AS7C31024B
功能说明
该AS7C31024B是组织为131,072字的高性能CMOS 1048576位的静态随机存取存储器（SRAM）器件
×8位。它是专为需要快速数据存取，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
）的5，6， 7，8毫微秒是理想的
高性能的应用。活跃的高和低的芯片使能（ CE1 ， CE2 ）允许轻松扩展内存与多个银行系统。
当CE1是高还是CE2为低电平时，器件进入待机模式。如果输入切换仍，设备会消耗我
SB
力。如果总线是
静态的，那么完全待机功耗达到（我
SB1
） 。例如， AS7C31024B保证不超过18毫瓦以下标称满
待机状态。
写周期是由断言写使能（ WE）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ） 。输入引脚上的I / O0通过我的数据/ O7是
写在WE （写周期1）和CE1和CE2是（写周期2）的活性 - 无效边缘的上升沿。为了防止总线冲突，
外部设备应该驱动的I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ） ，用写使能（ WE） HIGH 。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能无效，或写使能
活跃，输出驱动器保持在高阻抗模式。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
符号
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
-0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+5.0
V
CC
+0.50
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
W
°C
°C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的tional操作不暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（
ICC
)
关键： X =无关，L =低，H =高
3/24/04, v.1.2
半导体联盟
9 P. 2
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