2006年9月
超前信息
AS7C1025C
5V 128K X 8 CMOS SRAM （中心电源和地）
特点
=工业（ -40
o
85
o
C）温度。
组织： 131072 ×8位
高速
- 12 ns的地址，访问时间
- 6 ns输出使能访问时间
通过芯片取消低功耗
易于扩展内存通过CE ， OE输入
中心电源和接地
TTL / LVTTL兼容，三态I / O
JEDEC标准封装
- 32引脚， 400万SOJ
ESD保护
≥
2000伏
管脚配置
逻辑框图
32引脚SOJ （ 400万）
V
CC
GND
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
地址译码器
I/O7
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
V
CC
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
GND
V
CC
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
131,072 x 8
ARRAY
(1,048,576)
SENSE AMP
I/O0
WE
OE
CE
地址译码器
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
控制
电路
12/5/06, v. 1.0
内存联盟
AS7C1025C
9 P. 1
版权所有联盟的内存。版权所有。
AS7C1025C
功能说明
该AS7C1025C是5V高性能CMOS 1048576位的静态随机存取存储器（SRAM）器件组织
为131072 ×8位。它们设计用于存储应用中的快速数据存取，低功耗，以及简单的接口是
所需。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
） 12纳秒与输出使能访问时间（T
OE
）的6纳秒非常适合高
高性能的应用。该芯片使能输入CE功能可以方便的存储和扩展与多个银行的内存
系统。
当CE为高电平时，器件进入待机模式。如果输入切换仍，设备会消耗我
SB
力。如果总线是
静态的，那么完全待机功耗达到（我
SB1
).
写周期是由断言写使能（ WE）完成，芯片使能（ CE） 。通过I / O7输入引脚上的I / O0数据
被写入的WE （写周期1）或CE （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应
驱动器I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）来实现和芯片使能（ CE ） ，以写使能（ WE）高。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能是无效的或写
使处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作是从一个5 V单电源。该AS7C1025C封装在
通用的行业标准封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
注意：
应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
符号
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–
–55
–55
–
最大
+7.0
V
CC
+ 0.5
1.25
+125
+125
50
单位
V
V
W
o
o
C
C
mA
真值表
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
关键：X =无关，L =低，H =高。
12/5/06, v. 1.0
内存联盟
9 P. 2
AS7C1025C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度（工业）
注意事项：
V
IL
分= -1.0V为脉冲宽度小于5ns的，每循环一次。
V
IH
最大值= V
CC
+ 2.0V为脉冲宽度小于5ns的，每秒一次循环。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
民
4.5
2.2
–0.5
–40
公称
5.0
–
–
–
最大
5.5
V
CC
+ 0.5
0.8
85
单位
V
V
V
o
C
直流工作特性（在工作范围内）
1
AS7C1025C-12
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电源电流
1
符号
|
I
LI
|
|
I
LO
|
I
CC
I
SB
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，CE = V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最大
CE
≤
V
IL
, f = f
最大，
I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大
CE
≥
V
IH
, f = f
最大
V
CC
=最大
CE
≥
V
CC
–0.2 V,
V
IN
≤
0.2 V或V
IN
≥
V
CC
–0.2 V,
f=0
I
OL
= 8毫安， V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安，V
CC
=分钟
民
–
–
–
–
最大
5
5
160
40
单位
μA
μA
mA
mA
I
SB1
10
mA
输出电压
V
OL
V
OH
–
2.4
0.4
–
V
V
电容（
F = 1 MHz时，T
a
= 25
o
C，V
CC
=额定
)
2
参数
输入电容
I / O容量
注意：
这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CE， WE ， OE
I / O
测试条件
V
IN
= 3DV
V
IN
= V
OUT
= 3DV
最大
8
8
单位
pF
pF
12/5/06, v. 1.0
内存联盟
9 P. 3
QQ：2881677436 复制
