SRAM
奥斯汀半导体公司
32K ×8 SRAM
SRAM存储器阵列
特点
访问次数： 12 ， 15 ， &为20ns
缓存应用程序快速输出使能（ tDOE ）
低活跃功率： 400兆瓦（ TYP ）
低功耗待机
全静态操作，无时钟或刷新要求
高性能，低功耗的CMOS双金属工艺
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
易内存扩展与CE \\
所有的输入和输出为TTL兼容
AS5C2568
引脚分配
（ TOP VIEW ）
28 -PIN PSOJ （ DJ ）
选项
定时
为12ns存取*
15ns的访问
20ns的访问
包（ S） **
塑料SOJ
记号
-12
-15
-20
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28 V
CC
27 WE \\
26 A13
25 A8
24 A9
23 A11
22 OE \\
21 A10
20 CE \\
19 I / O7
18 I / O6
17 I / O5
16个I / O4
15 I / O3
DJ
906号
工作温度范围
军事-55
o
C至+ 125
o
C
工业-40
o
C至+ 85
o
C
XT
IT
*
-12在IT才可用。
**
本产品的陶瓷版本，请参阅MT5C2568
数据表。
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计使用四晶体管
存储单元。这些SRAM使用的是双层制
金属，双层多晶硅技术。
对于在高速存储器应用，澳大的灵活性
锡美半导体提供芯片使能（ CE \\ ）和输出使能
（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将输出的
高-Z在系统设计的灵活性。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是accom-
当我们\\ plished居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。
该器件提供了一个低功率待机模式时显示
体健。这使得系统的设计，以实现低待机
功率要求。
所有器件均采用+ 5V单电源供电
和所有输入和输出完全TTL兼容。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS5C2568
2.0版本12/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
A0
VCC
AS5C2568
解码器
256 x 1024
存储阵列
GND
A14
I/O0
I / O
数据
电路
I/O7
列I / O
9A128-1
CE \\
OE \\
控制
电路
WE \\
真值表
模式
待机
读
读
写
OE \\
X
L
H
X
CE \\
H
L
L
L
WE \\
X
H
H
L
DQ
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
AS5C2568
2.0版本12/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
对任何输入或DQ相对电压
到Vss ................................................ ..................- 0.5V到Vcc + 0.5V
在VCC电源相对于Vss .......................- 1V至+ 7V电压
储存温度..............................................- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ ....................... 1W
短路输出电流............................................ 20毫安
引线温度（焊接10秒） ........................ + 260
o
C
马克斯。结温................................................ 。 + 175
o
C
AS5C2568
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
民
2.2
-0.5
-5
-5
2.4
最大
Vcc+0.5
0.8
5
5
0.4
单位
V
V
A
A
V
V
1
1
笔记
1
1, 2
0V
≤
V
IN
≤
VCC
输出（S ）禁用
0V ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
!
？ $ ％ & “
( ' ) * +
, ) * + ) -
. /*01
？ $ ％ & “
( ' ) * +
, ) * + ) -
. /*01
2
???????? ???? " ＃ ？
？ $ ％ & “
( 3 2
& “
4 '
5 ' ) * +
, ) 67
*
$%4'89'( ' ) * +
'
&'22 ： 9 “ ？ ?? “
4'
89'( , ) 67
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
AS5C2568
2.0版本12/00
条件
T
A
= 25
o
C，F = 1MHz的
VCC = 5V
符号
C
IN
C
IO
最大
8
10
单位
pF
pF
笔记
4
4
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C2568
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
输出使能访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
12
9
9
0
0
10
7
0
2
0
7
15
10
10
0
0
12
8
0
2
0
7
20
12
12
0
0
15
10
0
2
0
9
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
0
6
0
12
6
0
7
2
2
7
0
15
7
0
8
12
12
12
2
2
8
0
20
8
15
15
15
2
2
9
20
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
7
6, 7
4
4
符号
-12
民
最大
-15
最小最大
-20
民
最大
单位备注
AS5C2568
2.0版本12/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ..... VSS至3V
输入上升和下降时间............................................. ........为5ns
输入定时基准水平............................................. 1.5 V
输出参考电平............................................... 1.5V .......
输出负载................................................ 。看到图1 & 2
+5V
480
Q
255
30 pF的
Q
255
图。 2
输出负载
当量
5 pF的
AS5C2568
+5V
480
笔记
1.
