超前信息
2000年6月
AS6UA51216
1.65V至3.6V 512K × 16 Intelliwatt 低功耗CMOS SRAM有一个芯片使能
特点
AS6UA51216
Intelliwatt 有源电路
工业和商业温度范围内工作
组织： 524,288字× 16位
2.7V至3.6V ，在55纳秒
2.3V至2.7V ，在70纳秒
1.65V至2.3V ，在100纳秒
低功耗： ACTIVE
- 144毫瓦，在3.6V和55纳秒
- 68毫瓦，在2.7V和70纳秒
- 28毫瓦，在2.3 V和100纳秒
低功耗：待机
- 72 μW最大电压为3.6V
- 41
W（最大值） ，在2.7V
- 28
W（最大值） ，在2.3V
1.2V数据保留
平等接入和周期时间
易于扩展内存与CS ， OE输入
最小尺寸封装
- 48球FBGA
- 400万44针TSOP II
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
逻辑框图
A0
A1
A2
A3
A4
A6
A7
A8
A12
A13
I/O1–I/O8
I/O9–I/O16
WE
行解码器
V
DD
512K × 16
ARRAY
(8,388,608)
V
SS
销装置（顶视图）
44引脚400密耳的TSOP II
A4
1
A5
44
A3
2
43
A6
A2
3
42
A7
A1
4
41
OE
5
A0
UB
40
LB
6
39
CS
I/O16
I/O1
7
38
I/O15
I/O2
8
37
I/O14
I/O3
9
36
I/O13
I/O4
10
35
V
CC
V
SS
11
34
V
SS
V
CC
12
33
I/O5
13
32
I/O12
I/O6
I/O11
14
31
I/O7
I/O10
15
30
I/O8
I/O9
16
29
WE
A8
17
28
A18
18
A9
27
A17
A10
19
26
A16
20
25
A11
A15
21
A12
24
A14
22
A13
23
注： “模式”垫要被放置销33和34以及11和12之间，
短路。这种垫V的结合
CC
或V
SS
配置该设备。应该
仅是44 + 2 + 2焊盘的芯片上。两个额外的V
CC
从分离出阵列
外围设备和双模垫。
I / O
卜FF器
控制电路
列解码器
A5
A9
A10
A11
A14
A15
A16
A17
A18
UB
OE
LB
CS
48 -CSP球栅阵列封装
A
B
C
D
E
F
G
H
1
LB
I/O9
I/O10
V
SS
V
CC
I/O15
I/O16
A18
2
3
OE
A0
A3
UB
I / O11 A5
I / O12 A17
I / O13 V
SS
I / O14 A14
NC
A12
A8
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CS
I/O2
I/O4
I/O5
I/O6
WE
A11
6
NC
I/O1
I/O3
V
CC
V
SS
I/O7
I/O8
NC
选购指南
V
CC
范围
产品
AS6UA51216
AS6UA51216
AS6UA51216
民
(V)
2.7
2.3
1.65
典型值
2
(V)
3.0
2.5
2.0
最大
(V)
3.6
2.7
2.3
速度
（纳秒）
55
70
100
功耗
工作（我
CC1
)
马克斯（毫安）
2
1
1
待机（我
SB2
)
MAX （
A)
20
15
12
6/27/00
半导体联盟
1
版权所有2000联半导体公司。版权所有。
AS6UA51216
功能说明
该AS6UA51216是组织为524,288字× 16低功耗CMOS 8,388,608位静态随机存取存储器（ SRAM ）装置
位。它设计用于数据访问缓慢，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
的） 55/70/100 NS非常适合低功耗应用。活跃的高低芯片使
（ CS ）允许轻松扩展内存与多个银行的内存系统。
当CS为高电平时，或UB和LB高，器件进入待机模式： AS6UA51216保证不超过72
功率W
消费在3.6V和55ns ; 41
瓦， 2.7V和70纳秒;或28
瓦， 2.3V和100纳秒。该器件还返回数据时， V
CC
减少
到1.5V ，进一步降低了功耗。
写周期是由断言写使能（ WE）和芯片使能（ CS ）低不成， UB和/或LB低。输入引脚上的数据I / O1-
O16被写上的WE （写周期1）或CS （写周期2）的上升沿。为了防止总线冲突，外部设备应该推动I / O
销后，才输出已被禁用与输出使能（ OE ）和写使能（ WE） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）来完成，芯片使能（ CS ） ， UB和LB较低，写使能（ WE）高。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能无效，或写使能
活性，或（UB）和（LB） ，输出驱动器留在高阻抗模式。
这些设备提供多个中心电源和接地引脚，以及独立的字节使能控制，使待写入的各个字节和
读取。的LB控制较低位， I / O1 -I / O8 ，和UB控制较高位，I / O9 -I / O16 。
所有的芯片的输入和输出为CMOS兼容，并且操作是从一个单1.65V至3.6V电源供电。设备在使用JEDEC
标准的400毫升， TSOP II和48球FBGA封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在I / O引脚相对于GND的任何电压
功耗
存储温度（塑料）
温度V
CC
应用的
直流输出电流（低）
设备
符号
V
TIN
V
TI / O
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–
–65
–55
–
1.0
+150
+125
20
最大
V
CC
+ 0.5
单位
V
V
W
°
C
°
C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本specificati上的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CS
H
L
L
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
L
LB
X
H
X
L
H
L
L
L
L
X
H
L
关键：X =无关，L =低，H =高。
UB
X
H
X
H
L
L
H
L
L
供应
当前
I
