【SRAM奥斯汀半导体公司512K ×8 SRAM高速SRAM与革命引脚作为军事特定网络阳离子 SMD】,IC型号AS5C512K8F-35,AS5C512K8F-35 PDF资料,AS5C512K8F-35经销商,ic,电子元器件-51电子网

SRAM

奥斯汀半导体公司

512K ×8 SRAM

高速SRAM与

革命引脚

作为军事

特定网络阳离子

SMD 5962-95600

SMD 5962-95613

MIL-STD-883

AS5C512K8

引脚分配

（ TOP VIEW ）

36引脚SOJ （ DJ ， ECJ & SOJ ）

36引脚CLCC （ EC）

特点

超高速异步操作

??完全静态的，并没有时钟

多中心的电源和接地引脚，以提高

噪声抗扰度

易于扩展内存通过CE \\和OE \\

选项

所有输入和输出为TTL兼容

单+ 5V电源+/- 10 ％

数据保持功能测试

成本高效的塑料包装

扩展的测试在-55℃至+ 125℃的塑料

塑料36引脚PSOJ与完全兼容

陶瓷36引脚SOJ和无铅完成提供

3.3V未来发售

36引脚扁平封装（F ）

选项

时机

为12ns存取

15ns的访问

为17ns存取

20ns的访问

25ns的访问

为35ns存取

为45nS接入

工作温度范围

整个军用（ -55

o

C至+ 125

o

C)

军事（ -55

o

C至+ 125

o

C)

工业级（-40

o

C至+ 85

o

C)

记号

-12

-15

-17

-20

-25

-35

-45

/883C

XT

IT

概述

该AS5C512K8是高速SRAM中。它提供了灵活性

高速存储应用，芯片使能（ CE \\ ）和输出

使能（OE \\ ）的能力。这些功能可以将输出在

高-Z在系统设计的灵活性。

写入这些设备被实现时的写使能（WE \\）

和CE \\输入都是低电平。当我们\\读完成

居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。

作为一个选项，该设备可以提供提供一个减小的功率

待机状态下，使系统设计人员能够满足低待机功耗

要求。该器件采用单+ 5V电源供电

和所有输入和输出完全兼容TTL 。

该AS5C512K8DJ提供的便利性和可靠性

AS5C512K8 SRAM和具有耐用塑料的成本优势。

该AS5C512K8DJ是足迹与36引脚兼容CSOJ

封装SMD 5692-95600的。

奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。

包（ S）

陶瓷LCC

EC

陶瓷扁平

F

塑料SOJ （无铅） *

DJ

陶瓷SOJ （附后形成铅） ECJ

陶瓷SOJ

SOJ

* PB完成也可，联系工厂

2V数据保存/低功耗

L

欲了解更多产品信息

请访问我们的网站：

www.austinsemiconductor.com

AS5C512K8

修订版7.0 05/08

1

SRAM

奥斯汀半导体公司

功能框图

VCC

GND

AS5C512K8

DQ8

输入缓冲器

行解码器

I / O

控制

4,194,304-BIT

存储阵列

1024行×

4096柱

A0-A18

DQ1

CE \\

列解码器

OE \\

WE \\

*电源

下

*在低电压数据保留选项。

引脚功能

A0 - A18

地址输入

写使能

芯片使能

OUTPUT ENABLE

数据输入/输出

动力

地

无连接

真值表

模式

OE \\ CE \\ WE \\

待机

X

H

X

读

L

H

不选自H

L

H

写

X

L

X =无关

WE \\

I / O

高-Z

Q

高-Z

D

动力

待机

活跃

CE \\

OE \\

I / O

0

- I / O

7

V

CC

V

SS

NC

AS5C512K8

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2

SRAM

奥斯汀半导体公司

绝对最大额定值*

AS5C512K8

*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大

Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是

在VCC电源相对于Vss电压

VCC ................................................. .............................- ， 5V至+ 7.0V的应力等级的设备仅运行在

存储温度（塑料） ......................- 65 ° C至+ 150°C ，这些或任何其他条件超过上述指定

存储温度（陶瓷） ...................- 55 ° C至本规范+ 125°C操作部分将得不到保证。曝光

短路输出电流（每个I / O） ... ........................ 20mA至绝对最大额定值条件下工作

任何引脚相对于Vss .................- 。 5V至Vcc + 1V的电压会影响其可靠性。

最高结温** .............................. + 150°C **结温取决于封装类型，循环

功耗................................................ ................ 1W时，负载，环境温度和空气流通，湿度。

