2001年9月
AS6WA25616
3.0V至3.6V 256K × 16 Intelliwatt 低功耗CMOS SRAM有一个芯片使能
特点
AS6WA25616
Intelliwatt 有源电路
工业和商业温度范围内工作
组织： 262,144字× 16位
3.0V至3.6V ，在55纳秒
低功耗：ACTIVE
- 144毫瓦，在3.6V和55纳秒
1.5V数据保留
平等接入和周期时间
易于扩展内存与CS ， OE输入
最小尺寸封装
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
- 48球FBGA
- 400万44引脚TSOP 2
低功耗：待机
- 72 μW最大电压为3.6V
销装置（顶视图）
44引脚400密耳TSOP 2
A4
44
1
A5
A3
A6
43
2
A2
3
A7
42
A1
4
OE
41
A0
5
40
UB
CS
6
39
LB
I/O16
7
38
I/O1
I/O15
I/O2
8
37
I/O14
I/O3
9
36
I/O13
10
I/O4
35
V
CC
V
SS
11
34
V
SS
V
CC
12
33
13
32
I/O5
I/O12
I/O6
14
31
I/O11
I/O7
15
30
I/O10
I/O8
16
29
I/O9
17
WE
28
NC
18
27
A17
A8
19
26
A16
A9
20
25
A10
A15
A14
24
A11
21
A13
23
A12
22
48 -CSP球栅阵列封装
逻辑框图
A0
A1
A2
A3
A4
A6
A7
A8
A12
A13
I/O1–I/O8
I/O9–I/O16
WE
行解码器
V
CC
256K × 16
ARRAY
(4,194,304)
V
SS
I / O
卜FF器
控制电路
列解码器
A5
A9
A10
A11
A14
A15
A16
A17
UB
OE
LB
CS
A
B
C
D
E
F
G
H
1
LB
I/O9
I/O10
V
SS
V
CC
I/O15
I/O16
NC
2
3
OE
A0
UB
A3
I / O11 A5
I / O12 A17
I / O13 NC
I / O14 A14
NC
A12
A8
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CS
I/O2
I/O4
I/O5
I/O6
WE
A11
6
NC
I/O1
I/O3
V
CC
V
SS
I/O7
I/O8
NC
选购指南
V
CC
范围
产品
AS6WA25616
民
(V)
3.0
典型值
2
(V)
3.3
最大
(V)
3.6
速度
（纳秒）
55
功耗
工作（我
CC
)
马克斯（毫安）
2
待机（我
SB1
)
MAX （
A)
20
7/9/02; v.1.3
半导体联盟
9 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS6WA25616
功能说明
该AS6WA25616是组织为262144字× 16位的低功率CMOS 4194304位的静态随机存取存储器（SRAM）器件。
它设计用于数据访问缓慢，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
的） 55纳秒非常适合低功耗应用。活跃的高和低芯片选择（ CS ）许可证
易内存扩展与多个银行的内存系统。
当CS为高电平时，或UB和LB高，器件进入待机模式： AS6WA25616保证不超过72
W
动力
在3.6V和55 ns的消耗。该器件还返回数据时， V
CC
降低到1.5V ，进一步降低了功耗。
写周期是由断言写使能（ WE）和片选（ CS ）低不成， UB和/或LB低。输入引脚上的数据
I / O1 - O16被写在WE的上升沿（写周期1）或CS （写周期2）。为了防止总线冲突，外部设备应该推动I /
O引脚后，才输出已被禁用与输出使能（ OE ）和写使能（ WE） 。
读周期由断言输出使能（OE ）完成的，芯片选择（CS ） ， UB和LB低，用写使能（WE ）高。该芯片的驱动器
I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任片选或输出使能是无效的，或者写使能处于活动状态，或
（ UB ）和（ LB ） ，输出驱动器保持在高阻抗模式。
这些设备提供多个中心电源和接地引脚，以及独立的字节使能控制，使待写入的各个字节和
读取。的LB控制较低位， I / O1 -I / O8 ，和UB控制较高位，I / O9 -I / O16 。
所有的芯片的输入和输出为CMOS兼容，并且操作是从一个单一的3.0至3.6V电源供电。设备在JEDEC标准可用
400毫米，TSOP 2 ，和48球FBGA封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在I / O引脚相对于GND的任何电压
功耗
存储温度（塑料）
温度V
CC
应用的
直流输出电流（低）
设备
符号
V
TIN
V
TI / O
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–
–65
–55
–
1.0
+150
+125
20
最大
V
CC
+ 0.5
单位
V
V
W
°
C
°
