SRAM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 SRAM
超低功耗SRAM
作为军事
规范
SMD 5962-95613
MIL-STD -883
1
1,2
AS5C4009LL
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚DIP ， 32引脚SOJ
& 32引脚TSOP
特点
超低功耗，具有2V数据保留
（ 0.2MW MAX最坏情况下掉电待机）
??完全静态的，并没有时钟
单+ 5V ± 10 ％电源
易于扩展内存通过CE \\和OE \\选项
所有输入和输出为TTL兼容
三态输出
工作温度范围：
陶瓷-55
o
C至+ 125
o
& -40
o
C至+ 85
o
C
塑料
-40
o
C至+ 85
o
C
3
1.不适用于塑料包装
2.仅适用于CW包。
3，联系工厂-55
o
C至+ 125
o
C
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I/08
I/07
I/06
I/05
I/04
选项
时机
55ns存取
为70ns存取
85ns存取
100ns的访问
包
陶瓷DIP （ 600密耳）
陶瓷SOJ
5
塑料TSOP
记号
-55
4
-70
-85
-100
CW
ECJ
DG
第112号
502号
1002号
I/01
I/02
I/03
VSS
4.对于危险品包装，联系工厂
5.联系厂家
注意：
工作温度，速度，数据保存和低功耗的不是所有的组合都是
不一定可用。请联系工厂的特定部件号的可用性
组合。
概述
该AS5C4009LL组织为524288 ×8 SRAM利用
特殊的超低功耗设计流程。 ASI的引脚排列坚持的
JEDEC标准的引脚排列4兆位的SRAM 。进化32
引脚版本允许从1兆的SRAM设计轻松升级。
对于存储器应用的灵活性， ASI提供芯片使能（ CE \\ ）
和输出使能（OE \\ ）的能力。这些功能可以将
在高阻抗输出，在系统设计中更多的灵活性。
该器件采用+ 5V单电源供电，所有工作
输入和输出是完全TTL兼容。
写入这些设备被实现时的写使能（WE \\）
和CE \\输入都是低电平。当我们\\读完成
居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。该器件提供了一个重
duced功耗待机模式时关闭，降低VCC为2V和
保持CE \\ = 2V 。这使得系统设计人员能够满足超低
待机功耗要求。
AS5C4009LL
修订版4.0 2/01
引脚名称
WE \\
CE \\
OE \\
A0 - A18
I / O1 - I / O8
VCC
VSS
功能
写使能输入
片选输入
输出使能输入
地址输入
数据输入/输出
动力
地
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
CLK 。将军
预充电电路
AS5C4009LL
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A1
A0
ROW
SELECT
存储阵列
1024行
512× 8列
I / O
1
I / O
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
数据
CONT
A9
A8
A13
A17 A15
A10 A11
A3
A2
CE \\
WE \\
OE \\
控制
逻辑
AS5C4009LL
修订版4.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss ...................- 。 5V至+ 7.0V的电压
任何引脚相对于Vss ..........................- 。 5V至+ 7.0V的电压
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
工作温度范围.............................- 55
o
C至+ 125
o
C
焊接温度范围............................................... 260
o
C
最高结温** .................................... + 150°C
功耗................................................ ................... 1.0W
AS5C4009LL
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，循环
时间，装载，环境温度和空气流。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
A
＆ LT ; 125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数/条件
输入漏电流（V
IN
= V
SS
到V
CC
)
输出漏电流
（ CE \\ = V
IH
或OE \\ = V
IH
或WE \\ = V
IL
, V
IO
=V
SS
到V
CC
)
输出低电压（I
OL
= 2.1毫安）
输出高电压（I
OH
= -1.0毫安）
电源电压
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
符号
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
V
CC
V
IH
V
IL
民
-5
-5
--
2.4
4.5
2.2
-0.5
最大
5
5
0.4
--
5.5
VCC +0.5
0.8
单位
Α
Α
V
V
V
V
V
15
15
15
1, 15
2, 15
笔记
参数
电源电流：
操作
条件
周期时间=最小， 100 ％
占空比，我
IO
= 0毫安，
CE \\ = V
IL
, V
IN
= V
IH
或V
IL
TTL
CE \\ = V
IH
,
其它输入= V
IL
或V
IH
CE \\ = VCC -0.2V ，
其他输入= 0 Vcc的
符号
I
cc1
-55
100
最大
-70
-85
90
80
-100单位备注
70
mA
3
I
SB
6
6
6
6
mA
电源电流：
待机
CMOS
I
SB1
0.75
0.75
0.75
0.75
mA
AS5C4009LL
修订版4.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
电容
参数
输入电容
输入/输出Capactiance
o
AS5C4009LL
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
CC
= 5V
V
IN
=0V
V
IO
=0V
符号
C
IN
C
IO
最大
8
10
单位
pF
pF
笔记
4
4
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
<牛逼
A
＆ LT ; 125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP1
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
-55
最小最大
55
55
55
10
10
20
0
55
30
5
20
55
50
50
0
0
50
30
0
5
25
-70
最小最大
70
70
70
10
10
25
0
70
35
5
25
70
60
60
0
0
60
30
0
5
25
-85
最小最大
85
85
85
10
10
30
0
85
40
5
30
85
70
70
0
0
70
35
0
5
30
-100
最小值最大值单位备注
100
100
100
10
10
30
0
100
45
5
30
100
80
80
0
0
80
40
0
5
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,6
4,6
4,6
4,6
4,6
4,6
4
4
AS5C4009LL
修订版4.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C4009LL
AC测试条件
输入脉冲电平................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间.......................................为3ns
输入时序参考电平1.5V .............................
