奥斯汀半导体公司
32K ×8 SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-88662
SMD 5962-88552
MIL-STD-883
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
MT5C2568
AS5C2568
SRAM
引脚分配
（ TOP VIEW ）
28引脚SOJ （ DCJ ）
28引脚DIP （C ， CW ）
V
CC
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
32引脚LCC （ ECW ）
4 3 2 1 32 31 30
特点
访问次数： 12 ， 15 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55 ， 70 ， &为100ns
备用电池： 2V的数据保留
低功耗待机
高性能，低功耗的CMOS双金属工艺
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
易内存扩展与CE \\
所有的输入和输出为TTL兼容
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
DQ1
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A7
A12
A14
NC
V
CC
WE \\
A13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A11
NC
OE \\
A10
CE \\
DQ8
DQ7
14 15 16 17 18 19 20
选项
定时
为12ns存取
1
15ns的访问
1
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
2
为70ns存取
2
100ns的访问
包（ S）
3
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷DIP （ 600密耳）
陶瓷LCC （ 28引脚）
陶瓷LCC （ 32引脚）
陶瓷扁平封装
陶瓷SOJ
工作温度范围
军事-55
o
C至+ 125
o
C
工业-40
o
C至+ 85
o
C
2V数据保存/低功耗
记号
-12
-15
-20
-25
-35
-45
-55
-70
-100
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28引脚扁平封装（F ）
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
3 2 1 28 27
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
4
5
6
7
8
9
10
11
12
A7
A12
A14
V
CC
WE \\
26
25
24
23
22
21
20
19
18
DQ2
DQ3
V
SS
NC
DQ4
DQ5
DQ6
28引脚LCC （ EC）
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
DQ8
DQ7
13 14 15 16 17
C
CW
EC
ECW
F
DCJ
第108号
第110号
204号
208号
302号
500号
概述
奥斯汀半导体SRAM家庭使用
高速，低功耗的CMOS设计使用四晶体管
存储单元。这些SRAM使用的是双层制
金属，双层多晶硅技术。
对于在高速存储器应用的灵活性，
奥斯汀半导体提供芯片使能（ CE \\ ）和输出
使能（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将
在高阻抗输出，在系统设计中更多的灵活性。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE \\输入都是低电平。阅读是
当我们\\造诣居高不下， CE \\和OE \\去
低。该器件提供了一个低功率待机模式时，
禁用。这使得系统的设计，以实现低待机
功率要求。
在“L”版本提供了一个备用电池/低
电压数据保持方式，提供为2mW最大功率
功耗在2伏。所有器件均采用+ 5V单电源工作
电源和所有输入和输出都充分的TTL
兼容。
XT
IT
L
注意事项：
1. -12在IT才可用。
2.电气特性相同的那些规定的
为45nS接入设备。
3.塑料SOJ （ DJ包）可在AS5C2568数据表。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C2568 / AS5C2568
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奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
DQ3
V
SS
DQ4
DQ5
DQ6
奥斯汀半导体公司
功能框图
A0
MT5C2568
AS5C2568
SRAM
VCC
解码器
256 x 1024
存储阵列
GND
A14
I/O0
I / O
数据
电路
I/O7
列I / O
9A128-1
CE \\
OE \\
控制
电路
WE \\
真值表
模式
待机
读
读
写
OE \\
X
L
H
X
CE \\
H
L
L
L
WE \\
X
H
H
L
DQ
高-Z
Q
高-Z
D
动力
待机
活跃
活跃
活跃
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2
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
对任何输入或DQ相对电压
到Vss ................................................ ..................- 0.5V到Vcc + 0.5V
在VCC电源相对于Vss .......................- 1V至+ 7V电压
储存温度..............................................- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ ....................... 1W
短路输出电流.............................................. ... 50毫安
引线温度（焊接10秒） ........................ + 260
o
C
马克斯。结温................................................ 。 + 175
o
C
MT5C2568
AS5C2568
SRAM
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
输出（S ）禁用
0V<V
OUT
＆ LT ; V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