C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CS
H
L
L
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
L
LB
X
H
X
L
H
L
L
L
L
X
H
L
关键：X =无关，L =低，H =高。
UB
X
H
X
H
L
L
H
L
L
供应
当前
I
SB
I
CC
I
CC
I / O1 I / O8 I / O9 I / O16
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
模式
待机（我
SB
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
I
CC
高Z
D
IN
写（我
CC
)
7/9/02; v.1.3
半导体联盟
9 P. 2
AS6WA25616
推荐工作条件（在工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出负载电流
V
CC
工作电源
当前
I
OH
= -2.1mA
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
V
CC
= 3.0 - 3.6V
V
CC
= 3.0 - 3.6V
V
CC
= 3.0 - 3.6V
V
CC
= 3.0 - 3.6V
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC;
输出高阻
CS = V
IL
, V
IN
= V
IL
或V
IH
, I
OUT
= 0毫安，
f=0
CS < 0.2V ，V
IN
＆ LT ; 0.2V
或V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
F = 1毫秒
CS
≠
V
IL
, V
IN
= V
IL
or
V
IH
, f = f
最大
CS > V
IH
或UB = LB
＆ GT ; V
IH
，其他投入=
V
IL
或V
IH
, f = 0
V
CC
= 3.6V
2.2
–0.5
–1
–1
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
2
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
CC1
@
1兆赫
平均V
CC
操作
电源电流在1 MHz
V
CC
= 3.6V
5
mA
I
CC2
平均V
CC
操作
电源电流
V
CC
= 3.6V
40
mA
I
SB
CS掉电电流;
TTL输入
V
CC
= 3.6V
100
A
I
SB1
CS > V
CC
- 0.2V或
CS掉电电流; UB = LB > V
CC
– 0.2V,
CMOS输入
其他输入= 0V - V
CC
,
f=0
V
CC
= 3.6V
20
A
电容（ F = 1兆赫，T
a
=室温，V
CC
=标称）
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CS ， WE ， OE ， LB ， UB
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
7/9/02; v.1.3
半导体联盟
9 P. 3
AS6WA25616
读周期（在整个工作范围内）
参数
读周期时间
地址访问时间
片选（ CS ）访问时间
输出使能（ OE ）访问时间
从地址变更输出保持
CS低到低Z输出
CS高到高Z输出
OE低到低Z输出
UB / LB访问时间
UB / LB低到低Z
UB / LB高到高阻
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
阴影部分表示的初步信息。
符号
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
BA
t
BLZ
t
BHZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
民
55
–
–
–
10
10
0
5
–
10
0
0
0
–
最大
–
55
55
25
–
–
20
–
55
–
20
20
–
55
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
3
3
5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义/无所谓
读取波形1 （地址控制）
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
以前的数据有效
t
AA
数据有效
t
OH
读取波形2 （ CS ， OE ， UB ， LB控制）
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OLZ
CS
t
LZ
LB ， UB
t
BLZ
D
OUT
t
BA
数据有效
t
BHZ
t
ACS
t
OHZ
t
HZ
t
OE
t
OH
7/9/02; v.1.3
半导体联盟
9 P. 4
2001年9月
AS6WA25616
3.0V至3.6V 256K × 16 Intelliwatt 低功耗CMOS SRAM有一个芯片使能
