2000年10月
AS6UA25616
2.3V至3.6V 256K × 16 Intelliwatt 低功耗CMOS SRAM有一个芯片使能
■特点
AS6UA25616
Intelliwatt 有源电路
工业和商业温度范围内工作
组织： 262,144字×16位
2.7V至3.6V ，在55纳秒
2.3V至2.7V ，在70纳秒
低功耗： ACTIVE
- 114毫瓦，在3.6V和55纳秒
- 68毫瓦，在2.7V和70纳秒
低功耗：待机
- 72 μW最大电压为3.6V
- 41
W（最大值） ，在2.7V
1.2V数据保留
平等接入和周期时间
易于扩展内存与CS ， OE输入
最小尺寸封装
- 48球FBGA
- 400万44针TSOP II
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
逻辑框图
A0
A1
A2
A3
A4
A6
A7
A8
A12
A13
I/O1–I/O8
I/O9–I/O16
WE
行解码器
V
CC
256K × 16
ARRAY
(4,194,304)
V
SS
销装置（顶视图）
44引脚400密耳的TSOP II
44
A4
1
A5
A6
43
A3
2
A2
A7
42
3
OE
41
A1
4
A0
5
UB
40
CS
6
39
LB
I/O16
7
38
I/O1
I/O15
8
37
I/O2
I/O14
9
36
I/O3
I/O13
10
35
I/O4
V
CC
V
SS
11
34
V
SS
V
CC
12
33
13
32
I/O5
I/O12
14
31
I/O6
I/O11
15
30
I/O7
I/O10
I/O8
16
29
I/O9
17
28
WE
NC
18
A17
27
A8
19
26
A9
A16
20
25
A15
A10
24
A11
A14
21
23
A12
A13
22
I / O
卜FF器
控制电路
列解码器
A5
A9
A10
A11
A14
A15
A16
A17
UB
OE
LB
CS
48 -CSP球栅阵列封装
A
B
C
D
E
F
G
H
1
LB
I/O9
I/O10
V
SS
V
CC
I/O15
I/O16
NC
2
OE
UB
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CS
I/O2
I/O4
I/O5
I/O6
WE
A11
6
NC
I/O1
I/O3
V
CC
V
SS
I/O7
I/O8
NC
选购指南
V
CC
范围
产品
AS6UA25616
AS6UA25616
民
(V)
2.7
2.3
典型值
2
(V)
3.0
2.5
最大
(V)
3.6
2.7
速度
（纳秒）
55
70
功耗
工作（我
CC
)
马克斯（毫安）
2
1
待机（我
SB1
)
MAX （
A)
20
15
10/6/00
半导体联盟
1
版权所有2000联半导体公司。版权所有。
AS6UA25616
功能说明
该AS6UA25616是组织为262,144字× 16低功耗CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（ SRAM ）装置
位。它设计用于数据访问缓慢，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
的） 55/70 NS非常适合低功耗应用。活跃的高低芯片使
（ CS ）允许轻松扩展内存与多个银行的内存系统。
当CS为高电平时，或UB和LB高，器件进入待机模式： AS6UA25616保证不超过72
W
动力
消费在3.6V和55纳秒; 41μW在2.7V和70纳秒。该器件还返回数据时， V
CC
降低到1.5V ，进一步降低功率
消费。
写周期是由断言写使能（ WE）和芯片使能（ CS ）低不成， UB和/或LB低。输入引脚上的数据
I / O1 - O16被写在WE的上升沿（写周期1）或CS （写周期2）。为了防止总线冲突，外部设备应该推动
I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）来完成，芯片使能（ CS ） ， UB和LB较低，写使能（ WE）高。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能是无效的，或WRI E启用是
t
活性，或（UB）和（LB） ，输出驱动器留在高阻抗模式。
这些器件提供多个中心的电源和接地引脚，以及独立的字节使能控制，允许单个字节来bewritten
和阅读。的LB控制较低位， I / O1 -I / O8 ，和UB控制较高位，I / O9 -I / O16 。
所有的芯片的输入和输出为CMOS兼容，并且操作是从一个单一的2.3V至3.6V电源供电。设备在使用JEDEC
标准的400毫米， TSOP II和48球FBGA封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在I / O引脚相对于GND的任何电压
功耗
存储温度（塑料）
温度V
CC
应用的
直流输出电流（低）
设备
符号
V
TIN
V
TI / O
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–
–65
–55
–
1.0
+150
+125
20
最大
V
CC
+ 0.5
单位
V
V
W
o
C
o
C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
真值表
CS
H
L
L
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
L
LB
X
H
X
L
H
L
L
L
L
X
H
L