输出参考电平1.5V .....................................
输出负载.........................................见图1
Q
50
167欧姆
欧
1.73V
C
C=30pF
= 100pF的
图。 1输出负载等效
笔记
1.
2.
3.
4.
5.
6.
过冲： VCC + 3.0V的脉冲宽度<为20ms 。
冲： -3V脉冲宽度<为20ms 。
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于
t
LZCE
和
t
HZWE
小于
t
LZWE
.
WE \\为高读周期。
设备被连续地选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
地址有效之前或重合，最新
10.
11.
12.
13.
14.
发生芯片使能。
RC =读周期时间。
芯片使能和写使能发起和
结束一个写周期。
输出使能（ OE \\ ）是无效（高） 。
输出使能（ OE \\ ）有效（低电平） 。
ASI不保证功能的可靠性，也
任何产品，其中所述结点温度
超过150℃ 。应注意，限制权力
可接受的水平。
引用与Vss （GND）的所有电压。
t
7.
8.
9.
15.
数据保存电气特性
描述
V
CC
为保留数据
数据保持电流
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 3V
I
CCDR
t
CDR
t
R
0
5
200
条件
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
V
CC
= 2V
符号
V
DR
I
CCDR
民
2
最大
100
单位
V
A
A
ns
ms
4
4, 10
笔记
AS5C4009LL
修订版4.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
SRAM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 SRAM
超低功耗SRAM
作为军事
规范
SMD 5962-95613
MIL-STD -883
1
1,2
AS5C4009LL
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚DIP ， 32引脚SOJ
& 32引脚TSOP
特点
超低功耗，具有2V数据保留
（ 0.2MW MAX最坏情况下掉电待机）
??完全静态的，并没有时钟
单+ 5V ± 10 ％电源
易于扩展内存通过CE \\和OE \\选项
所有输入和输出为TTL兼容
三态输出
工作温度范围：
陶瓷-55
o
C至+ 125
o
& -40
o
C至+ 85
o
C
塑料
-40
o
C至+ 85
o
C
3
1.不适用于塑料包装
2.仅适用于CW包。
3，联系工厂-55
o
C至+ 125
o
C
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I/08
I/07
I/06
I/05
I/04
选项
时机
55ns存取
为70ns存取
85ns存取
100ns的访问
包
陶瓷DIP （ 600密耳）
陶瓷SOJ
5
塑料TSOP
记号
-55
4
-70
-85
-100
CW
ECJ
DG
第112号
502号
1002号
I/01
I/02
I/03
VSS
4.对于危险品包装，联系工厂
5.联系厂家
注意：
工作温度，速度，数据保存和低功耗的不是所有的组合都是
不一定可用。请联系工厂的特定部件号的可用性
组合。
概述
该AS5C4009LL组织为524288 ×8 SRAM利用
特殊的超低功耗设计流程。 ASI的引脚排列坚持的
JEDEC标准的引脚排列4兆位的SRAM 。进化32
引脚版本允许从1兆的SRAM设计轻松升级。
对于存储器应用的灵活性， ASI提供芯片使能（ CE \\ ）
和输出使能（OE \\ ）的能力。这些功能可以将
在高阻抗输出，在系统设计中更多的灵活性。
该器件采用+ 5V单电源供电，所有工作
输入和输出是完全TTL兼容。
写入这些设备被实现时的写使能（WE \\）
和CE \\输入都是低电平。当我们\\读完成
居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。该器件提供了一个重
duced功耗待机模式时关闭，降低VCC为2V和
保持CE \\ = 2V 。这使得系统设计人员能够满足超低
待机功耗要求。
AS5C4009LL
修订版4.0 2/01
引脚名称
WE \\
CE \\
OE \\
A0 - A18
I / O1 - I / O8
VCC
VSS
功能
写使能输入
片选输入
输出使能输入
地址输入
数据输入/输出
动力
地
欲了解更多产品信息
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奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
CLK 。将军
预充电电路
AS5C4009LL
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A1
A0
ROW
SELECT
存储阵列
1024行
512× 8列
I / O
1
I / O
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
数据
CONT
A9
A8
A13
A17 A15
A10 A11
A3
A2
CE \\
WE \\
OE \\
控制
逻辑
AS5C4009LL
修订版4.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss ...................- 。 5V至+ 7.0V的电压
任何引脚相对于Vss ..........................- 。 5V至+ 7.0V的电压
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
工作温度范围.............................- 55
o
C至+ 125
o
C
焊接温度范围............................................... 260
o
C
最高结温** .................................... + 150°C