特点
AS6WA25616
Intelliwatt 有源电路
工业和商业温度范围内工作
组织： 262,144字× 16位
3.0V至3.6V ，在55纳秒
低功耗：ACTIVE
- 144毫瓦，在3.6V和55纳秒
1.5V数据保留
平等接入和周期时间
易于扩展内存与CS ， OE输入
最小尺寸封装
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
- 48球FBGA
- 400万44引脚TSOP 2
低功耗：待机
- 72 μW最大电压为3.6V
销装置（顶视图）
44引脚400密耳TSOP 2
A4
44
1
A5
A3
A6
43
2
A2
3
A7
42
A1
4
OE
41
A0
5
40
UB
CS
6
39
LB
I/O16
7
38
I/O1
I/O15
I/O2
8
37
I/O14
I/O3
9
36
I/O13
10
I/O4
35
V
CC
V
SS
11
34
V
SS
V
CC
12
33
13
32
I/O5
I/O12
I/O6
14
31
I/O11
I/O7
15
30
I/O10
I/O8
16
29
I/O9
17
WE
28
NC
18
27
A17
A8
19
26
A16
A9
20
25
A10
A15
A14
24
A11
21
A13
23
A12
22
48 -CSP球栅阵列封装
逻辑框图
A0
A1
A2
A3
A4
A6
A7
A8
A12
A13
I/O1–I/O8
I/O9–I/O16
WE
行解码器
V
CC
256K × 16
ARRAY
(4,194,304)
V
SS
I / O
卜FF器
控制电路
列解码器
A5
A9
A10
A11
A14
A15
A16
A17
UB
OE
LB
CS
A
B
C
D
E
F
G
H
1
LB
I/O9
I/O10
V
SS
V
CC
I/O15
I/O16
NC
2
3
OE
A0
UB
A3
I / O11 A5
I / O12 A17
I / O13 NC
I / O14 A14
NC
A12
A8
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CS
I/O2
I/O4
I/O5
I/O6
WE
A11
6
NC
I/O1
I/O3
V
CC
V
SS
I/O7
I/O8
NC
选购指南
V
CC
范围
产品
AS6WA25616
民
(V)
3.0
典型值
2
(V)
3.3
最大
(V)
3.6
速度
（纳秒）
55
功耗
工作（我
CC
)
马克斯（毫安）
2
待机（我
SB1
)
MAX （
A)
20
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半导体联盟
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版权所有联半导体公司。版权所有。
AS6WA25616
功能说明
该AS6WA25616是组织为262144字× 16位的低功率CMOS 4194304位的静态随机存取存储器（SRAM）器件。
它设计用于数据访问缓慢，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
的） 55纳秒非常适合低功耗应用。活跃的高和低芯片选择（ CS ）许可证
易内存扩展与多个银行的内存系统。
当CS为高电平时，或UB和LB高，器件进入待机模式： AS6WA25616保证不超过72
W
动力
在3.6V和55 ns的消耗。该器件还返回数据时， V
CC
降低到1.5V ，进一步降低了功耗。
写周期是由断言写使能（ WE）和片选（ CS ）低不成， UB和/或LB低。输入引脚上的数据
I / O1 - O16被写在WE的上升沿（写周期1）或CS （写周期2）。为了防止总线冲突，外部设备应该推动I /
O引脚后，才输出已被禁用与输出使能（ OE ）和写使能（ WE） 。
读周期由断言输出使能（OE ）完成的，芯片选择（CS ） ， UB和LB低，用写使能（WE ）高。该芯片的驱动器
I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任片选或输出使能是无效的，或者写使能处于活动状态，或
（ UB ）和（ LB ） ，输出驱动器保持在高阻抗模式。
这些设备提供多个中心电源和接地引脚，以及独立的字节使能控制，使待写入的各个字节和
读取。的LB控制较低位， I / O1 -I / O8 ，和UB控制较高位，I / O9 -I / O16 。
所有的芯片的输入和输出为CMOS兼容，并且操作是从一个单一的3.0至3.6V电源供电。设备在JEDEC标准可用
400毫米，TSOP 2 ，和48球FBGA封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在I / O引脚相对于GND的任何电压
功耗
存储温度（塑料）
温度V
CC
应用的
直流输出电流（低）
设备
符号
V
TIN
V
TI / O
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–
–65
–55
–
1.0
+150
+125
20
最大
V
CC
+ 0.5
单位
V
V
W
°
C
°
