2000年10月
AS6UA5128
2.3V至3.6V 512K × 8 Intelliwatt低功耗CMOS SRAM
特点
AS6UA5128
Intelliwatt 有源电路
工业和商业温度范围内工作
组织： 524,288字×8位
2.7V至3.6V ，在55纳秒
2.3V至2.7V ，在70纳秒
低功耗：ACTIVE
- 144毫瓦，在3.6V和55纳秒
- 68毫瓦，在2.7V和70纳秒
- 41 μW最大为2.7V
- 28 μW最大为2.3V
1.2V数据保留
平等接入和周期时间
易于扩展内存与CS ， OE输入
最小尺寸封装
- 36 （ 48 ） - 球形FBGA
- 32引脚TSOP I和II TSOP封装可在
联盟AS6UB5128产品系列（可用一月
2001)
低功耗：待机
- 72 μW最大电压为3.6V
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
逻辑框图
V
CC
GND
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
管脚配置
36 （ 48 ） -csp BGA封装
（阴影部分表示无球）
A
B
C
D
E
F
G
H
1
A
0
I/O5
I/O6
V
SS
V
CC
I/O7
I/O8
A
9
2
A
1
A
2
3
NC
WE
行解码器
SENSE AMP
512K
×
8
ARRAY
(4,194,304)
I/O8
NC
4
A
3
A
4
A
5
5
A
6
A
7
A
18
OE
CS
I/O1
列解码器
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
WE
OE
CS
A
10
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
6
A
8
I / O
1
I / O
2
V
CC
V
SS
I/O3
I/O4
A
14
控制
电路
选购指南
产品
AS6UA5128
AS6UA5128
民
(V)
2.7
2.3
V
CC
范围
典型值
2
(V)
3.0
2.5
最大
(V)
3.6
2.7
速度
（纳秒）
55
70
功耗
待机（我
SB1
)
工作（我
CC
)
马克斯（毫安）
MAX （
A)
2
20
1
15
10/6/00
半导体联盟
1
版权所有2000联半导体公司。版权所有。
AS6UA5128
功能说明
该AS6UA5128是一个低功耗CMOS 4194304位的静态随机存取存储器（SRAM）设备组织成
524288字× 8位。它是专为存储应用数据访问缓慢，低功耗，以及简单的接口
是期望的。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
） 55 / 70ns的非常适合低功耗应用。活跃的高与低
片选（ CS ）允许轻松扩展内存与多个银行的内存系统。
当CS为高电平时，器件进入待机模式： AS6UA5128保证不超过72
W
耗电量
在3.6V和55纳秒; 41
W
在2.7V和70纳秒;或28
W
在2.3V和100纳秒。该器件还返回数据时， V
CC
is
降低到1.5V ，进一步降低了功耗。
写周期是由断言写使能（ WE）和片选（ CS ）来实现低。输入引脚上的I / 01 -I / O8是数据
写在WE （写周期1）或CS （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应该推动
I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期由断言输出使能（OE ）完成的，芯片选择（CS ） ，与写使能（WE ）高。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任片选或输出使能是无效的，或者
写使能处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为CMOS兼容，并且操作是从一个单一的2.3V至3.6V电源供电。该装置是
在提供JEDEC标准36 （ 48 ） - 球形FBGA封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在I / O引脚相对于GND的任何电压
功耗
存储温度（塑料）
温度V
CC
应用的
直流输出电流（低）
设备
符号
V
TIN
V
TI / O
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–
–65
–55
–
1.0
+150
+125
20
最大
V
CC
+ 0.5
单位
V
V
W
°C
°C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的与本规范ification的业务部门所标明的任何其他条件的tional操作不暗示。曝光
一定要绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
真值表
CS
H
L
L
L
L
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
电源电流
I
SB
I
CC
I
CC
I
CC
I/O1–I/O8
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
关键：X =无关，L =低，H =高。
2
半导体联盟
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AS6UA5128
2.3V至3.6V 512K × 8 Intelliwatt低功耗CMOS SRAM