2.
3.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。该
指定的值适用与卸载的输出，
f=
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载为规定
在如图3所示。 1 ，除非另有说明。
t
HZCE ，
t
HZOE和
t
HZWE与CL = 5pF的规定
如在图2.过渡的测量± 500mV的从典型
稳态电压，允许实际测试仪RC时间
常数。
7.
图。 1
输出负载
当量
4.
5.
6.
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11.
t
RC =读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
条件
符号
V
DR
I
CCDR
V
CC
= 2V
V
CC
= 3V
t
民
2
数据保持电流
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
最大
--
1.0
2.0
单位
V
mA
mA
ns
笔记
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
CDR
t
0
--
t
4
4, 11
R
RC
ns
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
数据保持方式
4.5V
CDR
V
DR
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
AS5C2568
2.0版本12/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
4321
4321
4321
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
3215
876
32154321
4325
876
43214321
32114321
876
42114321
32114321
876
4325
3325
876
87654321
21
21
87654321
321
87654321
321
21
87654321
321
21
87654321
不在乎
未定义
SRAM
奥斯汀半导体公司
32K ×8 SRAM
SRAM存储器阵列
特点
访问次数： 12 ， 15 ， &为20ns
缓存应用程序快速输出使能（ tDOE ）
低活跃功率： 400兆瓦（ TYP ）
低功耗待机
全静态操作，无时钟或刷新要求
高性能，低功耗的CMOS双金属工艺
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
易内存扩展与CE \\
所有的输入和输出为TTL兼容
AS5C2568
引脚分配
（ TOP VIEW ）
28 -PIN PSOJ （ DJ ）
选项
定时
为12ns存取*
15ns的访问
20ns的访问
包（ S） **
塑料SOJ
记号
-12
-15
-20
DJ
XT
IT
906号
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28 V
CC
27 WE \\
26 A13
25 A8
24 A9
23 A11
22 OE \\
21 A10
20 CE \\
19 I / O7
18 I / O6
17 I / O5
16个I / O4
15 I / O3
工作温度范围
军事-55
o
C至+ 125
o
C
工业-40
o
C至+ 85
o
C
*
-12在IT才可用。
**
本产品的陶瓷版本，请参阅MT5C2568
数据表。
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计使用四晶体管
存储单元。这些SRAM使用的是双层制
金属，双层多晶硅技术。
对于在高速存储器应用，澳大的灵活性
锡美半导体提供芯片使能（ CE \\ ）和输出使能
（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将输出的
高-Z在系统设计的灵活性。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是accom-
当我们\\ plished居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。
该器件提供了一个低功率待机模式时显示
体健。这使得系统的设计，以实现低待机
功率要求。
所有器件均采用+ 5V单电源供电
和所有输入和输出完全TTL兼容。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS5C2568
2.6修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
A0
VCC
AS5C2568
解码器
256 x 1024
存储阵列
GND
A14
I/O0
I / O
数据
电路
I/O7
列I / O
9A128-1
CE \\
OE \\
控制
电路
WE \\
真值表
模式
待机
读
读
写
OE \\
X
L
H
X
CE \\
H
L
L
L
WE \\
X
H
H
L
DQ
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
AS5C2568
2.6修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
对任何输入或DQ相对电压
到Vss ................................................ ..................- 0.5V到Vcc + 0.5V
在VCC电源相对于Vss .......................- 1V至+ 7V电压
储存温度..............................................- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ ....................... 1W
短路输出电流............................................ 20毫安
引线温度（焊接10秒） ........................ + 260
o
C
马克斯。结温................................................ 。 + 175
o
C
AS5C2568
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）禁用
0V<V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
国际劳工组织
V
OH
V
OL
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
0.4
最大
V
CC
+0.5
0.8
10
10
单位备注
V
V
A
A
V
V
1
1
1
1,2
!