SB
I
CC
I
CC
I / O1 I / O8 I / O9 I / O16
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
模式
待机（我
SB
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
I
CC
高Z
D
IN
写（我
CC
)
2
半导体联盟
6/27/00
AS6UA51216
推荐工作条件（在工作范围内）
参数
V
OH
描述
I
OH
= -2.1mA
输出高电压
I
OH
= -0.5mA
I
OH
= ?? 0.1毫安
I
OL
= 2.1毫安
V
OL
输出低电压
I
OL
- 0.5毫安
I
OL
= 0.1毫安
V
IH
输入高电压
测试条件
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.3V
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.3V
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.3V
V
CC
= 1.65V
V
CC
= 2.7V
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低电压
输入负载电流
输出负载电流
V
CC
工作电源
当前
V
CC
= 2.3V
V
CC
= 1.65V
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC;
输出高阻
CS = V
IL
, V
IN
= V
IL
或V
IH
, I
OUT
= 0毫安，
f=0
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.3V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.3V
2.2
2.0
1.4
–0.5
–0.3
–0.3
–1
–1
民
2.4
2.0
1.5
0.4
0.4
0.2
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
0.8
0.6
0.4
+1
+1
2
1
1
4
2
2
40/30/20
30/25/15
25/10/12
100
100
100
20
15
12
2
A
A
A
A
A
最大
单位
V
V
V
V
mA
I
CC1
@
1兆赫
,
CS < 0.2V V
IN
＆ LT ; 0.2V
平均V
CC
操作
或V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
电源电流在1 MHz
F = 1毫秒
平均V
CC
操作
电源电流
mA
I
CC2
V
CC
= 3.6V （ 55/70/100毫秒）
CS
≠
V
IL
, V
IN
= V
IL
or
V
CC
= 2.7V （ 55/70/100毫秒）
V
IH
, f = f
最大
V
CC
= 2.3V （ 55/70/100毫秒）
CS > V
IH
或UB = LB
＆ GT ; V
IH
，其他投入=
V
IL
或V
IH
, f = 0
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.3V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.3V
V
CC
= 1.2V
mA
I
SB
CS掉电电流;
TTL输入
I
SB1
CS > V
CC
- 0.2V或
CS掉电电流; UB = LB > V
CC
– 0.2V
CMOS输入
其他输入= 0V -
V
CC
, f = f
最大
数据保留
CS > V
CC
– 0.1V,
UB = LB = V
CC
– 0.1V
f=0
I
SBDR
电容（ F = 1兆赫，T
a
=室温，V
CC
=标称）
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CS ， WE ， OE ， LB ， UB
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
6/27/00
半导体联盟
3
AS6UA51216
读周期（在整个工作范围内）
–55
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CS ）访问时间
输出使能（ OE ）的访问
时间
从地址输出保持
变化
CS
在低Z O输出
–70
最大
–
55
55
25
–
–
20
–
55
–
20
20
–
55
民
70
–
–
–
10
10
0
5
–
10
0
0
0
–
最大
–
70
70
35
–
–
20
–
70
–
20
20
–
70
民
100
–
–
–
15
10
0
5
–
10
0
0
0
–
–100
最大
–
100
100
50
–
–
20
–
100
–
20
20
–
100
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
5
4, 5
4, 5
4, 5
3
3
笔记
符号
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
BA
t
BLZ
t
BHZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
民
55
–
–
–
10
10
0
5
–
10
0
0
0
–
CS高到高Z输出
OE低到低Z输出
UB / LB访问时间
UB / LB低到低Z
UB / LB高到高阻
OE高到高Z输出
电时间
关机时间
阴影部分表示的初步信息。
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
未定义/无所谓
读取波形1 （地址控制）
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
以前的数据有效
t
AA
数据有效
t
OH
读取波形2 （ CS ， OE ， UB ， LB控制）
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OLZ
CS
t
LZ
LB ， UB
t
BLZ
D
OUT
t
BA
数据有效
t
BHZ
t
ACS
t
OHZ
t
HZ
t
OE
t
OH
4
半导体联盟
6/27/00
QQ：2881677436 复制