特点
AS6UA5128
Intelliwatt 有源电路
工业和商业温度范围内工作
组织： 524,288字×8位
2.7V至3.6V ，在55纳秒
2.3V至2.7V ，在70纳秒
低功耗：ACTIVE
- 144毫瓦，在3.6V和55纳秒
- 68毫瓦，在2.7V和70纳秒
- 41 μW最大为2.7V
- 28 μW最大为2.3V
1.2V数据保留
平等接入和周期时间
易于扩展内存与CS ， OE输入
最小尺寸封装
- 36 （ 48 ） - 球形FBGA
- 32引脚TSOP I和II TSOP封装可在
联盟AS6UB5128产品系列（可用一月
2001)
低功耗：待机
- 72 μW最大电压为3.6V
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
逻辑框图
V
CC
GND
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
管脚配置
36 （ 48 ） -csp BGA封装
（阴影部分表示无球）
A
B
C
D
E
F
G
H
1
A
0
I/O5
I/O6
V
SS
V
CC
I/O7
I/O8
A
9
2
A
1
A
2
3
NC
WE
行解码器
SENSE AMP
512K
×
8
ARRAY
(4,194,304)
I/O8
NC
4
A
3
A
4
A
5
5
A
6
A
7
A
18
OE
CS
I/O1
列解码器
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
WE
OE
CS
A
10
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
6
A
8
I / O
1
I / O
2
V
CC
V
SS
I/O3
I/O4
A
14
控制
电路
选购指南
产品
AS6UA5128
AS6UA5128
民
(V)
2.7
2.3
V
CC
范围
典型值
2
(V)
3.0
2.5
最大
(V)
3.6
2.7
速度
（纳秒）
55
70
功耗
待机（我
SB1
)
工作（我
CC
)
马克斯（毫安）
MAX （
A)
2
20
1
15
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半导体联盟
1
版权所有2000联半导体公司。版权所有。
AS6UA5128
功能说明
该AS6UA5128是一个低功耗CMOS 4194304位的静态随机存取存储器（SRAM）设备组织成
524288字× 8位。它是专为存储应用数据访问缓慢，低功耗，以及简单的接口
是期望的。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
） 55 / 70ns的非常适合低功耗应用。活跃的高与低
片选（ CS ）允许轻松扩展内存与多个银行的内存系统。
当CS为高电平时，器件进入待机模式： AS6UA5128保证不超过72
W
耗电量
在3.6V和55纳秒; 41
W
在2.7V和70纳秒;或28
W
在2.3V和100纳秒。该器件还返回数据时， V
CC
is
降低到1.5V ，进一步降低了功耗。
写周期是由断言写使能（ WE）和片选（ CS ）来实现低。输入引脚上的I / 01 -I / O8是数据
写在WE （写周期1）或CS （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应该推动
I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期由断言输出使能（OE ）完成的，芯片选择（CS ） ，与写使能（WE ）高。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任片选或输出使能是无效的，或者
写使能处于活动状态，输出驱动器保持在高阻抗模式。
所有的芯片的输入和输出为CMOS兼容，并且操作是从一个单一的2.3V至3.6V电源供电。该装置是
在提供JEDEC标准36 （ 48 ） - 球形FBGA封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在I / O引脚相对于GND的任何电压
功耗
存储温度（塑料）
温度V
CC
应用的
直流输出电流（低）
设备
符号
V
TIN
V
TI / O
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–
–65
–55
–
1.0
+150
+125
20
最大
V
CC
+ 0.5
单位
V
V
W
°C
°C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的与本规范ification的业务部门所标明的任何其他条件的tional操作不暗示。曝光
一定要绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
真值表
CS
H
L
L
L
L
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
电源电流
I
SB
I
CC
I
CC
I
CC
I/O1–I/O8
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
模式
待机（我
SB
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
写（我
CC
)
关键：X =无关，L =低，H =高。
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