SRAM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 SRAM
高速CMOS SRAM与
3.3V革命引脚
特点
高速存取的10倍，12，15和20纳秒
高性能，低功耗的CMOS工艺
多中心的电源和接地引脚的噪音较大
免疫
易于扩展内存通过CE \\和OE \\选项
CE \\断电
全静态操作：不需要时钟或刷新
TTL兼容的输入和输出
单3.3V电源
AS5LC1008
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚， 400密耳
塑料SOJ （DJ） &陶瓷SOJ （ DCJ ）
选项
时机
10ns的访问
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
包
塑料SOJ （ 32针， 400密耳）
*陶瓷SOJ （ 32针， 400密耳）
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
记号
-10
-12
-15
-20
A0
A1
A2
A3
CE \\
I / O 0
I / O 1
VCC
GND
I / O 2
I / O 3
WE \\
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE \\
I / O 7
I / O 6
GND
VCC
I / O 5
I / O 4
A12
A11
A10
A9
A8
DJ
DCJ
906号
501号
引脚功能
XT
IT
*联系工厂，未来可能发行
概述
该ASI AS5LC1008是一个非常高速，低功耗，
131,072字由8位CMOS静态RAM革命
引脚排列。该AS5LC1008采用高性能的制作
CMOS技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，得到更高的性能
和低功耗的器件。
当CE \\为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以降低
下降到250μW （典型值）， CMOS输入电平。
该AS5LC1008采用3.3V单电源供电
和所有的输入是TTL兼容的。
针
A0 - A16
CE \\
OE \\
WE \\
I / O0 - I / O7
V
CC
GND
描述
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS5LC1008
1.1修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
A0 - A16
128K ×8
存储阵列
AS5LC1008
解码器
V
CC
GND
I / O0 - I / O7
I / O数据
电路
列I / O
CE \\
OE \\
WE \\
控制
电路
绝对最大额定值*
相对于GND端子电压（V
TERM
） ................................................. ..........................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
高温下偏置（T
BIAS
).............................................................................................................................-55°C至+ 125°C
存储温度（T
英镑
)....................................................................................................................................-65°C至+ 150°C
功耗（P
T
)................................................................................................................................................................1.0W
*应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE \\
X
H
H
L
CE \\
H
L
L
L
OE \\
X
H
L
X
I / O操作V
CC
当前
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
I
SB1
, I
SB2
I
CC1
, I
CC2
I
CC1
, I
CC2
I
CC1
, I
CC2
AS5LC1008
1.1修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5LC1008
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 3.3V + 0.3V ）
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
1
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
民
2.4
---
2.2
-0.3
最大
---
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
5
5
单位
V
V
V
V
A
A
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
;
输出禁用
-5
-5
注意：
1. V
IL
= -3.0V脉冲宽度小于10ns的。
电源特性
1
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 3.3V + 0.3V ）
参数
V
CC
工作动态
电源电流
符号
I
CC
条件
V
CC
=最大， CE \\ = V
IL
,
I
OUT
= 0 mA时， F =最大
V
CC
=最大，V
IN
= V
IH
或V
IL
CE \\ > V
IH
， F =最大
V
CC
=最大，V
IN
= V
IH
或V
IL
CE \\ > V
IH
, f = 0
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
-10
-12
-20
-15
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
---
160
---
140
---
130
---
120
mA
I
SB
TTL待机电流
（ TTL输入）
I
SB1
---
45
---
40
---
35
---
30
mA
---
30
---
30
---
30
---
30
mA
CMOS待机电流
（ CMOS输入）
I
SB2
---
10
---
10
---
10
---
10
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
1,2
参数
输入电容
输入/输出电容
符号条件
C
IN
C
I / O
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， V
CC
= 3.3V.
AS5LC1008
1.1修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
读周期开关特性
1
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 3.3V + 0.3V ）
-10
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE \\访问时间
OE \\访问时间
OE \\到低阻抗输出
OE \\到输出高阻态
CE \\到低阻抗输出
CE \\到输出高阻态
符号
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
2
2
AS5LC1008
-12
最大
---
10
---
10
5
---
5
---
5
民
12
---
2
---
---
0
0
2
0
最大
---
12
---
12
6
---
6
---
6
民
15
---
2
---
---
0
0
2
0
-15
最大
---
15
---
15
7
---
7
---
7
民
20
---
2
---
---
0
0
2
0
-20
最大
---
20
---
20
8
---
8
---
8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
10
---
2
---
---
0
0
2
0
t
HZOE
t
LZCE
2
2
t
HZCE
注意事项：
1.测试条件假设为3ns或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V指定的C1和输出负载
在网络连接gure 1 。
2.在图测试与C2负荷1.转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3ns
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
图1
AS5LC1008
1.1修订版06/05
图2
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5LC1008
读周期＃ 1
1,2
读周期＃ 2
1,3
注意事项：
1.我们\\是高的读周期。
2.该装置被连续地选择。 OE \\ CE \\ = V
IL
.
