2000年6月
AS6WA5128
3.0V至3.6V 512K × 8 Intelliwatt 低功耗CMOS SRAM有一个芯片使能
特点
AS6WA5128
Intelliwatt 有源电路
工业和商业温度范围内工作
组织： 524,288字×8位
3.0V至3.6V ，在55纳秒
低功耗：ACTIVE
- 144毫瓦，在3.6V和55纳秒
易于扩展内存与CS ， OE输入
最小尺寸封装
-
-
-
-
-
36 （ 48 ） - 球形FBGA
32引脚TSOP I（可2000年9月）
32针sTSOP I（可2000年9月）
32针TSOP II （向前） （可2000年9月）
32针TSOP II （反向） （ 2000年9月可用）
低功耗：待机
- 72 μW最大电压为3.6V
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
1.2V数据保留
平等接入和周期时间
逻辑框图
V
CC
GND
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I/O8
SENSE AMP
管脚配置
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
CC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
行解码器
512K
×
8
ARRAY
(4,194,304)
32针TSOPII
（向前）
32针TSOPII
（反转）
I/O1
列解码器
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
控制
电路
WE
OE
CS
36 （ 48 ） -csp BGA封装
（阴影部分表示无球）
1
A
B
C
D
E
F
G
H
A
0
I / O
5
I / O
6
V
SS
V
CC
I / O
7
I / O
8
A
9
OE
A
10
A
18
CS
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
2
A
1
A
2
3
NC
WE
NC
4
A
3
A
4
A
5
5
A
6
A
7
6
A
8
I / O
1
I / O
2
V
CC
V
SS
I / O
3
I / O
4
A
14
A11
A9
A8
A13
WE
A17
A15
V
CC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32针TSOPII
32针sTSOPI
（向前）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
SS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
选购指南
V
CC
范围
产品
AS6WA5128
民
(V)
3.0
典型值
2
(V)
3.3
最大
(V)
3.6
速度
（纳秒）
55
功耗
工作（我
CC1
)
待机（我
SB2
)
马克斯（毫安）
MAX （
A)
2
20
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AS6WA5128
功能说明
该AS6WA5128是一个低功耗CMOS 4194304位的静态随机存取存储器（SRAM）设备组织为524288
字× 8位。它设计用于数据访问缓慢，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
的） 55纳秒非常适合低功耗应用。高电平有效和低码片
选择（ CS ）允许轻松扩展内存与多个银行的内存系统。
当CS为高电平时，器件进入待机模式： AS6WA5128保证不超过72
W的电源消耗
3.6V和55ns 。该器件还返回数据时， V
CC
降低到1.5V ，进一步降低了功耗。
写周期是由断言写使能（ WE）和片选（ CS ）来实现低。输入引脚上的I / 01 -I / O8是数据
写在WE （写周期1）或CS （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应该推动
I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期由断言输出使能（OE ）完成的，芯片选择（CS ） ，与写使能（WE ）高。该芯片的驱动器
I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任片选或输出使能是无效的，或写
使处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为CMOS兼容，并且操作是从一个单一的3.0至3.6V电源供电。该装置是在可用的
JEDEC标准的32引脚TSOP I， 32针sTSOP我， 400毫升的TSOP II ，和36 （ 48 ） - 球形FBGA封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在I / O引脚相对于GND的任何电压
功耗
存储温度（塑料）
温度V
CC
应用的
直流输出电流（低）
设备
符号
V
TIN
V
TI / O
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–
–65
–55
–
1.0
+150
+125
20
最大
V
CC
+ 0.5
单位
V
V
W
°
C
°
C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本specificati上的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CS
H
L
L
L
L
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
电源电流
I
SB
I
SB
I
CC
I
CC
I
CC
I/O1–I/O8
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
)
待机（我
SB
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
关键：X =无关，L =低，H =高。
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AS6WA5128
推荐工作条件（在工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
CC1
@
1兆赫
I
CC2
I
SB
I
SB1
I
SBDR
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出负载电流
V
CC
工作电源
当前
I
OH
= -2.1mA
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 3.0V
V
CC
= 3.0V
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
;输出高阻
CS = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安， F = 0 ，
V
IN
= V
IL
或V
IH
V
CC
= 3.6V
2.2
–0.5
–1
–1
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
2
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
CS < 0.2V ，V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
平均V
CC
操作
或V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
电源电流在1 MHz
F = 1毫秒
平均V
CC
操作CS
≠
V
IL
, V
IN
= V
IL
or
电源电流
V
IH
, f = f
最大
CS掉电电流; CS > V
IH
，其他投入
TTL输入
= 0V – V
CC
CS > V
CC
– 0.2V,
CS掉电电流;
其他输入= 0V -
CMOS输入
V
CC
, f = f
最大
数据保留
CS > V
CC
– 0.1V,
f=0
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 3.6V （ 55纳秒）
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 1.2V
2
40
100
20
2
mA
mA
A
A
A
电容（ F = 1兆赫，T
a
=室温，V
CC
=标称）
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A,
CS
,
WE
,
OE
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
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读周期（在整个工作范围内）
参数
读周期时间
地址访问时间
片选（ CS ）访问时间
输出使能（ OE ）访问时间
从地址变更输出保持
CS低到低Z输出
CS高到高Z输出
OE低到低Z输出
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
阴影部分表示的初步信息。
符号
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
民
55
–
–
–
10
10
0
5
0
0
–
最大
–
55
55
25
–
–
20
–
20
–
55
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
3
3
5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义/无所谓
读取波形1 （地址控制）
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
以前的数据有效
t
AA
数据有效
t
OH
读取波形2 （ CS ， OE控制）
t
RC1
CS
t
OE
OE
t
OLZ
t
ACE
D
OUT
t
CLZ
供应
当前
t
PU
50%
数据有效
t
PD
50%
I
CC
I
SB
t
OHZ
t
CHZ
4
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写周期（在整个工作范围内）
参数
写周期时间
芯片选择写到底
地址设置写到底
地址建立时间
把脉冲宽度
从写结束地址保持
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能到输出中高Z
从输出的写端活跃
阴影部分表示的aread初步信息。
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
AH
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
民
55
40
40
0
35
0
25
0
0
5
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
20
–
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
12
12
4, 5
4, 5
4, 5
写波形1 （我们控制）
t
AW
地址
t
WP
WE
t
AS
D
IN
t
WZ
D
OUT
t
DW
数据有效
t
OW
t
DH
t
WC
t
AH
写波形2 （ CS控制）
t
AW
地址
t
AS
CS
WE
t
WZ
D
IN
D
OUT
t
WP
t
DW
数据有效
t
DH
t
CW
t
WC
t
AH
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