条件
CE \\ <V
IL
; VCC = MAX
F = MAX = 1 / RC （MIN）
输出开路
TTL
电源
电流：待机
CMOS
CE \\ <V
IH
;输出开路
VCC =最大
CE \\ >Vcc - 0.2V ; VCC = MAX
V
IN
< + 0.2V或>Vcc - 0.2V ;
F = 0赫兹，输出打开
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;版本只
t
条件
符号最小值
最大值单位备注
V
1
V
IH
2.2 V
CC
+0.5
V
IL
IL
I
国际劳工组织
V
OH
V
OL
-12
-15
最大
-20 -25
-0.5
-10
-10
2.4
0.8
10
10
V
A
A
V
1,2
1
1
0.4
V
描述
电源
当前位置：工作
符号
ICC
-35
-45单位备注
mA
3
190 180 170 160 150 150
I
SBT
60
50
40
35
35
35
mA
I
SBC
I
SBC2
20
4
20
4
20
4
20
4
20
4
20
4
mA
mA
电容
参数
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
VCC = 5V
o
符号
C
IN
C
IO
最大
11
11
单位
pF
pF
笔记
4
4
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3
奥斯汀半导体公司
MT5C2568
AS5C2568
SRAM
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
C或-40
o
C至+ 85
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出使能访问时间
输出使能，以在低Z输出
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
AOE
t
LZOE
0
7
12
10
10
0
2
10
8
0
0
7
15
12
12
0
0
12
10
0
0
10
2
2
7
6
0
10
20
15
15
0
0
15
10
0
0
10
-12
-15
-20
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
12
12
12
3
3
10
8
0
10
25
20
20
0
0
20
15
0
3
15
15
15
15
3
3
10
10
0
15
35
30
30
0
0
30
20
0
3
35
20
20
20
3
3
15
15
2
35
45
40
40
0
0
40
20
3
3
20
-25
最小最大
25
25
25
3
3
35
20
0
20
-35
最小最大
35
35
35
3
3
20
20
-45
最小最大
45
45
45
单位备注
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
6
7
6, 7
输出禁止到输出的高阻吨
HZOE
写周期
写周期时间
t
WC
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
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4
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AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ..... VSS至3V
输入上升和下降时间............................................. ........为5ns
输入定时基准水平............................................. 1.5 V
输出参考电平............................................... 1.5V .......
输出负载................................................ 。看到图1 & 2
+5V
480
Q
255
30 pF的
Q
255
MT5C2568
AS5C2568
+5V
480
5 pF的
SRAM
笔记
1.
2.
3.
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。该
指定的值适用与卸载的输出，
f=
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
此参数是保证，但未经测试。
试验条件与输出负载为规定
在如图3所示。 1 ，除非另有说明。
t
HZCE ，
t
HZOE和
t
HZWE与CL = 5pF的规定
如在图2.过渡的测量± 500mV的从典型
稳态电压，允许实际测试仪RC时间
常数。
7.
图。 1
输出负载
当量
图。 2
输出负载
当量
4.
5.
6.
在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于
t
LZCE和
t
HZWE小于
t
LZWE 。
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11.
t
RC =读周期时间。
12.芯片使能（ CE \\ ）和写使能（WE \\）可以启动和
结束一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
CE \\ > （V
CC
-0.2V)
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
IN
> （V
CC
-0.2V)
或< 0.2V
I
CCDR
1
mA
条件
符号
V
DR
民
2
最大
单位
V
笔记
t
CDR
t
R
0
t
RC
--
ns
ns
4
4, 11
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
数据保持方式
4.5V
CDR
V
DR
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
MT5C2568 / AS5C2568
4.5修订版06/05
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
432
4321
4321
1
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
4325
3215
876
43214321
32114321
876
42114321
32114321
876
4325
3325
876
87654321
321
21
87654321
321
21
87654321
321
21
87654321
不在乎
未定义
QQ：2881677436 复制
