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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第712页 > AS7C1024-12JI
2000年11月
AS7C1024
AS7C31024
5V / 3.3V 128K × 8 CMOS SRAM (进化引脚)
特点
AS7C1024 ( 5V版)
AS7C31024 ( 3.3V版本)
工业和商业温度
组织: 131,072字×8位
高速
- 10/12/15/20 ns地址访问时间
- 5/6/8/10 ns输出使能访问时间
2.0V数据保留
易于扩展内存与CE1 , CE2 , OE输入
TTL / LVTTL兼容,三态I / O
32引脚JEDEC标准封装
-
-
-
-
300万SOJ
400万SOJ
8 X20毫米TSOP I
8 × 13.4毫米sTSOP我
低功耗:ACTIVE
- 825毫瓦(C ) /最大@ 12纳秒
- 360毫瓦( AS7C31024 ) /最大@ 12纳秒
ESD保护
2000伏
闩锁电流
200毫安
低功耗:待机
- 55毫瓦( AS7C1024 ) / MAX CMOS
- 36毫瓦( AS7C31024 ) / MAX CMOS
逻辑框图
V
CC
GND
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I/O7
SENSE AMP
512
×
256
×
8
ARRAY
(1,048,576)
管脚配置
32引脚TSOP I
(8× 20毫米)
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
V
CC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
32引脚SOJ ( 300万)
32引脚SOJ ( 400万)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
CE2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
行解码器
I/O0
列解码器
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
WE
OE
CE1
CE2
控制
电路
选购指南
AS7C1024-10
AS7C31024-10
最大地址访问时间
最大输出使能访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
阴影区域包含预览。
AS7C1024
AS7C31024
AS7C1024
AS7C31024
10
5
150
100
10
10
AS7C1024-12 AS7C1024-15 AS7C1024-20
AS7C31024-12 AS7C31024-15 AS7C31024-20
12
15
20
6
8
10
140
125
110
90
80
75
10
10
15
10
10
15
AS7C1024
AS7C31024
单位
ns
ns
mA
mA
mA
mA
11/29/00
半导体联盟
1
版权所有2000联半导体公司。版权所有。
AS7C1024
AS7C31024
功能说明
该AS7C1024和AS7C31024是高性能CMOS 1048576位的静态随机存取存储器(SRAM)器件
组织为131072字×8位。它是专为存储应用中快速的数据存取,低功耗,简单
接口是期望的。
平等地址访问和周期时间(T
AA
, t
RC
, t
WC
)的10/12/15/20 NS与输出使能访问时间(T
OE
)的5/6/8/10 NS
非常适合高性能应用。活跃的高和低的芯片使能( CE1 , CE2 )能方便地存储与扩展
多银行系统。
当CE1是高还是CE2低的设备进入待机模式。如果输入切换仍,设备会消耗我
SB
力。
如果总线是静态的,则满待机功率达到(我
SB1
还是我
SB2
) 。例如, AS7C31024保证不会超过
标称满待机状态下0.33mW 。该系列的所有器件将保留数据时, VCC下降低至2.0V 。
写周期是由断言写使能( WE)完成,这两个芯片使( CE1 , CE2 ) 。输入引脚上的数据I / O0-
的I / O7被写入在WE的上升沿(写周期1)和CE1或CE2的活性 - 无效边缘(写周期2)。为了避免
总线竞争,外部设备应该驱动I / O引脚后,才输出已被禁用与输出使能( OE )或写
使能(WE ) 。
读周期是由断言输出使能( OE )完成,这两个芯片使( CE1 , CE2 ) ,用写使能( WE)高。
芯片驱动器的I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能无效时,输出
使处于非活动状态,或写使能处于活动状态,输出驱动器保持在高阻抗模式。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于GND
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度(塑料)
环境温度与V
CC
应用的
DC电流转换成输出(低电平)
AS7C1024
AS7C31024
符号
V
t1
V
t1
V
t2
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
–0.50
-0.50
–0.50
–65
–55
最大
+7.0
+5.0
V
CC
+0.50
1.0
+150
+125
20
单位
V
V
V
W
°
C
°
C
mA
注:应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本specificati上的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
数据
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机(我
SB
, I
SB1
)
待机(我
SB
, I
SB1
)
禁止输出(I
CC
)
阅读(我
CC
)
写(
ICC
)
关键: X =无关,L =低,H =高
2
半导体联盟
11/29/00
AS7C1024
AS7C31024
推荐工作条件
参数
电源电压
设备
AS7C1024
AS7C31024
AS7C1024
输入电压
AS7C31024
广告
产业
符号
V
CC
V
CC
V
IH
V
IH
V
金正日?
