【2001年3月AS7C1025AS7C310255V / 3.3V 128Kx8 CMOS SRAM】,IC型号AS7C1025-20TJC,AS7C1025-20TJC PDF资料,AS7C1025-20TJC经销商,ic,电子元器件-51电子网

2001年3月

AS7C1025

AS7C31025

5V / 3.3V 128Kx8 CMOS SRAM （革命引出线）

特点

AS7C1025 （ 5V版）

AS7C31025 （ 3.3V版本）

工业和商业温度

组织： 131,072字×8位

高速

- 20年12月15日NS地址，访问时间

- 6,7,8 ns输出使能访问时间

低功耗：待机

- 27.5兆瓦（ AS7C1025 ） / MAX CMOS （ 5V ）

- 1.8毫瓦（ AS7C31025 ） / MAX CMOS （ 3.3V ）

低功耗：ACTIVE

- 715毫瓦（ AS7C1025 ） /最大@ 12纳秒（ 5V ）

- 360毫瓦（ AS7C31025 ） /最大@ 12纳秒（ 3.3V ）

2.0V数据保留

易于扩展内存通过CE ， OE输入

中心电源和接地

TTL / LVTTL兼容，三态I / O

JEDEC标准封装

- 32引脚， 300万SOJ

- 32引脚， 400万SOJ

- 32引脚TSOP II

ESD保护

≥

2000伏

闩锁电流

≥

200毫安

逻辑框图

V

CC

GND

输入缓冲器

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

I/O7

管脚配置

32引脚TSOP II

A0

A1

A2

A3

CE

I/O0

I/O1

V

CC

GND

I/O2

I/O3

WE

A4

A5

A6

A7

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

A16

A15

A14

A13

OE

I/O7

I/O6

GND

V

CC

I/O5

I/O4

A12

A11

A10

A9

A8

行解码器

512×256×8

ARRAY

(1,048,576)

SENSE AMP

I/O0

WE

OE

CE

列解码器

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

控制

电路

32引脚SOJ （ 300万）

32引脚SOJ （ 400万）

A0

A1

A2

A3

CE

I/O0

I/O1

V

CC

GND

I/O2

I/O3

WE

A4

A5

A6

A7

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

A16

A15

A14

A13

OE

I/O7

I/O6

GND

V

CC

I/O5

I/O4

A12

A11

A10

A9

A8

选购指南

AS7C1025-12

AS7C31025-12

最大地址访问时间

最大输出使能访问时间

最大工作电流

最大的CMOS待机电流

阴影区域包含预览。

AS7C1025-15

AS7C31025-15

15

4

85

5

AS7C1025

AS7C31025

AS7C1025

AS7C31025

AS7C1025-20

AS7C31025-20

20

5

80

5

单位

ns

mA

12

3

AS7C1025

AS7C31025

AS7C1025

AS7C31025

130

100

5

3/23/01; v.1.0

半导体联盟

9 P. 1

AS7C1025

AS7C31025

功能说明

该AS7C1025和AS7C31025是高性能的CMOS 1048576位的静态随机存取存储器（SRAM）器件

组织为131072字×8位。它们设计用于存储应用中的快速数据存取，低功耗，以及

简单的接口都需要的。

平等地址访问和周期时间（T

AA

, t

RC

, t

WC

）的20年12月15日NS与输出使能访问时间（T

OE

的） 6,7,8 NS是理想

对于高性能应用。该芯片使能输入CE功能可以方便的存储和扩展与多个银行

内存系统。

当

CE

较高的设备进入待机模式。该标准AS7C1025保证不超过27.5毫瓦

在待机模式下消耗，并且通常仅需要5毫瓦两种设备还提供有2.0V的数据保持。

.

写周期是由断言写使能完成（

WE

）和芯片使能（

CE

）。输入引脚上的I / O0 -I / O7是数据

书面上的上升沿

WE

（写周期1）或

CE

（写周期2）。为了防止总线冲突，外部设备应该推动

I / O引脚后才能输出已禁用带

输出使能（

OE

）或写使能

(

WE

).

读周期是由断言输出使能（完成

OE

）和芯片使能（

CE

），用写使能（

WE

）高。该芯片

驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能无效，或

写使能处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。

所有的芯片的输入和输出为TTL兼容的，并且操作是从一个单一5V电源（ AS7C1025 ）或3.3V电源

（ AS7C31025 ）。该AS7C1025和AS7C31025被封装在通用的行业标准封装。

绝对最大额定值

参数

在V电压

CC

相对于GND

任何引脚相对于GND电压

功耗

存储温度（塑料）

环境温度与V

CC

应用的

DC电流转换成输出（低电平）

设备

AS7C1025

AS7C31025

符号

V

t1

V

t1

V

t2

P

D

T

英镑

T

BIAS

I

OUT

民

–0.50

–

–65

–55

–

最大

+7.0

+5.0

V

CC

+ 0.5

1.0

+150

+125

20

单位

V

W

o

C

o

C

mA

注：应力大于那些在上市

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触

绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。

真值表

CE

H

L

WE

X

H

L

OE

X

H

L

X

数据

高Z

D

OUT

D

IN

模式

待机（我

SB

, I

SB1

)

禁止输出（I

CC

)

阅读（我

CC

)

写（我

CC

)

关键： X =无关，L =低，H =高

3/23/01; v.1.0

半导体联盟

9 P. 2

AS7C1025

AS7C31025

推荐工作条件

参数

电源电压

设备

AS7C1025

AS7C31025

AS7C1025

输入电压

AS7C31025

产业

符号

V

CC

V

CC

V

IH

V

IH

V

金正日？

工作环境温度

V

IL

分= -3.0V脉冲宽度小于T

RC

/2.

