH
-10
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
AS7C1024
最大工作电流
AS7C1024L
AS7C31024
AS7C31024L
最大静态待机电流（L ）
阴影区域包含预览。
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
-12
12
3
160
120
100
60
0.1
-15
15
4
120
95
70
50
0.1
-20
20
5
110
80
65
45
0.1
单位
ns
ns
mA
mA
mA
mA
mA
10
3
175
–
150
–
0.1
',' %
',' %
$//,$1&(6(0,&21'8&725
版权所有1998联半导体公司。版权所有。
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
$6&IDPLO\
） XQFWLRQDO ？ GHVFULSWLRQ
该AS7C1024和AS7C31024是高性能CMOS 1,048,576位静态随机存取存储器（ SRAM）组织为131,072
字× 8位。它是专为需要快速数据存取，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
65$0
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
的） 3/3/4/5 NS是理想的
高性能的应用。活跃的高和低的芯片使能（ CE1 ， CE2 ）允许轻松扩展内存与多个银行系统。
当CE1为高电平或CE2为低时，器件进入待机模式。如果输入切换仍，该设备会消耗我
SB
力。如果总线
是静态的，那么完全待机功耗达到（我
SB1
还是我
SB2
） 。该31024L例如，保证不会超过根据标称满0.33mW
待机状态。该系列的所有器件在V将保留数据
CC
减小低至2.0V 。
写周期是由断言写使能（ WE）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ） 。输入引脚上的I / O0 -I / O7写入数据
在WE （写周期1）和CE1和CE2是（写周期2）的活性 - 无效边缘的上升沿。为了防止总线冲突，外部
设备应该驱动的I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ） ，用写使能（ WE） HIGH 。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能无效，输出使能是无效的，或写
使处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL / LVTTL兼容，并且操作是从一个单一5V电源或3.3V电源。 128Kx8和64Kx16
SRAM是还超低功耗Intelliwatt可用
tm
版本。对于Intelliwatt规格，请参阅AS7C31024LL和
分别AS7C31026LL数据表。革命引出线（ CPG ）版本128Kx8可发现为AS7C1025 ， AS7C31025 。
$ EVROXWH ？ PD [ LPXP ？ UDWLQJV
参数
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
在偏置温度
直流输出电流
符号
V
t
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–
–55
–10
–
最大
+7.0
1.0
+150
+85
20
单位
V
W
o
C
o
C
mA
应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对MAX-
imum条件下，其期限可能会影响其可靠性。
7UXWKWDEOH
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
in
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
待机（我
SB
, I
SB1
)
输出禁用
读
写
关键： X =无关，L =低，H =高
$//,$1&(6(0,&21'8&725
',' %
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$6&IDPLO\
5HFRPPHQGHGRSHUDWLQJFRQGLWLRQV
参数
5V器件
电源电压
3.3V器件
AS7C1024
输入电压
V
符号
V
CC
V
CC
GND
V
IH
V
IH
V
金正日？
AS7C31024
民
4.5
3.0
0.0
2.2
2.0
–0.5
公称
5.0
3.3
0.0
–
–
–
最大
5.5
3.6
0.0
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.5
0.8
单位
V
V
V
V
V
V
65$0
65$0
IL
分= -3.0V脉冲宽度小于T
RC
/2.