关键：X =无关，L =低，H =高。
UB
X
H
X
H
L
L
H
L
L
供应
当前
I
SB
I
CC
I
CC
I/O1–I/O8
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
I/O9–I/O16
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
模式
待机（我
SB
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
I
CC
高Z
D
IN
写（我
CC
)
2
半导体联盟
10/6/00
AS6UA25616
推荐工作条件（在工作范围内）
参数
V
OH
描述
I
OH
= -2.1mA
输出高电压
I
OH
= -0.5mA
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
- 0.5毫安
V
IH
输入高电压
V
CC
= 2.3V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.3V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.3V
V
CC
= 2.7V
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低电压
V
CC
= 2.3V
输入负载电流
输出负载电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC;
输出高阻
CS = V
IL
, V
IN
= V
IL
或V
IH
, I
OUT
= 0毫安，
f=0
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.6V （ 55/70 NS ）
V
CC
= 2.7V （ 70纳秒）
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 1.2V
–0.3
–1
–1
0.6
+1
+1
2
mA
1
5
mA
4
40/30
mA
25
100
A
A
A
测试条件
V
CC
= 2.7V
民
2.4
最大
单位
V
2.0
0.4
V
0.4
2.2
2.0
–0.5
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.3
0.8
V
V
I
CC1
@
1兆赫
CS < 0.2V ，V
IN
＆ LT ; 0.2V
平均V
CC
操作
或V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
电源电流在1 MHz
F = 1毫秒
平均V
CC
操作CS
≠
V
IL
, V
IN
= V
IL
or
电源电流
V
IH
, f = f
最大
CS > V
IH
或UB = LB
CS掉电电流;
＆ GT ; V
IH
，其他投入=
TTL输入
V
IL
或V
IH
, f = 0
CS掉电电流;
CMOS输入
CS > V
CC
- 0.2V或
UB = LB > V
CC
– 0.2V,
其他输入= 0V - V
CC
, f = f
最大
I
CC2
I
SB
100
20
15
2
A
A
I
SB1
I
SBDR
数据保留
CS > V
CC
– 0.1V,
UB = LB = V
CC
– 0.1V
f=0
电容（ F = 1兆赫，T
a
=室温，V
CC
=标称）
2
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CS ， WE ， OE ， LB ， UB
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
10/6/00
半导体联盟
3
AS6UA25616
读周期（在整个工作范围内）
3,9
–55
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CS ）的访问
时间
输出使能（ OE ）的访问
时间
从地址输出保持
变化
CS低到低Z输出
符号
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
OH
t
CLZ
民
55
–
–
–
10
10
0
5
–
10
0
0
0
–
最大
–
55
55
25
–
–
20
–
55
–
20
20
–
55
民
70
–
–
–
10
10
0
5
–
10
0
0
0
–
–70
最大
–
70
70
35
–
–
20
–
70
–
20
20
–
70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
5
4, 5
4, 5
4, 5
3
3
笔记
CS高到高阻吨产量
CHZ
OE低到低Z输出
t
OLZ
UB / LB访问时间
UB / LB低到低Z
UB / LB高到高阻
t
BA
t
BLZ
t
BHZ
OE高到高阻吨产量
OHZ
电时间
t
PU
关机时间
t
PD
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
以前的数据有效
t
AA
数据有效
t
OH
未定义/无所谓
读取波形1 （地址
控制）
3,6,7,9
读取波形2 （ CS ， OE ， UB ， LB控制）
3,6,8,9
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OLZ
CS
t
ACS
t
LZ
LB ， UB
t
BLZ
D
OUT
t
BA
数据有效
t
BHZ
t
OHZ
t
HZ
t
OE
t
OH
4
