AS7C1024C
功能说明
该AS7C1024C是5V高性能CMOS 1048576位的静态随机存取存储器（SRAM）设备组织
为131072字× 8位。它是专为存储应用中快速的数据存取，低功耗，以及简单的接口
是期望的。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
） 12纳秒与输出使能访问时间（T
OE
）的6纳秒非常适合高
高性能的应用。活跃的高和低的芯片使能（ CE1 ， CE2 ）允许轻松扩展内存与多个银行
系统。
当CE1是高还是CE2为低电平时，器件进入待机模式。如果输入切换仍，设备会消耗我
SB
力。如果总线是静态的，则满待机功率达到（我
SB1
).
写周期是由断言写使能（ WE）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ） 。输入引脚上的I / O0数据
通过I / O7被写入在WE的上升沿（写周期1）和CE1或CE2的活性 - 无效边缘（写周期2）。
为了防止总线冲突，外部设备应该驱动I / O引脚后，才输出已被禁用与输出使能（ OE ）
或写使能（WE） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）完成，这两个芯片使（ CE1 ， CE2 ） ，用写使能（ WE）高。
芯片驱动器的I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能无效时，输出使能
处于非活动状态，或写使能处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出（低电平）
注意：
应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
符号
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.50
–0.50
–
–55
–55
–
最大
+7.0
V
CC
+0.50
1.25
+125
+125
50
单位
V
V
W
°C
°C
mA
真值表
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
, I
SB1
)
待机（我
SB
, I
SB1
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（
ICC
)
关键：X =无关，L =低，H =高。
12/5/06, v. 1.0
内存联盟
9 P. 2
AS7C1024C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作环境温度（工业）
注意：
1 V
IL
分= -1.5V为脉冲宽度小于10ns的，每循环一次。
符号
V
CC
V
IH
V
IL
(1)
T
A
民
4.5
2.2
–0.5
(1)
–40
公称
5.0
-
–
–
最大
5.5
V
CC
+ 0.5
0.8
85
单位
V
V
V
°C
直流工作特性（在工作范围内）
1
AS7C1024C-12
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
I
CC
I
SB
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
V
CC
=最大， CE1 = V
IH
or
CE2 = V
IL
, V
OUT
= GND到V
CC
V
CC
=最大， CE1
≤
V
IL
,
CE2
≥
V
IH
, f = f
最大
,
I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大， CE1
≥
V
IH
和/或
CE2
≤
V
IL
, f = f
最大
V
CC
=最大， CE1
≥
V
CC
–0.2V
和/或CE2
≤
0.2V
V
IN
≤
0.2V或
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ， F = 0
I
OL
= 8毫安， V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安，V
CC
=分钟
民
–
–
最大
5
5
单位
μA
μA
工作电源电流
–
160
mA
–
40
mA
待机电源电流
1
I
SB1
–
10
mA
输出电压
V
OL
V
OH
–
2.4
0.4
–
V
V
电容（
F = 1 MHz时，T
a
= 25
o
C，V
CC
=额定
)
2
参数
输入电容
I / O容量
注意：
这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CE1 ， CE2 ， WE ， OE
I / O
测试条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
最大
7
8
单位
pF
pF
12/5/06, v. 1.0
内存联盟
9 P. 3
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