2006年9月
超前信息
AS7C256B
5V 32K ×8 CMOS SRAM （通用I / O）
特点
=工业（ -40
o
85
o
C）温度
组织： 32,768字×8位
高速
- 12 ns的地址，访问时间
- 6 ns输出使能访问时间
28引脚JEDEC标准封装
- 300万SOJ
- 8
×
13.4毫米TSOP
- 300万PDIP
ESD保护
≥
2000伏
通过芯片取消低功耗
一个片选加一输出使能引脚
双向数据输入和输出
TTL兼容
逻辑框图
管脚配置
28引脚DIP ， SOJ （ 300万）
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
CC
GND
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
地址译码器
I/O7
SENSE AMP
32,768 X 8
ARRAY
(262,144)
I/O0
28引脚TSOP 1 （ 8 × 13.4毫米）
OE
A11
A9
A8
A13
WE
V
CC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
(21) 28
(22)
(20) 27
(23)
(19) 26
(24)
(18) 25
(25)
(17) 24
(26)
(16) 23
(27)
(28)
AS7C256B
(15) 22
(14) 21
(1)
(13) 20
(2)
(12) 19
(3)
(11) 18
(4)
(10) 17
(5)
(9) 16
(6)
(8) 15
(7)
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
地址译码器
WE
控制
电路
OE
CE
A A A A A A A
8 9 10 11 12 13 14
注意：此部分是与两个引脚兼容的编号
所用不同制造商的规范。
12/5/06; V.1.0
内存联盟
AS7C256B
8 P. 1
版权所有联盟的内存。版权所有。
AS7C256B
功能说明
该AS7C256B是5V
高性能CMOS
262144位的静态随机存取存储器（SRAM）设备组织成
32,768字× 8位。它是专为需要在低电压下快速数据访问，包括奔腾内存应用
TM
,
PowerPC的
TM
和便携式计算。联盟的先进的电路设计和工艺技术允许5.0V操作
在不牺牲性能或经营利润。
该器件进入
待机模式
当CE为高电平。平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
的） 12纳秒与输出
启用访问时间（T
OE
）的6纳秒非常适合高性能应用。芯片使能（ CE ）输入允许容易记忆
扩大与多个银行的内存组织。
写周期是由断言芯片使能（ CE）和写使能（ WE） LOW完成。输入引脚上的I / O0 -I / O7是数据
写在WE （写周期1）或CE （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应该推动
I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期是通过认定芯片使能（CE）和输出使能（OE ）低完成的，用写使能（WE）高。该
片驱动器的I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当芯片使能或输出使能高，或写
能低，输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容。操作是从一个单一的5.0 ±0.5V电源。该AS7C256B封装在
大批量的工业标准封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
注意：
应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
符号
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–
–55
–55
–
最大
+7.0
V
CC
+ 0.5
1.25
+125
+125
50
单位
V
V
W
o
C
o
C
mA
真值表
CE
WE
OE
数据
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
H
L
L
L
注意事项：
H = V
IH
中，L = V
IL
， X =无关。
V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V.
其他投入
≥
V
HC
或V
LC
.
X
H
H
L
X
H
L
X
12/5/06; V.1.0
内存联盟
8第2页
AS7C256B
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度（工业）
注意：
1 V
IL
分= -1.5V为脉冲宽度小于10ns的，每循环一次。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
(1)
T
A
民
4.5
2.2
-0.5
(1)
–40
典型
5.0
–
–
–
最大
5.5
V
CC
+0.5
0.8
85
单位
V
V
V
o
C
直流工作特性（在工作范围内）
1
AS7C256B-12
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
I
CC
I
SB
待机电源电流
I
SB1
V
OL
V
OH
测试条件
V
CC
=最大，
V
in
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最大，CE
≤
V
IL
f = f
最大
, I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大，CE
＆ GT ;
V
IH
f = f
最大
, I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大，CE
＆ GT ;
V
CC
–0.2V
V
IN
< GND + 0.2V或
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V ， F = 0
(2)
I
OL
= 8毫安， V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安，V
CC
=分钟
民
–
–
–
–
最大
5
5
160
50
单位
A
A
mA
mA
–
–
2.4
15
0.4
–
mA
V
V
输出电压
注意事项：
所有数值都是最大保证值。
f
最大
= 1/t
RC
只有解决投入骑自行车在f
最大
中，f = 0表示没有输入循环。
电容（ F = 1MHz的，T
a
=室温，V
CC
=标称）
2
参数
输入电容
I / O容量
注意：
这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CE， WE ， OE
I / O
测试条件
V
in
= 3DV
V
OUT
= 3DV
最大
7
7
单位
pF
pF
12/5/06; V.1.0
内存联盟
8第3页
QQ：2880707522 复制
