AS7C1026B
功能说明
该AS7C1026B是组织为65,536字×高性能的CMOS 1048576位的静态随机存取存储器（SRAM）器件
16位。它是专为需要快速数据存取，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
）的5，6， 7，8毫微秒是理想的
高性能的应用程序。
当CE为高电平时，器件进入待机模式。如果输入切换仍，设备会消耗我
SB
力。如果总线是静态的，则满
待机功耗达到（我
SB1
） 。例如， AS7C1026B保证不超过55毫瓦额定满待机状态下。
写周期是由断言写使能（ WE）完成，芯片使能（ CE） 。输入引脚上的I / O0通过我的数据/ O15写在
WE的上升沿（写周期1）或CE （写周期2）。为了防止总线冲突，外部设备应该只后，驱动器I / O引脚
输出已停用与输出使能（ OE ）和写使能（ WE） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）与写使能（ WE）高的完成，芯片使能（ CE） 。该芯片的驱动器的I / O引脚
与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能是无效的或写使能有效，输出
司机留在高阻抗模式。
该装置提供了多个中心的电源和接地引脚，以及独立的字节使能控制，使待写入的各个字节和
读取。的LB控制较低位， I / O0通过I / O 7 ，和UB通过I / O15控制较高位，I / O8 。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作是从一个5 V单电源。该器件封装在通用的工业
标准封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与VCC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
符号
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+7.0
V
CC
+0.50
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
W
°C
°C
mA
注：强调超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的tional操作不暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
WE
X
H
H
H
L
L
L
H
X
OE
X
L
L
L
X
X
X
H
X
LB
X
L
H
L
L
L
H
X
H
UB
X
H
L
L
L
H
L
X
H
I/O0–I/O7
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
D
IN
高Z
高Z
I/O8–I/O15
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
D
IN
高Z
D
IN
高Z
模式
待机（我
SB
), I
SBI
)
读取I / O0 -I / O7 （我
CC
)
读取I / O8 -I / O15 （我
CC)
读取I / O0 -I / O15 （我
CC
)
写I / O0 -I / O15 （我
CC
)
写I / O0 -I / O7 （我
CC
)
写I / O8 -I / O15 （我
CC
)
禁止输出（I
CC
)
KEY：
H =高，L =低，X =无关。
3/26/04, v 1.3
半导体联盟
10 P. 2
AS7C1026B
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度
广告
产业
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
民
4.5
2.2
–0.5
0
–40
公称
5.0
–
–
–
–
最大
5.5
V
CC
+ 0.5
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
o
C
C
V
IL
分= -1.0V脉冲宽度小于5ns的
V
IH
最大值= V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度小于5ns的。
直流工作特性（在工作范围内）
1
-10
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
当前
-12
-15
-20
符号
|
I
LI
|
|
I
LO
|
I
CC
测试条件
V
CC
=最大，
V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，CE = V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最大，
CE
≤
V
IL
, I
OUT
= 0毫安，
f = f
最大
CE
≥
V
IH ，
f = f
最大
V
CC
=最大，CE
≥
V
CC
–0.2 V,
V
IN
≤
0.2 V或
V
IN
≥
V
CC
-0.2 V，F = 0
I
OL
= 8毫安， V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安，V
CC
=分钟
V
CC
=最大，
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
–
–
1
1
–
–
1
1
–
–
1
1
-
-
1
1
A
A
–
110
–
100
–
90
-
80
mA
I
SB
待机电源电流
I
SB1
V
OL
V
OH
–
50
–
45
–
45
40
mA
–
–
2.4
10
0.4
–
–
–
2.4
10
0.4
–
–
–
2.4
10
0.4
–
-
-
2.4
10
0.4
-
mA
V
V
输出电压
电容（ F = 1MHz的，T
a
= 25
°C,
V
CC
=标称）
2
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CE， WE ， OE ， LB ， UB
I / O
测试条件
V
IN
= 0 V
V
IN
= V
OUT
= 0 V
最大
5
7
单位
pF
pF
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半导体联盟
10第3页
AS7C1026B
读取波形2 （ OE ， CE ， UB ， LB控制）
3,6,8,9
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OLZ
CE
t
LZ
LB ， UB
t
BLZ
数据
IN
t
BA
数据有效
t
BHZ
t
ACE
t
OHZ
t
HZ
t
OE
t
OH
写周期（在整个工作范围内）
11
-10
参数
写周期时间
芯片使能（ CE）写结束
地址设置写到底
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
从写结束地址保持
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
从输出的写端活跃
字节选择低写入结束
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
t
BW
10
8
8
0
7
0
0
5
0
–
1
7
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
–
–
12
9
9
0
8
0
0
6
0
–
1
8
-12
–
–
–
–
–
–
–
–
–
6
–
–
15
10
10
0
9
0
0
8
0
–
1
9
-15
–
–
–
–
–
–
–
–
–
7
–
–
20
12
12
0
12
0
0
10
0
-
2
9
-20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
4, 5
4, 5
笔记
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
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