半导体联盟
10/6/00
2000年10月
AS6UA25616
2.3V至3.6V 256K × 16 Intelliwatt 低功耗CMOS SRAM有一个芯片使能
■特点
AS6UA25616
Intelliwatt 有源电路
工业和商业温度范围内工作
组织： 262,144字×16位
2.7V至3.6V ，在55纳秒
2.3V至2.7V ，在70纳秒
低功耗： ACTIVE
- 114毫瓦，在3.6V和55纳秒
- 68毫瓦，在2.7V和70纳秒
低功耗：待机
- 72 μW最大电压为3.6V
- 41
W（最大值） ，在2.7V
1.2V数据保留
平等接入和周期时间
易于扩展内存与CS ， OE输入
最小尺寸封装
- 48球FBGA
- 400万44针TSOP II
ESD保护
≥
2000伏
闩锁电流
≥
200毫安
逻辑框图
A0
A1
A2
A3
A4
A6
A7
A8
A12
A13
I/O1–I/O8
I/O9–I/O16
WE
行解码器
V
CC
256K × 16
ARRAY
(4,194,304)
V
SS
销装置（顶视图）
44引脚400密耳的TSOP II
44
A4
1
A5
A6
43
A3
2
A2
A7
42
3
OE
41
A1
4
A0
5
UB
40
CS
6
39
LB
I/O16
7
38
I/O1
I/O15
8
37
I/O2
I/O14
9
36
I/O3
I/O13
10
35
I/O4
V
CC
V
SS
11
34
V
SS
V
CC
12
33
13
32
I/O5
I/O12
14
31
I/O6
I/O11
15
30
I/O7
I/O10
I/O8
16
29
I/O9
17
28
WE
NC
18
A17
27
A8
19
26
A9
A16
20
25
A15
A10
24
A11
A14
21
23
A12
A13
22
I / O
卜FF器
控制电路
列解码器
A5
A9
A10
A11
A14
A15
A16
A17
UB
OE
LB
CS
48 -CSP球栅阵列封装
A
B
C
D
E
F
G
H
1
LB
I/O9
I/O10
V
SS
V
CC
I/O15
I/O16
NC
2
OE
UB
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CS
I/O2
I/O4
I/O5
I/O6
WE
A11
6
NC
I/O1
I/O3
V
CC
V
SS
I/O7
I/O8
NC
选购指南
V
CC
范围
产品
AS6UA25616
AS6UA25616
民
(V)
2.7
2.3
典型值
2
(V)
3.0
2.5
最大
(V)
3.6
2.7
速度
（纳秒）
55
70
功耗
工作（我
CC
)
马克斯（毫安）
2
1
待机（我
SB1
)
MAX （
A)
20
15
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版权所有2000联半导体公司。版权所有。
AS6UA25616
功能说明
该AS6UA25616是组织为262,144字× 16低功耗CMOS 4,194,304位静态随机存取存储器（ SRAM ）装置
位。它设计用于数据访问缓慢，低功耗，以及简单的接口都需要的存储器应用。
平等地址访问和周期时间（T
AA
, t
RC
, t
WC
的） 55/70 NS非常适合低功耗应用。活跃的高低芯片使
（ CS ）允许轻松扩展内存与多个银行的内存系统。
当CS为高电平时，或UB和LB高，器件进入待机模式： AS6UA25616保证不超过72
W
动力
消费在3.6V和55纳秒; 41μW在2.7V和70纳秒。该器件还返回数据时， V
CC
降低到1.5V ，进一步降低功率
消费。
写周期是由断言写使能（ WE）和芯片使能（ CS ）低不成， UB和/或LB低。输入引脚上的数据
I / O1 - O16被写在WE的上升沿（写周期1）或CS （写周期2）。为了防止总线冲突，外部设备应该推动
I / O引脚只后输出已停用与输出使能（OE ）或写使能（WE ） 。
读周期是由断言输出使能（ OE ）来完成，芯片使能（ CS ） ， UB和LB较低，写使能（ WE）高。该芯片
驱动器I / O管脚与由输入地址所引用的数据字。当任一芯片使能或输出使能是无效的，或WRI E启用是
t
活性，或（UB）和（LB） ，输出驱动器留在高阻抗模式。
这些器件提供多个中心的电源和接地引脚，以及独立的字节使能控制，允许单个字节来bewritten
和阅读。的LB控制较低位， I / O1 -I / O8 ，和UB控制较高位，I / O9 -I / O16 。
所有的芯片的输入和输出为CMOS兼容，并且操作是从一个单一的2.3V至3.6V电源供电。设备在使用JEDEC
标准的400毫米， TSOP II和48球FBGA封装。
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在I / O引脚相对于GND的任何电压
功耗
存储温度（塑料）
温度V
CC
应用的
直流输出电流（低）
设备
符号
V
TIN
V
TI / O
P
D
T
英镑
T
BIAS
I
OUT
民
–0.5
–0.5
–
–65
–55
–
1.0
+150
+125
20
最大
V
CC
+ 0.5
单位
V
V
W
o
C
o
C
mA
注：应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
真值表
CS
H
L
L
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
L
LB
X
H
X
L
H
L
L
L
L
X
H
L
关键：X =无关，L =低，H =高。
UB
X
H
X
H
L
L
H
L
L