, ) * + ) -
？ $ ％ & “
. /*01
( ' ) * +
？ $ ％ & “
( ' ) * +
???????? ???? " ＃ ？
2
？ $ ％ & “ （ ?? ?? ?? 3 ????? 2
& ' ？
4 ' 5 ' ) * +
, ) * + ) -
. /*01
, ) 67
*
$%4'89'( ' ) * +
“ &
'22:9' ' 4'
89'( , ) 67
电容
参数
输入电容
输出电容
AS5C2568
2.6修订版06/05
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
VCC = 5V
o
符号
C
IN
C
IO
3
最大
11
11
单位
pF
pF
笔记
4
4
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C2568
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
输出使能访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
12
9
9
0
0
10
7
0
2
0
7
15
10
10
0
0
12
8
0
2
0
7
20
12
12
0
0
15
10
0
2
0
9
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
0
6
0
12
6
0
7
2
2
7
0
15
7
0
8
12
12
12
2
2
8
0
20
8
15
15
15
2
2
9
20
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
7
6, 7
4
4
符号
-12
民
最大
-15
最小最大
-20
民
最大
单位备注
AS5C2568
2.6修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ..... VSS至3V
输入上升和下降时间............................................. ........为5ns
输入定时基准水平............................................. 1.5 V
输出参考电平............................................... 1.5V .......
输出负载................................................ 。看到图1 & 2
+5V
480
Q
255
30 pF的
Q
255
图。 2
输出负载
当量
5 pF的
AS5C2568
+5V
480
笔记
1.
2.
3.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。该
指定的值适用与卸载的输出，
f=
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载为规定
在如图3所示。 1 ，除非另有说明。
t
HZCE ，
t
HZOE和
t
HZWE与CL = 5pF的规定
如在图2.过渡的测量± 500mV的从典型
稳态电压，允许实际测试仪RC时间
常数。
7.
图。 1
输出负载
当量
4.
5.
6.
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11.
t
RC =读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
CE \\ > （V
CC
-0.2V)
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
IN
> （V
CC
-0.2V)
或< 0.2V
I
CCDR
1
mA
条件
符号
V
DR
民
2
最大
单位
V
笔记
t
CDR
t
R
0
t
RC
--
ns
ns
4
4, 11
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
数据保持方式
4.5V
CDR
V
DR
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
AS5C2568
2.6修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
432
4321
4321
1
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
4325
3215
876
43214321
32114321
876
42114321
32114321
876
4325
3325
876
87654321
321
21
87654321
321
21
87654321
321
21
87654321
不在乎
未定义
SRAM
奥斯汀半导体公司
32K ×8 SRAM
SRAM存储器阵列
特点
访问次数： 12 ， 15 ， &为20ns
缓存应用程序快速输出使能（ tDOE ）
低活跃功率： 400兆瓦（ TYP ）
低功耗待机
全静态操作，无时钟或刷新要求
高性能，低功耗的CMOS双金属工艺
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
易内存扩展与CE \\
所有的输入和输出为TTL兼容
AS5C2568
引脚分配
（ TOP VIEW ）
28 -PIN PSOJ （ DJ ）
选项
定时
为12ns存取*
15ns的访问
20ns的访问
包（ S） **
塑料SOJ
记号
-12
-15
-20
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28 V
CC
27 WE \\
26 A13
25 A8
24 A9
23 A11
22 OE \\
21 A10
20 CE \\
19 I / O7
18 I / O6
17 I / O5
16个I / O4
15 I / O3
DJ
906号
工作温度范围
军事-55
o
C至+ 125
o
C
工业-40
o
C至+ 85
o
C
XT
IT
*
-12在IT才可用。
**
本产品的陶瓷版本，请参阅MT5C2568
数据表。
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计使用四晶体管
存储单元。这些SRAM使用的是双层制
金属，双层多晶硅技术。
对于在高速存储器应用，澳大的灵活性
锡美半导体提供芯片使能（ CE \\ ）和输出使能
（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将输出的
高-Z在系统设计的灵活性。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是accom-
当我们\\ plished居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。
该器件提供了一个低功率待机模式时显示
体健。这使得系统的设计，以实现低待机
功率要求。
所有器件均采用+ 5V单电源供电
和所有输入和输出完全TTL兼容。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS5C2568
2.0版本12/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
A0
VCC
AS5C2568
解码器
256 x 1024
存储阵列
GND
A14
I/O0
I / O
数据
电路
I/O7
列I / O
9A128-1
CE \\
OE \\
控制
电路
WE \\
真值表
模式
待机
读
读
写
OE \\
X
L
H
X
CE \\
H
L
L
L
WE \\
X
H
H
L
DQ
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
AS5C2568
2.0版本12/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
对任何输入或DQ相对电压
到Vss ................................................ ..................- 0.5V到Vcc + 0.5V
在VCC电源相对于Vss .......................- 1V至+ 7V电压
储存温度..............................................- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ ....................... 1W
短路输出电流............................................ 20毫安
引线温度（焊接10秒） ........................ + 260
o
C
马克斯。结温................................................ 。 + 175
o
C
AS5C2568
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
民
2.2
-0.5
-5
-5
2.4
最大
Vcc+0.5
0.8
5
5
0.4
单位
V
V
A
A
V
V
1
1
笔记
1
1, 2
0V
≤
V
IN
≤
VCC
输出（S ）禁用
0V ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
!