电气特性和建议的直流工作条件

(-55

o

<牛逼

A

< 125

o

& -40

o

<牛逼

A

< +85

o

℃; VCC = 5V + 10 ％）

'(6&5,37,21

3RZHU 6XSSO \\

&XUUHQW ？ 2SHUDWLQJ

I

&21',7,216

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9FF

0$; W

5&

2XWSXWV 2SHQ

/ 9HUVLRQ 2QO \\

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2XWSXWV 2SHQ

3RZHU 6XSSO \\

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/ 9HUVLRQ 2QO \\

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μ

＆ QUOT ;

μ

＆ QUOT ;

电容

参数

输入电容

输出Capactiance

条件

T

A

= 25°C ， F = 1MHz的

V

IN

= 0

o

符号

C

I

Co

最大

12

14

单位

pF

笔记

4

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AS5C512K8

电气特性和推荐AC工作条件

(-55

o

<牛逼

A

< 125

o

C或-40

o

C至+ 85

o

℃; VCC = 5V + 10 ％）

'(6&5,37,21

5 （ $ ' &<& / （

5HDG & \\ FOH

$ GGUHVV $ FFHVV

&KLS （ QDEOH $ FFHVV

2XWSXW + ROG ） URP $ GGUHVV &KDQJH

&KLS （ QDEOH WR 2XWSXW LQ / RZ ？ =

&KLS “ LVDEOH WR 2XWSXW LQ + LJK ？ =

2XWSXW （ QDEOH $ FHVV

2XWSXW （ QDEOH WR 2XWSXW LQ / RZ ？ =

2XWSXW “ LVDEOH WR 2XWSXW LQ + LJK ？ =

： 5,7 （ &<& / （

： 5,7 （ & \\ FOH

&KLS （ QDEOH WR （ QG RI ： ULWH

$ GGUHVV 9DOLG WR （ QG RI ： ULWH

$ GGUHVV 6HWXS

$ GGUHVV + ROG ） URP （ QG RI ： ULWH

： 5,7 （ 3XOVH ふ

“ DWD 6HWXS

“ DWD + ROG

： ULWH “ LVDEOH WR 2XWSXW LQ / RZ = ？

：？ ULWH （ QDEOH WR 2XWSXW LQ + LJK =

6<0

W

5&

W

$$

W

&美元（

W

2+

W

/ = & （

W

+ = & （

W

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W

/=2(

W

+=2(

W

： &

W

＆放大器;：

W

$:

W

$6

W

$+

W

:3

W

'6

W

'+

W

/=:(

W

+=:(

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0,1 0$; 0,1 0$; 0,1 0$; 0,1 0$; 0,1 0$; 0,1 0$; 0,1 0$;

QV

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AC测试条件

输入脉冲电平............................................... ....... VSS至3.0V

输入上升和下降时间............................................. ............为3ns

输入定时基准水平.............................................. 。 1.5V

输出参考电平............................................... ......... 1.5V

输出负载................................................参见图1和图2

AS5C512K8

Q

167欧姆

1.73V

C=30pF

Q

167欧姆

1.73V

C=5pF

图。 1输出负载

当量

图。 2输出负载

当量

笔记

1.

2.

3.

4.

5.

6.

参考V所有电压

SS

（GND）。

-2V脉冲宽度为20ns <

I

CC

依赖于输出负载和循环率。

此参数是保证，但未经测试。

试验条件与输出负载指定

如示于图1 ，除非另有说明。

t

LZCE ，

t

LZWE ，

t

LZOE ，

t

HZCE ，

t

HZOE和

t

HZWE

用CL = 5pF的被指定为与图。 2.过渡

从稳态电压测量± 200mV的。

在任何给定的温度和电压条件下，

t

HZCE小于

t

LZCE和

t

HZWE小于

t

LZWE 。

WE \\为高读周期。

9.

10.

11.

12.

13.

14.

15.

设备被连续地选择。芯片使能和

输出使他们的活动状态被保持。

地址有效之前或重合，最新

发生芯片使能。

t

RC =读周期时间。

芯片使能和写使能发起和

结束一个写周期。

输出使能（ OE \\ ）是无效（高）。

输出使能（ OE \\ ）有效（低电平）。

ASI不保证功能的可靠性，也

任何产品，其中所述结点温度

超过150℃ 。应注意，限制权力

可接受的水平。

7.

8.

数据保存电气特性

（只有L型）

描述

VCC为保留数据

数据保持电流

芯片取消到数据

手术恢复时间

条件

CE \\ > V

CC

-0.2V

V

IN

＆ GT ; V

CC

-0.2或0.2V

VCC = 2.0V

符号

V

DR

I

CCDR

t

CDR

t

R

0

10

民

2

800

最大

单位

V

uA

ns

ms

4

4, 11

笔记

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