3.地址先于或重合有效通过CE \\负跳变。
AS5LC1008
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5
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奥斯汀半导体公司
128K ×8 SRAM
高速CMOS SRAM与
3.3V革命引脚
特点
高速存取的10倍，12，15和20纳秒
高性能，低功耗的CMOS工艺
多中心的电源和接地引脚的噪音较大
免疫
易于扩展内存通过CE \\和OE \\选项
CE \\断电
全静态操作：不需要时钟或刷新
TTL兼容的输入和输出
单3.3V电源
AS5LC1008
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚， 400密耳
塑料SOJ （DJ） &陶瓷SOJ （ DCJ ）
选项
时机
10ns的访问
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
包
塑料SOJ （ 32针， 400密耳）
*陶瓷SOJ （ 32针， 400密耳）
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
记号
-10
-12
-15
-20
A0
A1
A2
A3
CE \\
I / O 0
I / O 1
VCC
GND
I / O 2
I / O 3
WE \\
A4
A5
A6
A7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A16
A15
A14
A13
OE \\
I / O 7
I / O 6
GND
VCC
I / O 5
I / O 4
A12
A11
A10
A9
A8
DJ
DCJ
906号
501号
引脚功能
XT
IT
*联系工厂，未来可能发行
概述
该ASI AS5LC1008是一个非常高速，低功耗，
131,072字由8位CMOS静态RAM革命
引脚排列。该AS5LC1008采用高性能的制作
CMOS技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，得到更高的性能
和低功耗的器件。
当CE \\为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功率耗散可以降低
下降到250μW （典型值）， CMOS输入电平。
该AS5LC1008采用3.3V单电源供电
和所有的输入是TTL兼容的。
针
A0 - A16
CE \\
OE \\
WE \\
I / O0 - I / O7
V
CC
GND
描述
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS5LC1008
1.0版11/02
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
A0 - A16
128K ×8
存储阵列
AS5LC1008
解码器
V
CC
GND
I / O0 - I / O7
I / O数据
电路
列I / O
CE \\
OE \\
WE \\
控制
电路
绝对最大额定值*
相对于GND端子电压（V
TERM
） ................................................. ..........................................- 0.5V至V
CC
+ 0.5V
高温下偏置（T
BIAS
).............................................................................................................................-55°C至+ 125°C
存储温度（T
英镑
)....................................................................................................................................-65°C至+ 150°C
功耗（P
T
)................................................................................................................................................................1.0W
*应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
模式
未选择
（掉电）
输出禁用
读
写
WE \\
X
H
H
L
CE \\
H
L
L
L
OE \\
X
H
L
X
I / O操作V
CC
当前
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
I
SB1
, I
SB2
I
CC1
, I
CC2
I
CC1
, I
CC2
I
CC1
, I
CC2
AS5LC1008
1.0版11/02
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5LC1008
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 3.3V + 0.3V ）
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
1
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0mA
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
民
2.4
---
2.2
-0.3
最大
---
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
5
5
单位
V
V
V
V
A
A
GND < V
IN
＆ LT ; V
CC
GND < V
OUT
＆ LT ; V
CC
;
输出禁用
-5
-5
注意：
1. V
IL
= -3.0V脉冲宽度小于10ns的。
电源特性
1
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 3.3V + 0.3V ）
参数
V
CC
工作动态
电源电流
符号
I
CC
条件
V
CC
=最大， CE \\ = V
IL
,
I
OUT
= 0 mA时， F =最大
V
CC
=最大，V
IN
= V
IH
或V
IL
CE \\ > V
IH
， F =最大
V
CC
=最大，V
IN
= V
IH
或V
IL
CE \\ > V
IH
, f = 0
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
-10
-12
-20
-15
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
---
160
---
140
---
130
---
120
mA
I
SB
TTL待机电流
（ TTL输入）
I
SB1
---
45
---
40
---
35
---
30
mA
---
30
---
30
---
30
---
30
mA
CMOS待机电流
（ CMOS输入）
I
SB2
---
10
---
10
---
10
---
10
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
电容
1,2
参数
输入电容
输入/输出电容
符号条件
C
IN
C
I / O
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
最大
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， V
CC
= 3.3V.
AS5LC1008
1.0版11/02
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
读周期开关特性
1
(-55
o
<牛逼
A
< 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 3.3V + 0.3V ）
-10
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE \\访问时间
OE \\访问时间
OE \\到低阻抗输出
OE \\到输出高阻态
CE \\到低阻抗输出
CE \\到输出高阻态
符号
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
2
2
AS5LC1008
-12
最大
---
10
---
10
5
---
5
---
5
民
12
---
2
---
---
0
0
2
0
最大
---
12
---
12
6
---
6
---
6
民
15
---
2
---
---
0
0
2
0
-15
最大
---
15
---
15
7
---
7
---
7
民
20
---
2
---
---
0
0
2
0
-20
最大
---
20
---
20
8
---
8
---
8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
民
10
---
2
---
---
0
0
2
0
t
HZOE
t
LZCE
2
2
t
HZCE
注意事项：
1.测试条件假设为3ns或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V指定的C1和输出负载
在网络连接gure 1 。
2.在图测试与C2负荷1.转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3ns
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
图1
AS5LC1008
1.0版11/02
图2
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5LC1008
读周期＃ 1
1,2
读周期＃ 2
1,3
注意事项：
1.我们\\是高的读周期。
2.该装置被连续地选择。 OE \\ CE \\ = V
IL
.
3.地址先于或重合有效通过CE \\负跳变。
AS5LC1008
1.0版11/02
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
QQ：2881677436 复制
