SRAM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
规范
SMD 5962-95600
SMD 5962-95613
MIL-STD -883
AS5C4008
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚DIP （ CW ） ， 32引脚LCC （ EC）
32引脚SOJ （ ECJ ）
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
特点
高速：17， 20，25， 35和为45nS
高性能，低功耗军用级设备
单+ 5V ± 10 ％电源
轻松扩展内存通过CE \\和OE \\选项
所有的输入和输出为TTL兼容
采用32引脚从1兆易于升级性
进化版。
选项
定时
15ns的访问（与工厂联系）
为17ns存取
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
工作温度范围
军事： -55
o
C至+ 125
o
C
工业： -40
o
C至+ 85
o
C
套餐
陶瓷DIP （ 600密耳）
陶瓷扁平
陶瓷LCC
陶瓷SOJ
陶瓷LCC （与工厂联系）
选项
2V数据保存/低功耗
记号
-15
-17
-20
-25
-35
-45
XT
IT
CW
F
EC
ECJ
ECA
L
第112号
304号
209号
502号
208号
32引脚扁平封装（F ）
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
概述
该AS5C4008是4兆位单芯片CMOS SRAM ，
组织为512K ×8 。
进化的32引脚器件可从轻松升级
1兆的SRAM 。
对于在高速存储器应用的灵活性， ASI提供
芯片使能（ CE \\ ）和输出使能（ OE \\ ）的能力。这些
增强功能可将在高阻抗输出的额外使用灵活
性在系统设计。
写入这些设备被实现时的写使能（WE \\）
和CE \\输入都是低电平。当我们\\读完成
居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。这使得系统
设计人员能够满足低待机功耗要求。
所有器件均采用+ 5V单电源供电，所有工作
输入是完全TTL兼容。
AS5C4008
修订版5.5 12/01
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
4 3 2
32 31 30
5
29
1
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
A12
A14
A16
A18
VCC
A15
A17
注意：
工作温度，速度，数据保存和低的不所有组合
权力必然可用。请联系工厂特定部分的可用性
数字组合。
32引脚LCC （ ECA ）
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
VCC
GND
AS5C4008
行解码器
输入缓冲器
A0:A18
2,097,152位
存储阵列
I / O控制
I/O7
I/O1
CE \\
OE \\
WE \\
列解码器
动力
下
真值表
模式
OE \\ CE \\ WE \\
待机
X
H
X
读
L
L
H
不选自H
L
H
写
X
L
L
DQ
动力
HIGH -Z STANDBY
Q
活跃
高阻ACTIVE
D
活跃
AS5C4008
修订版5.5 12/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss ...................- 。 5V至+ 7.0V的电压
储存温度............................................- 65℃至+ 150°C
短路输出电流（每个I / O） ... ............................. 20毫安
任一引脚电压相对于Vss ......................- 。 5V至Vcc + 1 V
最高结温** .................................... + 150°C
AS5C4008
*强调大于"Absolute下所列
最大Ratings"可能会导致永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能的操作
化器件在这些或以上的任何其他条件
在本规范的操作部的指示
化，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，
周期时间，装载，环境温度和空气流。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
C<T
A
<125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
电源电压
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
VCC
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
---
4.5
最大
-20
-25
225
180
60
30
25
10
225
180
60
30
25
10
OV < V
IN
＆ LT ; VCC
输出（S ）禁用
OV < V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
10
--
0.4
5.5
单位
V
V
Α
Α
V
V
V
笔记
1
1, 2
1
1
1
参数
电源电流：
操作
条件
CE \\ < V
IL
; VCC = MAX
F = MAX = 1 /吨
RC
输出打开
L型仅
CE \\ > V
IH
; VCC = MAX
F = 0时，输出打开
符号
I
CCSP
I
CCLP
I
SBTSP
I
SBTLP
I
SBCSP
I
SBCLP
-15
225
180
60
30
25
10
-17
225
180
60
30
25
10
-35
225
180
60
30
25
10
-45
225
180
60
30
25
10
单位备注
mA
mA
mA
mA
mA
mA
3
电源电流：
待机
L型仅
CE \\ < V
CC
-0.2V ; VCC = MAX
V
IN
< VSS + 0.2V或
V
IN
>的Vcc -0.2V ; F = 0
L型仅
电容
参数
输入电容
输出Capactiance
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
IN
= 0
o
符号
C
I
Co
最大
12
14
单位
pF
pF
笔记
4
4
AS5C4008
修订版5.5 12/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C4008
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
C<T
A
<125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
???? ???? ？ ???? ?? ＃ $ ％ &
???? ） ???? ？ ???? ?? ?? " ？ ％ &
???? ???? ？ ???? ?? ＃ $ ％ &
???? ） ???? ？ ???? ?? ?? " ？ ％ &
*
*
*
*
*
*
' ('
' ('
- +
. - +
+ ？ ） ???? ？ ???? ?? ＃ $ ％ &
+ ？ ???? ？ ???? ?? ?? " ？ ％ &
(
(
+, 0 +
(
1
*
*
' ('
AS5C4008
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奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... .... VSS至3.0V
输入上升和下降时间............................................. ..........为3ns
输入时序参考电平1.5V ............................................
