AS7C251MPFD18A
功能说明
该AS7C251MPFD18A是组织为高性能CMOS 16兆位同步静态随机存取存储器（SRAM）器件
1048576字X 18位，并采用了双级寄存器 - 寄存器管道上任何给定的技术的最高频率。
6 / 7.5 ns的时钟存取时间短的循环时间（T
CD
的） 3.5 / 3.8纳秒使166 MHz和133 MHz的总线频率。三芯片使能
（ CE）输入允许轻松扩展内存。控制器地址选通（ ADSC） ，或：在以下两种方式之一启动突发操作
处理器地址选通（ ADSP ） 。突发提前引脚（ ADV ）允许后续内部产生爆裂地址。
读周期开始与ADSP （不论WE和ADSC的）使用新的外部地址读入片内地址寄存器
当ADSP采样为低电平时，芯片使取样积极的，与输出缓冲器使能OE 。在一读操作时，数据
通过CLK的上升沿，在地址寄存器中登记的当前地址进行访问是否被运送到数据输出寄存器和从动
在输出引脚上CLK的下一个上升沿。 ADV被忽略的时钟沿采样的ADSP断言，但它被采样的所有
随后的时钟边沿。地址是在内部增加了突发的下一个访问时， ADV采样为低电平并且两个地址
闪光灯是很高的。突发模式可选择与LBO输入。与LBO悬空或驱动为高，突发操作使用交错
数序列。与LBO驱动为低电平时，器件采用一个线性的计数序列。
写周期被禁用输出缓冲器， OE和主张写命令执行。全局写使能GWE写入所有
无论个人BW [ A，B]输入的状态18位。交替地，当GWE是HIGH时，一个或多个字节可以被写入通过断言
BWE及相应的单个字节BWN信号。
BWN被忽略的时钟沿采样的ADSP低，但它被采样，所有随后的时钟边沿。输出缓冲器被禁用
当BWN采样为低电平，无论OE 。数据移入数据输入寄存器时BWN采样为低电平。地址
内部递增到下一个突发地址，如果BWN和ADV采样低。该器件工作在双循环取消选择功能
在读周期。
读或写周期也可以与ADSC代替ADSP启动。与ADSC和ADSP启动周期之间的差别是
如下：
ADSP必须采样为高电平时， ADSC采样为低电平启动与ADSC一个周期。
WE信号进行采样的时钟沿采样ADSC低（和ADSP高） 。
主控芯片使能
CE0块ADSP ，但不ADSC 。
该AS7C251MPFD18A家庭
用2.5V工作
该设备核心±5％电源（Ⅴ
DD
)
.
这些器件在提供100-
引脚TQFP封装。
TQFP电容
参数
输入电容
I / O容量
*保证不会测试
符号
C
以*
C
I / O *
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
民
-
-
最大
5
7
单位
pF
pF
TQFP封装热阻
描述
热阻
（结到环境）
1
热阻
（结到外壳顶部的）
1
1 ，该参数被采样
条件
测试条件遵循的标准测试方法
以及用于测量热过程
阻抗，按照EIA / JESD51
1–layer
4–layer
符号
θ
JA
θ
JA
θ
JC
典型
40
22
8
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2/10/05, v. 1.2
半导体联盟
4 19
QQ：2881677436 复制