'&LQSXWRXWSXWFKDUDFWHULVWLFV$6&IDPLO\
1
-10
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
输出电压
符号
|
I
LI
|
|
I
LO
|
V
OL
V
OH
测试条件
V
CC
=最大，
V
in
= GND到V
CC
CE1 = V
IH
or
CE2 = V
IL
,
V
CC
=最大，
V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安， V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安，V
CC
=分钟
民
–
最大
1
-12
民
–
最大
1
-15
民
–
最大
1
-20
民
–
最大
1
单位
A
A
V
V
–
–
2.4
1
0.4
–
–
–
2.4
1
0.4
–
–
–
2.4
1
0.4
–
–
–
2.4
1
0.4
–
阴影区域包含预览。
3RZHUVXSSO\FKDUDFWHULVWLFV$6&DQG$6&/
1
-10
参数
操作
电源
当前
符号
I
CC
测试条件
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
,
f
=
f
最大，
I
OUT
= 0毫安
CE1 = V
IH
or
CE2 = V
IL
,
f
=
f
最大
，切换所有输入
芯片禁用， F = 0 ，
V
in
≤
0.2V
or
V
in
≥
V
CC
–0.2V
-12
民
–
–
–
–
–
–
–
最大
160
120
50
35
5
0.5
0.1
–
–
–
–
–
–
–
-15
民
最大
120
95
40
25
5
0.5
0.1
–
–
–
–
–
–
–
-20
民
最大
110
80
40
25
5
0.5
0.1
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
民
–
L
–
–
L
L
L
–
–
–
–
最大
175
–
55
–
5
–
–
I
SB
待机
电源
当前
I
SB1
I
SB2
芯片禁用， F = 0 ，T
A
= 25°C
V
in
≤
0.2V
or
V
in
≥
V
CC
–0.2V,
阴影区域包含预览。
',' %
$//,$1&(6(0,&21'8&725
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$6&IDPLO\
3RZHUVXSSO\FKDUDFWHULVWLFV$6&DQG$6&/
1
-10
参数
符号
I
CC
测试条件
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
,
f
=
f
最大，
I
OUT
= 0毫安
CE1 = V
IH
or
CE2 = V
IL
,
f
=
f
最大
芯片禁用， F = 0 ，
V
in
≤
0.2V
or
V
in
≥
V
CC
–0.2V
-12
民
–
–
–
–
–
–
–
最大
100
60
50
35
5
0.5
0.1
–
–
–
–
–
–
–
-15
民
最大
70
50
40
25
5
0.5
0.1
–
–
–
–
–
–
–
-20
民
最大
65
45
40
25
5
0.5
0.1
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
最小最大
–
L
–
–
L
L
L
–
–
–
–
150
–
55
–
5
–
–
65$0
操作
电源
当前
I
SB
待机
电源
当前
I
SB1
I
SB2
芯片禁用， F = 0 ，T
A
= 25C
V
in
≤
0.2V
or
V
in
≥
V
CC
–0.2V,
阴影区域包含预览。
&DSDFLWDQFH ？
2
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
I 0+]7
D
？ ？ 5RRP ？ WHPSHUDWXUH ?? 9
&&
测试条件
V
in
= 0V
V
in
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
A， CE1 ， CE2 ， WE ， OE
I / O
5HDGF\FOH
3,9,12
-10
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CE1 ）访问时间
芯片使能（ CE2 ）访问时间
输出使能（ OE ）访问时间
从地址变更输出保持
CE1低到低Z输出
CE2高到低Z输出
CE1高到高Z输出
CE2低到高Z输出
OE低到低Z输出
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
符号
t
RC
t
AA
t
ACE1
t
ACE2
t
OE
t
OH
t
CLZ1
t
CLZ2
t
CHZ1
t
CHZ2
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
民
10
–
–
–
–
2
3
3
–
–
0
–
0
–
最大
–
10
10
10
3
–
–
–
3
3
–
3
–
10
12
–
–
–
–
3
3
3
–
–
0
–
0
–
-12
民
最大
–
12
12
12
3
–
–
–
3
3
–
3
–
12
15
–
–
–
–
3
3
3
–
–
0
–
0
–
-15
民
最大
–
15
15
15
4
–
–
–
4
4
–
4
–
15
20
–
–
–
–
3
3
3
–
–
0
–
0
–
-20
民
最大
–
20
20
20
5
–
–
–
5
5
–
5
–
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5
4, 5
4, 5, 12
4, 5, 12
3
3, 12
3, 12
笔记
$//,$1&(6(0,&21'8&725
',' %
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$6&IDPLO\
.H \\ ？ WR ？ VZLWFKLQJ ？ ZDYHIRUPV
瑞星输入
下降输入
未定义输出/无所谓
$ GGUHVV ？ FRQWUROOHG
5HDGZDYHIRUP
3,6,7,9,12
t
RC
地址
D
OUT
t
AA
数据有效
65$0
65$0
t
5HDGZDYHIRUP
3,6,8,9,12
CE1
CE2
OE
D
OUT
t
ACE1,
t
ACE2
t
CLZ1 ， tCLZ2
t
PU
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
CHZ1,
t
CHZ2
t
RC1
& （ ?? DQG ？ & （?? FRQWUROOHG
ATA V alid
t
PD
50%
50%
I
CC
I
SB
当前
供应
',' %
$//,$1&(6(0,&21'8&725
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QQ：2881677436 复制