输出参考电平............................................... 1.5V ......
输出负载...............................................见图1和图2
AS5C4008
Q
167欧姆
1.73V
C=30pF
Q
167欧姆
1.73V
C=5pF
图。 1输出负载等效
图。 2输出负载等效
笔记
1.
2.
3.
4.
5.
6.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-2V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
t
LZCE ，
t
LZWE ，
t
LZOE ，
t
HZCE ，
t
HZOE和
t
HZWE
用CL = 5pF的被指定为与图。 2.过渡
从稳态电压测量± 200mV的。
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
WE \\为高读周期。
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
7.
设备被连续地选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
t
RC =读周期时间。
芯片使能和写使能发起和
结束一个写周期。
输出使能（ OE \\ ）是无效（高） 。
输出使能（ OE \\ ）有效（低电平） 。
ASI不保证功能的任何也不可靠
产物，其中所述结点温度超过
150℃。应注意，限制权力，可以接受
的水平。
8.
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
数据保持电流
（只有L型）
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
条件
CE \\ > （VCC -0.2V ）
VIN > （VCC -0.2V ）或< 0.2V
V
CC
= 2V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
0
10
民
2
4.5
最大
单位
V
mA
ns
ms
4
4, 11
笔记
AS5C4008
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奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
SRAM
奥斯汀半导体公司
512K ×8 SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
规范
SMD 5962-95600
SMD 5962-95613
MIL-STD -883
AS5C4008
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚DIP （ CW ） ， 32引脚LCC （ EC）
32引脚SOJ （ ECJ ）
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
特点
高速：17， 20，25， 35和为45nS
高性能，低功耗军用级设备
单+ 5V ± 10 ％电源
轻松扩展内存通过CE \\和OE \\选项
所有的输入和输出为TTL兼容
采用32引脚从1兆易于升级性
进化版。
选项
定时
15ns的访问（与工厂联系）
为17ns存取
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
工作温度范围
军事： -55
o
C至+ 125
o
C
工业： -40
o
C至+ 85
o
C
套餐
陶瓷DIP （ 600密耳）
陶瓷扁平
陶瓷LCC
陶瓷SOJ
陶瓷LCC （与工厂联系）
选项
2V数据保存/低功耗
记号
-15
-17
-20
-25
-35
-45
XT
IT
CW
F
EC
ECJ
ECA
L
第112号
304号
209号
502号
208号
32引脚扁平封装（F ）
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
概述
该AS5C4008是4兆位单芯片CMOS SRAM ，
组织为512K ×8 。
进化的32引脚器件可从轻松升级
1兆的SRAM 。
对于在高速存储器应用的灵活性， ASI提供
芯片使能（ CE \\ ）和输出使能（ OE \\ ）的能力。这些
增强功能可将在高阻抗输出的额外使用灵活
性在系统设计。
写入这些设备被实现时的写使能（WE \\）
和CE \\输入都是低电平。当我们\\读完成
居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。这使得系统
设计人员能够满足低待机功耗要求。
所有器件均采用+ 5V单电源供电，所有工作
输入是完全TTL兼容。
AS5C4008
修订版5.5 12/01
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
4 3 2
32 31 30
5
29
1
6
28
7
27
8
26
9
25
10
24
11
23
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
A12
A14
A16
A18
VCC
A15
A17
注意：
工作温度，速度，数据保存和低的不所有组合
权力必然可用。请联系工厂特定部分的可用性
数字组合。
32引脚LCC （ ECA ）
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
欲了解更多产品信息
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1
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功能框图
VCC
GND
AS5C4008
行解码器
输入缓冲器
A0:A18
2,097,152位
存储阵列
I / O控制
I/O7
I/O1
CE \\
OE \\
WE \\
列解码器
动力
下
真值表
模式
OE \\ CE \\ WE \\
待机
X
H
X
读
L
L
H
不选自H
L
H
写
X
L
L
DQ
动力
HIGH -Z STANDBY
Q
活跃
高阻ACTIVE
D
活跃
AS5C4008
修订版5.5 12/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在VCC电源相对于Vss ...................- 。 5V至+ 7.0V的电压
储存温度............................................- 65℃至+ 150°C