功耗................................................ ................... 1.0W
AS5C4009LL
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，循环
时间，装载，环境温度和空气流。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
A
＆ LT ; 125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数/条件
输入漏电流（V
IN
= V
SS
到V
CC
)
输出漏电流
（ CE \\ = V
IH
或OE \\ = V
IH
或WE \\ = V
IL
, V
IO
=V
SS
到V
CC
)
输出低电压（I
OL
= 2.1毫安）
输出高电压（I
OH
= -1.0毫安）
电源电压
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
符号
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
V
CC
V
IH
V
IL
民
-5
-5
--
2.4
4.5
2.2
-0.5
最大
5
5
0.4
--
5.5
VCC +0.5
0.8
单位
Α
Α
V
V
V
V
V
15
15
15
1, 15
2, 15
笔记
参数
电源电流：
操作
条件
周期时间=最小， 100 ％
占空比，我
IO
= 0毫安，
CE \\ = V
IL
, V
IN
= V
IH
或V
IL
TTL
CE \\ = V
IH
,
其它输入= V
IL
或V
IH
CE \\ = VCC -0.2V ，
其他输入= 0 Vcc的
符号
I
cc1
-55
100
最大
-70
-85
90
80
-100单位备注
70
mA
3
I
SB
6
6
6
6
mA
电源电流：
待机
CMOS
I
SB1
0.75
0.75
0.75
0.75
mA
AS5C4009LL
修订版4.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
电容
参数
输入电容
输入/输出Capactiance
o
AS5C4009LL
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
CC
= 5V
V
IN
=0V
V
IO
=0V
符号
C
IN
C
IO
最大
8
10
单位
pF
pF
笔记
4
4
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
<牛逼
A
＆ LT ; 125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP1
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
-55
最小最大
55
55
55
10
10
20
0
55
30
5
20
55
50
50
0
0
50
30
0
5
25
-70
最小最大
70
70
70
10
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25
0
70
35
5
25
70
60
60
0
0
60
30
0
5
25
-85
最小最大
85
85
85
10
10
30
0
85
40
5
30
85
70
70
0
0
70
35
0
5
30
-100
最小值最大值单位备注
100
100
100
10
10
30
0
100
45
5
30
100
80
80
0
0
80
40
0
5
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,6
4,6
4,6
4,6
4,6
4,6
4
4
AS5C4009LL
修订版4.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C4009LL
AC测试条件
输入脉冲电平................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间.......................................为3ns
输入时序参考电平1.5V .............................
输出参考电平1.5V .....................................
输出负载.........................................见图1
Q
50
167欧姆
欧
1.73V
C
C=30pF
= 100pF的
图。 1输出负载等效
笔记
1.
2.
3.
4.
5.
6.
过冲： VCC + 3.0V的脉冲宽度<为20ms 。
冲： -3V脉冲宽度<为20ms 。
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于
t
LZCE
和
t
HZWE
小于
t
LZWE
.
WE \\为高读周期。
设备被连续地选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
地址有效之前或重合，最新
10.
11.
12.
13.
14.
发生芯片使能。
RC =读周期时间。
芯片使能和写使能发起和
结束一个写周期。
输出使能（ OE \\ ）是无效（高） 。
输出使能（ OE \\ ）有效（低电平） 。
ASI不保证功能的可靠性，也
任何产品，其中所述结点温度
超过150℃ 。应注意，限制权力
可接受的水平。
引用与Vss （GND）的所有电压。
t
7.
8.
9.
15.
数据保存电气特性
描述
V
CC
为保留数据
数据保持电流
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
CC
= 3V
I
CCDR
t
CDR
t
R
0
5
200
条件
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
V
CC
= 2V
符号
V
DR
I
CCDR
民
2
最大
100
单位
V
A
A
ns
ms
4
4, 10
笔记
AS5C4009LL
修订版4.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
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