？ $ ％ & “
( ' ) * +
, ) * + ) -
. /*01
？ $ ％ & “
( ' ) * +
, ) * + ) -
. /*01
2
???????? ???? " ＃ ？
？ $ ％ & “
( 3 2
& “
4 '
5 ' ) * +
, ) 67
*
$%4'89'( ' ) * +
'
&'22 ： 9 “ ？ ?? “
4'
89'( , ) 67
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
AS5C2568
2.0版本12/00
条件
T
A
= 25
o
C，F = 1MHz的
VCC = 5V
符号
C
IN
C
IO
最大
8
10
单位
pF
pF
笔记
4
4
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C2568
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
输出使能访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
12
9
9
0
0
10
7
0
2
0
7
15
10
10
0
0
12
8
0
2
0
7
20
12
12
0
0
15
10
0
2
0
9
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
0
6
0
12
6
0
7
2
2
7
0
15
7
0
8
12
12
12
2
2
8
0
20
8
15
15
15
2
2
9
20
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
7
6, 7
4
4
符号
-12
民
最大
-15
最小最大
-20
民
最大
单位备注
AS5C2568
2.0版本12/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ..... VSS至3V
输入上升和下降时间............................................. ........为5ns
输入定时基准水平............................................. 1.5 V
输出参考电平............................................... 1.5V .......
输出负载................................................ 。看到图1 & 2
+5V
480
Q
255
30 pF的
Q
255
图。 2
输出负载
当量
5 pF的
AS5C2568
+5V
480
笔记
1.
2.
3.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。该
指定的值适用与卸载的输出，
f=
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载为规定
在如图3所示。 1 ，除非另有说明。
t
HZCE ，
t
HZOE和
t
HZWE与CL = 5pF的规定
如在图2.过渡的测量± 500mV的从典型
稳态电压，允许实际测试仪RC时间
常数。
7.
图。 1
输出负载
当量
4.
5.
6.
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11.
t
RC =读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
条件
符号
V
DR
I
CCDR
V
CC
= 2V
V
CC
= 3V
t
民
2
数据保持电流
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
最大
--
1.0
2.0
单位
V
mA
mA
ns
笔记
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
CDR
t
0
--
t
4
4, 11
R
RC
ns
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
数据保持方式
4.5V
CDR
V
DR
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
AS5C2568
2.0版本12/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
4321
4321
4321
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
3215
876
32154321
4325
876
43214321
32114321
876
42114321
32114321
876
4325
3325
876
87654321
21
21
87654321
321
87654321
321
21
87654321
321
21
87654321
不在乎
未定义
SRAM
奥斯汀半导体公司
32K ×8 SRAM
SRAM存储器阵列
特点
访问次数： 12 ， 15 ， &为20ns
缓存应用程序快速输出使能（ tDOE ）
低活跃功率： 400兆瓦（ TYP ）
低功耗待机
全静态操作，无时钟或刷新要求
高性能，低功耗的CMOS双金属工艺
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
易内存扩展与CE \\
所有的输入和输出为TTL兼容
AS5C2568
引脚分配
（ TOP VIEW ）
28 -PIN PSOJ （ DJ ）
选项
定时
为12ns存取*
15ns的访问
20ns的访问
包（ S） **
塑料SOJ
记号
-12
-15
-20
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28 V
CC
27 WE \\
26 A13
25 A8
24 A9
23 A11
22 OE \\
21 A10
20 CE \\
19 I / O7
18 I / O6
17 I / O5
16个I / O4
15 I / O3
DJ
906号
工作温度范围
军事-55
o
C至+ 125
o
C
工业-40
o
C至+ 85
o
C
XT
IT
*
-12在IT才可用。
**
本产品的陶瓷版本，请参阅MT5C2568
数据表。
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计使用四晶体管
存储单元。这些SRAM使用的是双层制
金属，双层多晶硅技术。
对于在高速存储器应用，澳大的灵活性
锡美半导体提供芯片使能（ CE \\ ）和输出使能
（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将输出的
高-Z在系统设计的灵活性。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是accom-
当我们\\ plished居高不下， CE \\和OE \\变为低电平。
该器件提供了一个低功率待机模式时显示
体健。这使得系统的设计，以实现低待机
功率要求。
所有器件均采用+ 5V单电源供电
