2007年2月
AS6C62256
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
特点
访问时间： 55ns
低功耗：
工作电流：
15毫安（ TYP。 ） ，V
CC
= 3.0V
待机电流：
1μ A（ TYP。 ） ，V
CC
= 3.0V
宽电源范围： 2.7 5.5V
完全兼容所有5V竞争对手产品
完全兼容所有的竞争对手3.3V产品
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
所有产品符合RoHS
封装：28引脚600密耳PDIP
28引脚330密耳SOP
28引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
概述
该AS6C62256是262,144位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为32768
字由8位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该AS6C62256是精心设计的低功耗
应用程序，并特别适合于电池
备份非易失性存储器应用。
该AS6C62256工作在宽范围电源
提供2.7 5.5V
.
功能框图
引脚说明
符号
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
A0 - A14
DQ0 - DQ7
CE＃
WE＃
OE ＃
V
CC
V
SS
VCC
VSS
32Kx8
存储阵列
A0-A14
解码器
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE＃
WE＃
OE ＃
控制
电路
02 /月/ 07 ， V1.0
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2007年2月
AS6C62256
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
引脚配置
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
28
27
26
25
VCC
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
OE ＃
A11
A9
A8
A13
WE＃
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
AS6C62256
PDIP / SOP
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
AS6C62256
STSOP
绝对最大额定值*
参数
相对于V端子电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
焊接温度（低于10秒）
符号
V
TERM
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
-40 85 （ I级）
-65到150
1
50
260
等级
-0.5 7.0
0 70 （C级）
单位
V
C
C
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
C
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
注意：
CE＃
H
L
L
L
OE ＃
X
H
L
X
WE＃
X
H
H
L
I / O操作
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,I
SB1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
I
CC
,I
CC1
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
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AS6C62256
32K ×8位低功耗CMOS SRAM
时序波形
读周期1
（地址控制） （1,2）
t
RC
地址
t
AA
DOUT
以前的数据有效
t
OH
数据有效
读周期2
（ CE ＃和OE ＃控制） （ 1,3,4,5 ）
t
RC
地址
t
AA
CE＃
t
ACE
OE ＃
t
OLZ
t
OE
t
OH
t
OHZ
t
CHZ
数据有效
高-Z
t
CLZ
DOUT
高-Z
注意事项：
1.我们＃为高的读周期。
2.Device不断选择OE ＃ =低， CE ＃ =低
.
3.Address必须先于或重合的有效使用CE ＃ =低
,
;否则吨
AA
是限制参数。
4.t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
和T
OHZ
用C指定
L
= 5pF的。转变是从稳态测量± 500mV的。
5.At任何给定的温度和电压条件下，叔
CHZ
小于吨
CLZ
, t
OHZ
小于吨
OLZ 。
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