EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS58C1001
结束
Of
生活
AS58C1001
修订版5.0 7/02
请注意：
一个停产通知是
该产品在发行
2001年。不过， ASI有
大量的模具库存
可用。如需帮助，
请联系您当地的
销售代表。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
EEPROM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 EEPROM
EEPROM存储器
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-38267
!
MIL-STD-883
!
AS58C1001
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚CFP （F & SF ） ， 32引脚CSOJ （ DCJ ）
32引脚SOP （ DG ）
RDY / BUSY \\
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
RES \\
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
特点
!
高速：150 ，200，和250ns的
!
数据保存： 10年
!
低功耗，有源电流（为20mW / MHz（典型值） ） ，
待机电流（ 100μW （MAX））
!
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
!
数据轮询和就绪/忙信号
!
擦除/写入耐久性（万次的页面模式）
!
软件数据保护算法
!
数据保护电路在电源开/关
!
硬件数据保护与RES引脚
!
自动编程：
自动页写： 10毫秒（ MAX）
128字节的页面大小
选项
!
!
!
定时
为150ns访问
200ns的访问
250ns的访问
套餐
陶瓷LCC
陶瓷扁平封装
辐射屏蔽陶瓷FP *
陶瓷SOJ
塑料SOP
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
结束
Of
生活
32引脚LCC （ ECA ）
A12
A15
A16
NC
VCC
WE \\
NC
标志
-15
-20
-25
4 3 2 1 32 31 30
ECA
F
SF
DCJ
DG
208号
306号
305号
508号
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
14 15 16 17 18 19 20
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
VSS
I / O 2
I / O 1
XT
IT
*注意：
包盖被连接到地（VSS） 。
概述
奥斯汀半导体公司AS58C1001是1兆位的CMOS
电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）中
组织为131 ， 072 ×8位。该AS58C1001能够或
系统电气字节和页式可重编程。
该AS58C1001实现高速接入，低功耗
消耗，并且通过采用先进的高水平的可靠性
MNOS存储技术和CMOS工艺和电路
工艺和CMOS工艺和电路技术。
该器件具有一个128字节的页编程功能，使其
擦除和更快的写入操作。该AS58C1001特征数据
轮询和就绪/忙信号，表明擦除完毕，并在
编程操作。
AS58C1001
修订版5.0 7/02
该EEPROM提供了多种级别的数据保护。
硬件数据保护设置有RES管脚，除了
在WE信号噪声保护和写入开机时抑制
和关闭。软件的数据保护使用JEDEC实施
可选的标准算法。
该AS58C1001是专为在最高可靠性
苛刻的应用。数据保存期限10年，
擦除/写入耐用性是保证在最短的10,000次
页面模式。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
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EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS58C1001
功能框图
VCC
VSS
高压发生器
I/O0
I/O7
就绪/忙
结束
Of
生活
CE \\
WE \\
RES \\
控制逻辑和时序
A0
A6
Y译码
门控
地址
缓冲区和
LATCH
X解码器
存储阵列
A7
A16
数据锁存器
OE \\
I / O缓冲器
和
输入锁存
模式选择
模式
读
待机
写
DESELECT
写
抑制
数据
轮询
节目
AS58C1001
修订版5.0 7/02
CE \\
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IL
X
OE \\
V
IL
X
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
X
WE \\
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IH
X
RES \\
V
H
X
V
H
V
H
X
X
V
H
V
IL
RDY / BUSY \\
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
---
---
V
OL
高-Z
I / O
D
OUT
高-Z
D
IN
高-Z
---
---
数据输出
(I/O7)
高-Z
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EEPROM
奥斯汀半导体公司
功能说明
自动翻页写
页写入功能允许数据1到128字节是
写入到在一个周期内的EEPROM中，并允许非
内128字节定义的数据与对应于写
未定义的地址（A
0
到A
6
） 。加载的第一个字节
数据为30μs的数据加载窗口打开第二。在
同样地每个数据字节的额外可在装
为30μs 。如果CE \\和\\ WE保持较高的数据之后100μs的
输入， EEPROM进入擦除和自动写入和
仅在输入数据可以被写入到EEPROM 。在第
模式中的数据可以被写入和访问10
4
每页次，
在字节模式10
3
每字节的时间。
AS58C1001
数据保护
操作和电源开/关时，在保护数据
AS58C1001有：
对噪声的控制引脚1.数据保护（ CE \\ OE \\
WE \\）运行过程中。在读或待机状态下，噪声对
控制引脚可以用作触发器，把EEPROM为
编程模式错误。为了防止这种现象，
该AS58C1001具有噪音消除功能，削减噪音
如果其宽度为20ns或更小的编程模式。要小心，不要
以允许的宽度的噪声超过上控制引脚为20ns 。
DATA \\轮询
数据\\轮询允许EEPROM的状态为阻止 -
开采。如果EEPROM被设定为写入期间阅读模式
周期的数据的最后一个字节的，并且反转被加载输出
从我把输入/输出，以指示EEPROM被执行
写操作。
写保护
（ 1 ）噪音保护：噪声对写周期不会充当
具有小于20ns的一个WE \\脉冲触发。
（ 2 ）禁止写入：控股OE \\低，我们\\高或CE \\高，
电源开/关过程中抑制一个写周期。
WE \\，并CE \\引脚操作
在写周期，地址由下落锁存
我们的边缘\\或CE \\ ，并且数据通过的上升沿锁存
WE \\或CE \\ 。
结束
Of
生活
写/擦除耐力和
数据保留
与网页编程的续航能力为10
4
周期（ 1％
累积故障率）和数据保持时间大于
当一个设备被编程小于10 10年
4
周期。
AS58C1001
修订版5.0 7/02
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EEPROM
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（例）
AS58C1001
VCC
功能说明（续）
数据保护（续）
在Vcc /关闭2.数据保护。
当RES \\低时， EEPROM的不能被擦除，并
编程。因此，数据可以通过使被保护
RES \\当Vcc切换低。 RES \\应该是在高
编程，因为它不提供闩锁功能。
当Vcc接通或关断，噪声对控制销
通过外部电路（ CPU等）中产生可转动
EEPROM编程模式错误。为了防止
这个意外的编程操作时，EEPROM必须保持
在通过使用一个不可编程的，待机或读出状态
CPU复位信号RES \\引脚。
另外，当RES \\保持高在Vcc接通/断开定时，
控制引脚（ CE \\ OE \\我们\\）的输入电平必须保持
作为CE \\ = VCC或OE \\ =低或WE \\ = Vcc电平。
3.软件数据保护
为了防止由于意外编程
由外部电路产生的噪声， AS58C1001有
软件数据保护功能。到何时启动软件数据
保护模式， 3字节的数据，必须为输入，接着
任何地址的虚写周期和任何数据字节。这
确切顺序切换设备进入保护模式。
结束
Of
生活
RES \\
*不可编程
*不可编程
写地址
5555
写数据
（正常数据输入）
AA
55
2AAA
5555
A0
该软件的数据保护模式可以通过取消
输入以下6个字节。这改变了AS58C1001
到非保护模式，以进行正常操作。
地址
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
数据
AA
55
80
AA
55
20
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