供应
当前
I
SB
I
CC
I
CC
I/O1–I/O8
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
I/O9–I/O16
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
模式
待机（我
SB
)
禁止输出（I
CC
)
阅读（我
CC
)
I
CC
高Z
D
IN
写（我
CC
)
2
半导体联盟
10/6/00
AS6UA25616
推荐工作条件（在工作范围内）
参数
V
OH
描述
I
OH
= -2.1mA
输出高电压
I
OH
= -0.5mA
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
- 0.5毫安
V
IH
输入高电压
V
CC
= 2.3V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.3V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.3V
V
CC
= 2.7V
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低电压
V
CC
= 2.3V
输入负载电流
输出负载电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC;
输出高阻
CS = V
IL
, V
IN
= V
IL
或V
IH
, I
OUT
= 0毫安，
f=0
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.6V （ 55/70 NS ）
V
CC
= 2.7V （ 70纳秒）
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 1.2V
–0.3
–1
–1
0.6
+1
+1
2
mA
1
5
mA
4
40/30
mA
25
100
A
A
A
测试条件
V
CC
= 2.7V
民
2.4
最大
单位
V
2.0
0.4
V
0.4
2.2
2.0
–0.5
V
CC
+ 0.5
V
CC
+ 0.3
0.8
V
V
I
CC1
@
1兆赫
CS < 0.2V ，V
IN
＆ LT ; 0.2V
平均V
CC
操作
或V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
电源电流在1 MHz
F = 1毫秒
平均V
CC
操作CS
≠
V
IL
, V
IN
= V
IL
or
电源电流
V
IH
, f = f
最大
CS > V
IH
或UB = LB
CS掉电电流;
＆ GT ; V
IH
，其他投入=
TTL输入
V
IL
或V
IH
, f = 0
CS掉电电流;
CMOS输入
CS > V
CC
- 0.2V或
UB = LB > V
CC
– 0.2V,
其他输入= 0V - V
CC
, f = f
最大
I
CC2
I
SB
100
20
15
2
A
A
I
SB1
I
SBDR
数据保留
CS > V
CC
– 0.1V,
UB = LB = V
CC
– 0.1V
f=0
电容（ F = 1兆赫，T
a
=室温，V
CC
=标称）
2
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
信号的
A， CS ， WE ， OE ， LB ， UB
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= V
OUT
= 0V
最大
5
7
单位
pF
pF
10/6/00
半导体联盟
3
AS6UA25616
读周期（在整个工作范围内）
3,9
–55
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能（ CS ）的访问
时间
输出使能（ OE ）的访问
时间
从地址输出保持
变化
CS低到低Z输出
符号
t
RC
t
AA
t
ACS
t
OE
t
OH
t
CLZ
民
55
–
–
–
10
10
0
5
–
10
0
0
0
–
最大
–
55
55
25
–
–
20
–
55
–
20
20
–
55
民
70
–
–
–
10
10
0
5
–
10
0
0
0
–
–70
最大
–
70
70
35
–
–
20
–
70
–
20
20
–
70
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
4, 5
5
4, 5
4, 5
4, 5
3
3
笔记
CS高到高阻吨产量
CHZ
OE低到低Z输出
t
OLZ
UB / LB访问时间
UB / LB低到低Z
UB / LB高到高阻
t
BA
t
BLZ
t
BHZ
OE高到高阻吨产量
OHZ
电时间
t
PU
关机时间
t
PD
关键开关波形
瑞星输入
下降输入
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
以前的数据有效
t
AA
数据有效
t
OH
未定义/无所谓
读取波形1 （地址
控制）
3,6,7,9
读取波形2 （ CS ， OE ， UB ， LB控制）
3,6,8,9
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OLZ
CS
t
ACS
t
LZ
LB ， UB
t
BLZ
D
OUT
t
BA
数据有效
t
BHZ
t
OHZ
t
HZ
t
OE
t
OH
4
半导体联盟
10/6/00
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