工作环境温度
V MIN = -3.0V脉冲宽度小于T
IL
RC/2
.
4.5
3.0
2.2
2.0
–0.5
0
–40
公称
5.0
3.3
最大
5.5
3.6
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.5
0.8
70
85
单位
V
V
V
V
V
°
C
°
C
T
A
T
A
直流工作特性(在工作范围内)
-10
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
操作
电源
当前
符号
测试条件
设备
-12
-15
-20
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
2.4
1
1
150
100
80
60
10
10
0.4
2.4
1
1
140
90
75
50
10
10
0.4
2.4
1
1
125
80
65
40
10
10
0.4
2.4
1
1
110
mA
75
60
mA
35
15
mA
AS7C31024
15
0.4
V
V
A
A
|I
LI
| V
CC
=最大,V
IN
= GND到V
CC
|I
LO
|
V
CC
=最大, CE1 = V
IH
or
CE2 = V
IL
, V
OUT
= GND到V
CC
AS7C1024
V
CC
=最大, CE1 = V
IL
,
CE2 = V
IH
, f = f
最大
, I
OUT
= 0
AS7C31024
mA
V
CC
=最大, CE1
V
IH
和/或AS7C1024
CE2
V
IL
, V
IN
= V
IH
或V
IL
,
AS7C31024
f = f
最大
, I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大, CE1
V
CC
–0.2V
V
IN
GND + 0.2V或
V
IN
V
CC
-0.2V , F = 0
I
OL
= 8毫安, V
CC
=分钟
I
OH
= -4毫安,V
CC
=分钟
AS7C1024
I
CC
I
SB
待机功耗
电源电流
I
SB1
V
OL
V
OH
输出电压
阴影区域包含预览。
电容( F = 1兆赫,T
a
= 25
°C,
V
CC
=标称)
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A, CE1 , CE2 , WE , OE
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
11/29/00
半导体联盟
3
AS7C1024
AS7C31024
读周期(在整个工作范围内)
-10
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能( CE1 )访问时间
芯片使能( CE2 )访问时间
输出使能( OE )访问时间
从地址变更输出保持
CE1低到低Z输出
CE2高到低Z输出
CE1低到高Z输出
CE2低到高Z输出
OE低到低Z输出
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
符号
t
RC
t
AA
t
ACE1
t
ACE2
t
OE
t
OH
t
CLZ1
t
CLZ2
t
CHZ1
t
CHZ2
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
10
2
3
3
0
0
最大
10
10
10
3
3
3
3
10
12
3
3
3
0
0
-12
最大
12
12
12
3
3
3
3
12
15
3
3
3
0
0
-15
最大
15
15
15
4
4
4
4
15
20
3
3
3
0
0
-20
最大
20
20
20
5
5
5
5
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5, 12
4, 5
4, 5
4, 5, 12
4, 5, 12
3
3, 12
3, 12
笔记
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义/无所谓
读取波形1 (地址控制)
t
RC
地址
D
OUT
t
AA
数据有效
t
OH
读取波形2 ( CE1 , CE2和OE控制)
CE1
CE2
OE
D
OUT
当前
供应
t
ACE1
,
tACE2
t
CLZ1
, t
CLZ2
t
PU
数据有效
t
PD
50%
50%
I
CC
I
SB
t
OE
t
OLZ
t
OHZ
t
CHZ1
, t
CHZ2
t
RC1
4
半导体联盟
11/29/00
AS7C1024
AS7C31024
写周期(在整个工作范围内)
-10
参数
写周期时间
芯片使能( CE1 )写结束
芯片使能( CE2 )写结束
地址设置写到底
地址建立时间
把脉冲宽度
从写结束地址保持
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
从输出的写端活跃
阴影区域包含预览。
-12
12
10
10
10
0
8
0
6
0
3
最大
5
5
15
12
12
12
0
9
0
9
0
3
-15
最大
5
20
12
12
12
0
12
0
10
0
3
-20
最大
5
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5
4, 5
4, 5
12
12
12
笔记
符号
t
WC
t
CW1
t
CW2
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
10
9
9
9
0
7
0
6
0
3
最大
写波形1 (我们控制)
t
AW
地址
t
WP
WE
t
AS
D
IN
t
WZ
D
OUT
t
DW
数据有效
t
OW
t
DH
t
WC
t
AH
写波形2 ( CE1和CE2控制)
t
AW
地址
t
AS
CE1
CE2
WE
t
WZ
D
IN
D
OUT
t
WP
t
DW
数据有效
t
DH
t
CW1
, t
CW2
t
WC
t
AH
11/29/00
半导体联盟
5
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