和所有输入和输出完全TTL兼容。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS5C2568
2.0版本12/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
A0
VCC
AS5C2568
解码器
256 x 1024
存储阵列
GND
A14
I/O0
I / O
数据
电路
I/O7
列I / O
9A128-1
CE \\
OE \\
控制
电路
WE \\
真值表
模式
待机
读
读
写
OE \\
X
L
H
X
CE \\
H
L
L
L
WE \\
X
H
H
L
DQ
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
AS5C2568
2.0版本12/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
对任何输入或DQ相对电压
到Vss ................................................ ..................- 0.5V到Vcc + 0.5V
在VCC电源相对于Vss .......................- 1V至+ 7V电压
储存温度..............................................- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ ....................... 1W
短路输出电流............................................ 20毫安
引线温度（焊接10秒） ........................ + 260
o
C
马克斯。结温................................................ 。 + 175
o
C
AS5C2568
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
民
2.2
-0.5
-5
-5
2.4
最大
Vcc+0.5
0.8
5
5
0.4
单位
V
V
A
A
V
V
1
1
笔记
1
1, 2
0V
≤
V
IN
≤
VCC
输出（S ）禁用
0V ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
!
？ $ ％ & “
( ' ) * +
, ) * + ) -
. /*01
？ $ ％ & “
( ' ) * +
, ) * + ) -
. /*01
2
???????? ???? " ＃ ？
？ $ ％ & “
( 3 2
& “
4 '
5 ' ) * +
, ) 67
*
$%4'89'( ' ) * +
'
&'22 ： 9 “ ？ ?? “
4'
89'( , ) 67
电容
参数
输入电容
输入/输出电容
AS5C2568
2.0版本12/00
条件
T
A
= 25
o
C，F = 1MHz的
VCC = 5V
符号
C
IN
C
IO
最大
8
10
单位
pF
pF
笔记
4
4
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
AS5C2568
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
芯片使能上电时间
芯片禁用断电时间
输出使能访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
12
9
9
0
0
10
7
0
2
0
7
15
10
10
0
0
12
8
0
2
0
7
20
12
12
0
0
15
10
0
2
0
9
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
0
6
0
12
6
0
7
2
2
7
0
15
7
0
8
12
12
12
2
2
8
0
20
8
15
15
15
2
2
9
20
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6
7
6, 7
4
4
符号
-12
民
最大
-15
最小最大
-20
民
最大
单位备注
AS5C2568
2.0版本12/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ..... VSS至3V
输入上升和下降时间............................................. ........为5ns
输入定时基准水平............................................. 1.5 V
输出参考电平............................................... 1.5V .......
输出负载................................................ 。看到图1 & 2
+5V
480
Q
255
30 pF的
Q
255
图。 2
输出负载
当量
5 pF的
AS5C2568
+5V
480
笔记
1.
2.
3.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。该
指定的值适用与卸载的输出，
f=
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载为规定
在如图3所示。 1 ，除非另有说明。
t
HZCE ，
t
HZOE和
t
HZWE与CL = 5pF的规定
如在图2.过渡的测量± 500mV的从典型
稳态电压，允许实际测试仪RC时间
常数。
7.
图。 1
输出负载
当量
4.
5.
6.
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11.
t
RC =读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
条件
符号
V
DR
I
CCDR
V
CC
= 2V
V
CC
= 3V
t
民
2
数据保持电流
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
最大
--
1.0
2.0
单位
V
mA
mA
ns
笔记
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
CDR
t
0
--
t
4
4, 11
R
RC
ns
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
数据保持方式
4.5V
CDR
V
DR
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
AS5C2568
2.0版本12/00
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
4321
4321
4321
4321
321
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不在乎
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