C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CS
H
L
L
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
L
LB
X
H
X
L
H
L
L
L
L
X
H
L
关键：X =无关，L =低，H =高。
UB
X
H
X
H
L
L
H
L
L
供应
当前
I
SB
I
CC
I
CC
I / O1 I / O8 I / O9 I / O16
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
模式
待机（我
SB
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
I
CC
高Z
D
IN
写（我
CC
)
7/9/02; v.1.3
半导体联盟
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AS6WA25616
推荐工作条件（在工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出负载电流
V
CC
工作电源
当前
I
OH
= -2.1mA
I
OL
= 2.1毫安
测试条件
V
CC
= 3.0 - 3.6V
V
CC
= 3.0 - 3.6V
V
CC
= 3.0 - 3.6V
V
CC
= 3.0 - 3.6V
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC;
输出高阻
CS = V
IL
, V
IN
= V
IL
或V
IH
, I
OUT
= 0毫安，
f=0
CS < 0.2V ，V
IN
＆ LT ; 0.2V
或V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
F = 1毫秒
CS
≠
V
IL
, V
IN
= V
IL
or
V
IH
, f = f
最大
CS > V
IH
或UB = LB
＆ GT ; V
IH
，其他投入=
V
IL
或V
IH
, f = 0
V
CC
= 3.6V
2.2
–0.5
–1
–1
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
2
最大
单位
V
V
V
V
A
A
mA
I
CC1
@
1兆赫
平均V
CC
操作
电源电流在1 MHz
V
CC
= 3.6V
5
mA
I
CC2
平均V
CC
操作
电源电流
V
CC
= 3.6V
40
mA
I
SB
CS掉电电流;
TTL输入
V
CC
= 3.6V
100
A
I
SB1
CS > V
CC
- 0.2V或
CS掉电电流; UB = LB > V
CC
– 0.2V,
CMOS输入
其他输入= 0V - V
CC
,
f=0
V
CC
= 3.6V
20
A
电容（ F = 1兆赫，T
a
=室温，V
CC
=标称）
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CS ， WE ， OE ， LB ， UB
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
7/9/02; v.1.3
半导体联盟
9 P. 3
AS6WA25616
读周期（在整个工作范围内）
参数
读周期时间
地址访问时间
片选（ CS ）访问时间
输出使能（ OE ）访问时间
从地址变更输出保持
CS低到低Z输出
CS高到高Z输出
OE低到低Z输出
UB / LB访问时间
UB / LB低到低Z
UB / LB高到高阻
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
阴影部分表示的初步信息。
符号
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
BA
t
BLZ
t
BHZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
民
55
–
–
–
10
10
0
5
–
10
0
0
0
–
最大
–
55
55
25
–
–
20
–
55
–
20
20
–
55
单位
ns
ns
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笔记
3
3
5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义/无所谓
读取波形1 （地址控制）
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
以前的数据有效
t
AA
数据有效
t
OH
读取波形2 （ CS ， OE ， UB ， LB控制）
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OLZ
CS
t
LZ
LB ， UB
t
BLZ
D
OUT
t
BA
数据有效
t
BHZ
t
ACS
t
OHZ
t
HZ
t
OE
t
OH
7/9/02; v.1.3
半导体联盟
9 P. 4
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