【2007年10月2007年1月AS6C4008512K ×8CMOS SRAM512K ×8位低功耗】,IC型号AS6C4008-55PCN,AS6C4008-55PCN PDF资料,AS6C4008-55PCN经销商,ic,电子元器件-51电子网

2007年10月

2007年1月

AS6C4008

512K ×8

CMOS SRAM

512K ×8位低功耗

位低功耗CMOS SRAM

特点

访问时间： 55 ns的

低功耗：

Operatingcurrent ： 30 / 20毫安（ TYP 。）

待机电流： 4 μA （典型值）C -版

单2.7V 5.5V单电源供电

完全兼容所有5V竞争对手产品

完全兼容所有的竞争对手3.3V产品

全静态操作

三态输出

数据保持电压： 2.0V （ MIN ）

所有产品符合RoHS

封装的32引脚450密耳SOP

32引脚采用8mm x 20毫米TSOP -I

32-pin

600万P- DIP

32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP

未来

*36-ball

采用6mm x 8毫米TFBGA

快！

概述

该AS6C4008是4,194,304位低功耗

的CMOS静态随机存取存储器组织成

524,288字由8位。它使用非常捏造

高性能，高可靠性的CMOS技术。

其待机电流的范围内稳定

工作温度。

该AS6C4008是精心设计的功耗非常低

系统的应用，并且特别适用于

电池备份非易失性存储器应用。

吨他AS6C4008单电源工作

供应2.7V 5.5V

功能框图

引脚说明**

符号

描述

地址输入

数据输入/输出

芯片使能输入

写使能输入

输出使能输入

电源

地

无连接

A0 - A18

DQ0 - DQ7

CE＃

WE＃

OE ＃

VCC

VSS

A0-A18

解码器

512Kx8

存储阵列

DQ0-DQ7

I / O数据

电路

列I / O

CE＃

WE＃

OE ＃

控制

电路

10月/ 10月/ 07 V.1.1

联盟存储器公司

第1页1

2007年10月

AS6C4008

512K ×8位低功耗CMOS SRAM

引脚配置

A18

A16

A14

A12

DQ0

DQ1

DQ2

VSS

SOP / P- DIP

VCC

A15

A17

WE＃

A13

A11

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

A11

A13

WE＃

A17

A15

VCC

A18

A16

A14

A12

OE ＃

A10

CE＃

DQ7

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

VSS

DQ2

DQ1

DQ0

AS6C4008

TSOP -I / STSOP

DQ4

DQ5

VSS

VCC

DQ6

WE＃

DQ0

DQ1

VCC

VSS

A18

A17

DQ2

A15 DQ3

A13

A14

DQ7 OE ＃ CE ＃ A16

A10

A11

A12

TFBGA

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分页： 15 2

2007年10月

AS6C4008

512K ×8位低功耗CMOS SRAM

绝对最大额定值*

参数

相对于V端子电压

工作温度

储存温度

功耗

直流输出电流

焊接温度（低于10秒）

符号

TERM

英镑

OUT

SOLDER

-40 85 （ I级）

-65到150

260

等级

-0.5 6.5

0 70 （C级）

单位

*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力

值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作

规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。

真值表

待机

输出禁用

读

写

注意：

模式

CE＃

OE ＃

WE＃

I / O操作

高-Z

OUT

电源电流

SB1

CC1

H = V

中，L = V

，X =无关。

DC电气特性

符号

测试条件

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

输入漏电流

≧

输出漏

≧

OUT

≧

当前

输出禁用

输出高电压

= -1mA

输出低电压

= 2毫安

周期时间=最小。

- 55

CE＃ = 0.2V ，我

I / O

= 0毫安

其他引脚在0.2V或V

- 0.2V

平均开工

电源电流

周期时间= 1μs的时间

CC1

CE＃ = 0.2V ，我

I / O

= 0毫安

其他引脚在0.2V或V

- 0.2V

待机功耗

SB1

CE＃

≧

- 0.2V

电源电流

注意事项：

分钟。

典型值。

2.7

3.0

0.7* V

- 0.2

-1

2.4

马克斯。

5.5

+0.3

0.6

0.4

单位

1. V

（MAX） = V

+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。 V

（分钟） = V

- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。

2.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。

3.典型值包括仅供参考，不保证或测试。

典型的价值V的测

= V

（ TYP。）和T

= 25C

4. 25μA的特殊要求

* C =商用温度/ I =工业级温度

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第15 3

2007年10月

AS6C4008

512K ×8位低功耗CMOS SRAM

写周期1

（ WE＃控制）（ 1,2,3,5,6 ）

地址

CE＃

WE＃

WHZ

DOUT

(4)

高-Z

DIN

(4)

数据有效

写周期2

（ CE ＃控制）（ 1,2,5,6 ）

地址

CE＃

WE＃

WHZ

DOUT

(4)

高-Z

DIN

数据有效

注意事项：

1.我们＃，CE ＃必须在所有的地址转换高。

低CE ＃，低WE＃重叠期间发生2.A写。

3.During一个WE＃控制的写周期OE ＃低，T

必须大于吨

WHZ

+ t

以使驾驶者关闭和数据是

放置在总线上。

4.During此期间， I / O引脚的输出状态，输入信号不能被应用。

5.如果CE＃同时发生或之后WE＃低电平跳变低电平的转换，输出保持在高阻抗状态。

6.t

和T

WHZ

用C指定

= 5pF的。转变是从稳态测量± 500mV的。

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第15 4

2007年10月

修订版1.1

AS6C4008

512K ×8位低功耗CMOS SRAM

注意事项：

1. V

（MAX） = V

+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。

2. V

（分钟） = V

- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。

3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。

4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。

典型的价值V的测

= V

（ TYP。）和T

= 25?

电容

= 25

℃

中，f = 1.0MHz的）

参数

输入电容

输入/输出电容

符号

I / O

分钟。

注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。

最大

单位

AC测试条件

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入和输出时序参考电平

输出负载

0.2V至V

- 0.2V

3ns

1.5V

= 30pF的+ 1TTL ，我

= -1mA / 2毫安

AC电气特性

（ 1 ）读周期

参数

读周期时间

地址访问时间

芯片使能存取时间

输出启用访问时间

芯片使能在低Z输出

输出使能，以在低Z输出

芯片禁用输出高阻

输出禁用输出高阻

从地址变更输出保持

（ 2 ）写周期

参数

写周期时间

地址有效到写结束

芯片使能写操作的结束

地址建立时间

把脉冲宽度

写恢复时间

数据写入时间重叠

从写入时间结束数据保持

输出写入结束活动

写在高Z输出

符号。

分钟。

ACE

CLZ

OLZ

CHZ

OHZ

马克斯。

AS6C4008-55

分钟。

马克斯。

单位

分钟。

马克斯。

符号。

分钟。

WHZ

马克斯。

*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。

AS6C4008-55

分钟。

马克斯。

单位

分钟。

马克斯。

2007年10月10日， 1.1版

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第15个5