民

4.5

3.0

2.2

2.0

–0.5

0

–40

公称

5.0

3.3

–

最大

5.5

3.6

V

CC

+ 0.5

V

CC

+ 0.5

0.8

70

85

单位

V

o

C

o

T

A

T

A

C

直流工作特性（在工作范围内）

1

-12

参数

符号

测试条件

设备

民

–

最大

1

民

–

输入漏

|

I

LI

|

V

CC

=最大，V

IN

= GND到V

CC

当前

产量

泄漏

当前

操作

电源

当前

|

I

LO

|

V

CC

=最大，CE = V

IH

, V

OUT

=

GND到V

CC

AS7C1025

I

CC

CE = V

IL

,

f

=

f

最大，

I

OUT

= 0毫安

AS7C31025

AS7C1025

AS7C31025

-15

最大

1

民

–

-20

最大

1

单位

A

–

2.4

1

130

100

50

5

0.4

–

2.4

1

120

85

40

5

0.4

–

2.4

1

110

80

40

5

0.4

–

mA

待机

电源

当前

1

I

SB1

产量

电压

V

OL

V

OH

I

SB

CE = V

IH

, f = f

最大

, f

OUT

= 0

mA

V

AS7C1025

CE

≥

V

CC

–0.2V, V

IN

≤

0.2V或

V

IN

≥

V

CC

-0.2V ， F = 0 ，女

OUT

= 0 AS7C31025

I

OL

= 8毫安， V

CC

=分钟

I

OH

= -4毫安，V

CC

=分钟

阴影区域包含预览。

电容（

F = 1 MHz时，T

a

= 25

o

C，V

CC

=额定

)

2

参数

输入电容

I / O容量

符号

C

IN

C

I / O

信号的

A， CE， WE ， OE

I / O

测试条件

V

IN

= 0V

V

IN

= V

OUT

= 0V

最大

5

7

单位

pF

3/23/01; v.1.0

半导体联盟

9 P. 3

AS7C1025

AS7C31025

读周期（在整个工作范围内）

3,9

-12

参数

读周期时间

地址访问时间

芯片使能（ CE ）访问时间

输出使能（ OE ）访问时间

从地址变更输出保持

CE

LOW吨

在低Z O输出

CE低到高Z输出

OE低到低Z输出

OE高到高Z输出

电时间

关机时间

符号

t

RC

t

AA

t

ACE

t

OE

t

OH

t

CLZ

t

CHZ

t

OLZ

t

OHZ

t

PU

t

PD

民

12

–

3

0

–

0

–

0

–

最大

–

12

6

–

3

–

3

–

12

民

15

–

3

0

–

0

–

0

–

-15

最大

–

15

7

–

4

–

4

–

15

民

20

–

3

0

–

0

–

0

–

-20

最大

–

20

8

–

5

–

5

–

20

单位

ns

5

4, 5

3

笔记

关键开关波形

瑞星输入

下降输入

未定义/无所谓

读取波形1 （地址控制）

3,6,7,9

t

RC

地址

t

AA

D

OUT

数据有效

t

OH

读取波形2 （ CE和OE控制）

3,6,8,9

CE

t

OE

D

OUT

供应

当前

t

PU

t

ACE

t

CLZ

50%

数据有效

t

PD

50%

I

CC

I

SB

t

OLZ

t

OHZ

t

CHZ

t

RC1

3/23/01; v.1.0

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9 P. 4

AS7C1025

AS7C31025

写周期（在整个工作范围内）

11

-12

参数

写周期时间

芯片使能（ CE）写结束

地址设置写到底

地址建立时间

把脉冲宽度

从写结束地址保持

有效的数据写入结束

数据保持时间

写使能到输出中高Z

从输出的写端活跃

阴影区域包含预览。

-15

最大

–

5

–

民

15

12

0

9

0

8

0

–

3

最大

–

5

–

民

20

12

0

12

0

12

0

–

3

-20

最大

–

5

–

单位

ns

4, 5

笔记

符号

t

WC

t

CW

t

AW

t

AS

t

WP

t

AH

t

DW

t

DH

t

WZ

t

OW

民

12

8

0

8

0

6

0

–

3

写波形1 （我们控制）

10,11

t

WC

t

AW

地址

t

WP

WE

t

AS

D

IN

t

WZ

D

OUT

t

DW

数据有效

t

OW

t

DH

t

AH

写波形2 （ CE控制）

10,11

t

AW

地址

t

AS

CE

t

WP

WE

t

WZ

D

IN

D

OUT

t

DW

数据有效

t

DH

t

CW

t

WC

t

AH

3/23/01; v.1.0

半导体联盟

9第5页