SRAM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
规范
SMD 5962-95600
SMD 5962-95613
MIL-STD -883
AS5C4008
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚DIP （ CW ） ， 32引脚LCC （ EC）
32引脚SOJ （ ECJ ）
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
特点
高速：12， 15，17， 20，25， 35和为45nS
高性能，低功耗军用级设备
单+ 5V ± 10 ％电源
轻松扩展内存通过CE \\和OE \\选项
所有的输入和输出为TTL兼容
采用32引脚从1兆易于升级性
进化版。
选项
定时
为12ns存取
15ns的访问
为17ns存取
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
工作温度范围
军事： -55
o
C至+ 125
o
C
工业： -40
o
C至+ 85
o
C
套餐
陶瓷DIP （ 600密耳）
陶瓷扁平
陶瓷LCC
陶瓷SOJ
陶瓷LCC （与工厂联系）
选项
2V数据保存/低功耗
记号
-12
-15
-17
-20
-25
-35
-45
XT
IT
CW
F
EC
ECJ
ECA
L
第112号
304号
209号
502号
208号
32引脚扁平封装（F ）
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
概述
该AS5C4008是4兆位单芯片CMOS SRAM ，
组织为512K ×8 。
进化的32引脚器件可从轻松升级
1兆的SRAM 。
对于在高速存储器应用的灵活性， ASI提供
芯片使能（ CE \\ ）和输出使能（ OE \\ ）的能力。这些
增强功能可将在高阻抗输出的额外使用灵活
性在系统设计。
写入这些设备被实现时的写使能（WE \\）
和CE \\输入都是低电平。当我们\\读完成
居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。这使得系统
设计人员能够满足低待机功耗要求。
所有器件均采用+ 5V单电源供电，所有工作
输入是完全TTL兼容。
AS5C4008
6.2修订版06/05
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
4 3 2
32 31 30
5
29
1
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
A12
A14
A16
A18
VCC
A15
A17
注意：
的工作温度，速度，数据保留不是所有的组合和
低功耗必然是可用。请联系工厂特定部分的可用性
数字组合。
32引脚LCC （ ECA ）
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C4008
功能框图
VCC
GND
行解码器
输入缓冲器
A0:A18
2,097,152位
存储阵列
I / O控制
I/O7
I/O1
CE \\
OE \\
WE \\
列解码器
动力
下
真值表
模式
OE \\ CE \\ WE \\
待机
X
H
X
读
L
L
H
不选自H
L
H
写
X
L
L
DQ
动力
HIGH -Z STANDBY
Q
活跃
高阻ACTIVE
D
活跃
AS5C4008
6.2修订版06/05
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2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss ...................- 。 5V至+ 7.0V的电压
储存温度............................................- 65℃至+ 150°C
短路输出电流（每个I / O） ... ............................. 20毫安
任一引脚电压相对于Vss ......................- 。 5V至Vcc + 1 V
最高结温** .................................... + 150°C
AS5C4008
*强调大于"Absolute下所列
最大Ratings"可能会导致永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能的操作
化器件在这些或以上的任何其他条件
在本规范的操作部的指示
化，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，
周期时间，装载，环境温度和空气流。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
C<T
A
<125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
电源电压
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
VCC
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
---
4.5
最大
-20
225
180
60
30
25
10
OV < V
IN
＆ LT ; VCC
输出（S ）禁用
OV < V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
10
--
0.4
5.5
单位
V
V
Α
Α
V
V
V
笔记
1
1, 2
1
1
1
参数
电源电流：
操作
条件
CE \\ < V
IL
; VCC = MAX
F = MAX = 1 /吨
RC
输出打开
L型仅
CE \\ > V
IH
; VCC = MAX
F = 0时，输出打开
符号
I
CCSP
I
CCLP
I
SBTSP
I
SBTLP
I
SBCSP
I
SBCLP
-12
225
180
60
30
25
10
-15
225
180
60
30
25
10
-17
225
180
60
30
25
10
-25
225
180
60
30
25
10
-35
225
180
60
30
25
10
-45
225
180
60
30
25
10
单位备注
mA
mA
mA
mA
mA
mA
3
电源电流：
待机
L型仅
CE \\ < V
CC
-0.2V ; VCC = MAX
V
IN
< VSS + 0.2V或
V
IN
>的Vcc -0.2V ; F = 0
L型仅
电容
参数
输入电容
输出Capactiance
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
IN
= 0
o
符号
C
I
Co
最大
12
14
单位
pF
pF
笔记
4
4
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3
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奥斯汀半导体公司
AS5C4008
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
C<T
A
<125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出使能接取时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
0
0
12
12
12
0
1
12
6.5
0
0
0
6.5
6.5
2
2
0
6.5
7
0
0
15
15
15
0
0
15
7
0
0
0
7
7
-12
民
12
12
12
2
2
0
7
8
0
0
17
16
16
0
1
16
9
0
0
0
8
8
最大
民
15
15
15
2
2
0
8
8
0
0
20
17
17
0
1
17
10
0
0
0
8
8
-15
最大
-17
-20
-25
-35
-45
单位备注
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
17
17
17
2
2
0
8
10
0
0
25
20
20
0
1
20
12
0
0
0
10
10
20
20
20
2
2
0
10
12
0
0
35
30
30
0
1
30
20
0
0
0
25
15
25
25
25
2
2
0
15
15
0
0
45
35
35
0
1
35
25
0
0
0
30
20
35
35
35
2
2
0
20
25
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4, 6, 7
4, 6, 7
4, 6, 7
4, 6, 7
4, 6, 7
4, 6, 7
AS5C4008
6.2修订版06/05
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4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... .... VSS至3.0V
输入上升和下降时间............................................. ..........为3ns
输入时序参考电平1.5V ............................................
输出参考电平............................................... 1.5V ......
输出负载...............................................见图1和图2
AS5C4008
Q
167欧姆
1.73V
C=30pF
Q
167欧姆
1.73V
C=5pF
图。 1输出负载等效
图。 2输出负载等效
笔记
1.
2.
3.
4.
5.
6.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-2V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
t
LZCE ，
t
LZWE ，
t
LZOE ，
t
HZCE ，
t
HZOE和
t
HZWE
用CL = 5pF的被指定为与图。 2.过渡
从稳态电压测量± 200mV的。
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
WE \\为高读周期。
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
7.
设备被连续地选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
t
RC =读周期时间。
芯片使能和写使能发起和
结束一个写周期。
输出使能（ OE \\ ）是无效（高） 。
输出使能（ OE \\ ）有效（低电平） 。
ASI不保证功能的任何也不可靠
产物，其中所述结点温度超过
150℃。应注意，限制权力，可以接受
的水平。
8.
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
数据保持电流
（只有L型）
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
条件
CE \\ > （VCC -0.2V ）
VIN > （VCC -0.2V ）或< 0.2V
V
CC
= 2V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
0
10
民
2
4.5
最大
单位
V
mA
ns
ms
4
4, 11
笔记
AS5C4008
6.2修订版06/05
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5
QQ：2880707522 复制
