2004年3月
AS7C1025B
5V 128K X 8 CMOS SRAM （中心电源和地）
特点
工业和商业温度
组织： 131072 ×8位
高速
- 10/12/15/20 ns地址访问时间
- 5/6/7/8 ns输出使能访问时间
低功耗：ACTIVE
- 605mW / MAX @ 10纳秒
低功耗：待机
- 55毫瓦/ MAX CMOS
6吨0.18 ü CMOS技术
易于扩展内存通过CE ， OE输入
中心电源和接地
TTL / LVTTL兼容，三态I / O
JEDEC标准封装
- 32引脚， 300万SOJ
- 32引脚， 400万SOJ
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
管脚配置
逻辑框图
32引脚SOJ （ 300万）
32引脚SOJ （ 400万）
V
CC
GND
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I/O7
A0
A1
A2
A3
CE
I/O0
I/O1
V
CC
GND
I/O2
I/O3
WE
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE
I/O7
I/O6
GND
V
CC
I/O5
I/O4
A12
A11
A10
A9
A8
行解码器
512 x 256 x 8
ARRAY
(1,048,576)
SENSE AMP
I/O0
WE
OE
CE
列解码器
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
控制
电路
选购指南
-10
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
10
5
110
10
-12
12
6
100
10
-15
15
7
90
10
-20
20
8
80
10
单位
ns
ns
mA
mA
3/26/04, v. 1.3
半导体联盟
AS7C1025B
9 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS7C1025B
功能说明
该AS7C1025B是组织为131072 ×8一个高性能的CMOS 1048576位的静态随机存取存储器（SRAM）器件
位。它们设计用于快速数据存取，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
）的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间（T
OE
的） 5/6/7/8 NS是理想的高
高性能的应用。该芯片使能输入端CE允许轻松存储和扩展与多个银行的内存系统。
当CE为高电平时，器件进入待机模式。如果输入切换仍，设备会消耗我
SB
力。如果总线是静态的，则满
待机功耗达到（我
SB1
） 。例如， AS7C1026B保证不超过55毫瓦额定满待机状态下。
写周期是由断言写使能（ WE）完成，芯片使能（ CE） 。通过I输入引脚上的I / O0数据/ O7上写的
WE的上升沿（写周期1）或CE （写周期2）。为了防止总线冲突，外部设备应该只后，驱动器I / O引脚
输出已停用与
输出使能（
OE
）或写使能
（WE） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）来实现和芯片使能（ CE ） ，以写使能（ WE）高。芯片驱动I / O引脚
与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能是无效的或写使能有效，输出
司机留在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作是从一个5 V单电源。该AS7C1025B打包在通用
行业标准封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
符号
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–
–65
–55
–
最大
+7.0
V
CC
+ 0.5
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
W
o
C
o
C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的tional操作不暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
关键：X =无关，L =低，H =高。
3/26/04, v. 1.3
半导体联盟
9 P. 2
AS7C1025B
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度
V
IL
分= -1.0V脉冲宽度小于5ns的
V
IH
最大值= V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度小于5ns的。
广告
产业
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
民
4.5
2.2
–0.5
0
–40
公称
5.0
–
–
–
–
最大
5.5
V
CC
+ 0.5
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
o
C
C
直流工作特性（在工作范围内）
1
-10
参数
输入漏电流
输出漏
当前
工作电源
电源电流
备用电源
当前
1
-12
1
1
110
50
–
–
–
–
1
1
100
45
–
–
–
–
-15
1
1
90
45
–
–
–
–
-20
1
1
80
40
A
A
mA
mA
符号
|
I
LI
|
|
I
LO
|
I
CC
I
SB
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大，CE = V
IH
,
V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最大
CE
≤
V
IL
, f = f
最大，
I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大
CE
≥
V
IH
, f = f
最大
V
CC
=最大
CE
≥
V
CC
–0.2 V,
V
IN
≤
0.2 V或V
IN
≥
V
CC
–0.2 V,
f=0
I
OL
= 8毫安， V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安，V
CC
=分钟
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
–
–
–
–
I
SB1
–
10
10
10
10
mA
输出电压
V
OL
V
OH
–
2.4
0.4
–
2.4
0.4
–
–
2.4
0.4
–
–
2.4
0.4
–
V
V
电容（
F = 1 MHz时，T
a
= 25
o
C，V
CC
=额定
)
2
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CE， WE ， OE
I / O
测试条件
V
IN
= 0 V
V
IN
= V
OUT
= 0 V
最大
5
7
单位
pF
pF
3/26/04, v. 1.3
半导体联盟
9 P. 3
QQ：2881677436 复制