短路输出电流（每个I / O） ... ............................. 20毫安
任一引脚电压相对于Vss ......................- 。 5V至Vcc + 1 V
最高结温** .................................... + 150°C
AS5C4008
*强调大于"Absolute下所列
最大Ratings"可能会导致永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能的操作
化器件在这些或以上的任何其他条件
在本规范的操作部的指示
化，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，
周期时间，装载，环境温度和空气流。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
C<T
A
<125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
电源电压
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
VCC
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
---
4.5
最大
-20
-25
225
180
60
30
25
10
225
180
60
30
25
10
OV < V
IN
＆ LT ; VCC
输出（S ）禁用
OV < V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
10
--
0.4
5.5
单位
V
V
Α
Α
V
V
V
笔记
1
1, 2
1
1
1
参数
电源电流：
操作
条件
CE \\ < V
IL
; VCC = MAX
F = MAX = 1 /吨
RC
输出打开
L型仅
CE \\ > V
IH
; VCC = MAX
F = 0时，输出打开
符号
I
CCSP
I
CCLP
I
SBTSP
I
SBTLP
I
SBCSP
I
SBCLP
-15
225
180
60
30
25
10
-17
225
180
60
30
25
10
-35
225
180
60
30
25
10
-45
225
180
60
30
25
10
单位备注
mA
mA
mA
mA
mA
mA
3
电源电流：
待机
L型仅
CE \\ < V
CC
-0.2V ; VCC = MAX
V
IN
< VSS + 0.2V或
V
IN
>的Vcc -0.2V ; F = 0
L型仅
电容
参数
输入电容
输出Capactiance
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
IN
= 0
o
符号
C
I
Co
最大
12
14
单位
pF
pF
笔记
4
4
AS5C4008
修订版5.5 12/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C4008
电气特性和推荐AC工作条件
(-55
o
C<T
A
<125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
???? ???? ？ ???? ?? ＃ $ ％ &
???? ） ???? ？ ???? ?? ?? " ？ ％ &
???? ???? ？ ???? ?? ＃ $ ％ &
???? ） ???? ？ ???? ?? ?? " ？ ％ &
*
*
*
*
*
*
' ('
' ('
- +
. - +
+ ？ ） ???? ？ ???? ?? ＃ $ ％ &
+ ？ ???? ？ ???? ?? ?? " ？ ％ &
(
(
+, 0 +
(
1
*
*
' ('
AS5C4008
修订版5.5 12/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... .... VSS至3.0V
输入上升和下降时间............................................. ..........为3ns
输入时序参考电平1.5V ............................................
输出参考电平............................................... 1.5V ......
输出负载...............................................见图1和图2
AS5C4008
Q
167欧姆
1.73V
C=30pF
Q
167欧姆
1.73V
C=5pF
图。 1输出负载等效
图。 2输出负载等效
笔记
1.
2.
3.
4.
5.
6.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-2V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
t
LZCE ，
t
LZWE ，
t
LZOE ，
t
HZCE ，
t
HZOE和
t
HZWE
用CL = 5pF的被指定为与图。 2.过渡
从稳态电压测量± 200mV的。
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
WE \\为高读周期。
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
7.
设备被连续地选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
t
RC =读周期时间。
芯片使能和写使能发起和
结束一个写周期。
输出使能（ OE \\ ）是无效（高） 。
输出使能（ OE \\ ）有效（低电平） 。
ASI不保证功能的任何也不可靠
产物，其中所述结点温度超过
150℃。应注意，限制权力，可以接受
的水平。
8.
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
数据保持电流
（只有L型）
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
条件
CE \\ > （VCC -0.2V ）
VIN > （VCC -0.2V ）或< 0.2V
V
CC
= 2V
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
0
10
民
2
4.5
最大
单位
V
mA
ns
ms
4
4, 11
笔记
AS5C4008
修订版5.5 12/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
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