EEPROM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 EEPROM
EEPROM存储器
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-38267
l
MIL-STD-883
l
AS58C1001
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚CFP （F & SF ） ， 32引脚CSOJ （ DCJ ）
RDY / BUSY \\
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
RES \\
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
特点
高速：150 ，200，和250ns的
l
数据保存： 10年
l
低功耗，有源电流（为20mW / MHz（典型值） ） ，
待机电流（ 100μW （MAX））
l
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
l
数据轮询和就绪/忙信号
l
擦除/写入耐久性（万次的页面模式）
l
软件数据保护算法
l
数据保护电路在电源开/关
l
硬件数据保护与RES引脚
l
自动编程：
自动页写： 10毫秒（ MAX）
128字节的页面大小
l
概述
奥斯汀半导体公司AS58C1001是1兆位的CMOS
电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）中
组织为131 ， 072 ×8位。该AS58C1001能够或
系统电气字节和页式可重编程。
该AS58C1001实现高速接入，低的功耗
化，并通过采用先进的MNOS高水平的可靠性
存储器技术和CMOS工艺和电路技术和
CMOS工艺和电路技术。
该器件具有一个128字节的页编程功能，使其
擦除和更快的写入操作。该AS58C1001特征数据
轮询和就绪/忙信号，表明擦除完毕，并在
编程操作。
该EEPROM提供了多种级别的数据保护。硬
器的数据保护设置有RES管脚，除了噪声
保护的WE信号和电源开启和关闭期间禁止写入。
软件的数据保护使用JEDEC可选斯坦实施
准算法。
该AS58C1001是专为高可靠性的最DE-
朱古力应用。数据保存期限10年，
擦除/写入耐用性是保证在最短的10,000次
页面模式。
选项
l
标志
l
l
定时
为150ns访问
-15
200ns的访问
-20
250ns的访问
-25
套餐
陶瓷扁平封装
F
辐射屏蔽陶瓷FP * SF
陶瓷SOJ
DCJ
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
306号
305号
508号
XT
IT
*注：包盖被连接到地（Vss ） 。
引脚名称
A0到A16
I / O0至I / O7
OE \\
CE \\
WE \\
VCC
VSS
RDY / BUSY \\
RES \\
AS58C1001
修订版4.0 3/01
功能
地址输入
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能
写使能
电源
地
准备好忙
RESET
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS58C1001
功能框图
VCC
VSS
高压发生器
I/O0
I/O7
就绪/忙
OE \\
I / O缓冲器
和
输入锁存
控制逻辑和时序
CE \\
WE \\
RES \\
A0
A6
Y译码
门控
地址
缓冲区和
LATCH
X解码器
A7
A16
存储阵列
数据锁存器
模式选择
模式
读
待机
写
DESELECT
写
抑制
数据
轮询
节目
注意事项：
1. RDY /忙\\输出只有低电平有效v
OL
和高阻抗状态。它不能去HIGH （V
OH
）状态。
AS58C1001
修订版4.0 3/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
CE \\
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IL
X
OE \\
V
IL
X
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
X
WE \\
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IH
X
RES \\
V
H
X
V
H
V
H
X
X
V
H
V
IL
RDY / BUSY \\
高-Z
高-Z
1
I / O
D
OUT
高-Z
D
IN
高-Z
---
---
数据输出
(I/O7)
高-Z
高Z到V
OL
高-Z
---
---
V
OL
高-Z
2
EEPROM
奥斯汀半导体公司
功能说明
自动翻页写
页写入功能允许数据1到128字节
被写入到EEPROM中的一个周期，并允许
在128字节未定义的数据对应写入
到未定义的地址（A
0
到A
6
） 。加载的第一个字节
数据为30μs的数据加载窗口打开第二。在
以同样的方式的数据的每个附加字节可以被加载
内为30μs 。如果CE \\和\\ WE保持高位100μS
输入数据后， EEPROM进入擦除和写入
自动地和唯一的输入数据可被写入到
EEPROM 。在页模式中的数据可以被写入和访问
10
4
次每页，并在字节模式10
3
每字节的时间。
AS58C1001
编程/擦除
该58C1001做
不
采用批量擦除功能。
的存储单元可以被编程' 0'或' 1' 。写周期
执行擦除&写函数在每个周期
擦除是对用户透明的。内部擦除数据
状态被认为是“1”。编程存储器阵列
与所有0的背景或所有1的，则用户将
程序使用页面模式的写操作，以该数据
编程所有1024的128字节的页。
数据保护
为了保护数据的操作和功率中的开/关，
该AS58C1001有：
对噪声的控制引脚1.数据保护（ CE \\
OE \\我们\\）运行过程中。在读或待机状态下，噪音
上的控制引脚可以用作触发和关闭的EEPROM
编程模式错误。为了防止这种phenom-
ENON ，所述AS58C1001具有噪声消除功能
减少噪音，如果其宽度为20ns或更少的编程模式。
要小心，不要让更多的比为20ns宽度的噪音
控制引脚。
DATA \\轮询
数据\\轮询允许EEPROM的状态为
确定的。如果EEPROM设置为只读模式期间
写周期，并且要加载的数据的最后一个字节的反转
从I / O ，输出以指示EEPROM被执行
写操作。
写保护
（ 1 ）噪音保护：噪声在写周期不会采取行动
作为具有小于20ns的一个WE \\脉冲触发。
（ 2 ）禁止写入：控股OE \\低，我们\\高或CE \\
高，抑制一写周期期间电源开/关。
WE \\，并CE \\引脚操作
在写周期，地址由下落锁存
我们的边缘\\或CE \\ ，并且数据通过的上升沿锁存
WE \\或CE \\ 。
写/擦除耐力和
数据保留
与网页编程的续航能力为10
4
周期（ 1％
累积故障率）和数据保留时间更
十多年来，当一个设备被编程小于10
4
周期。
RDY /忙\\信号
RDY /忙\\信号也允许EEPROM的状态
来确定。在RDY /忙\\信号具有高阻抗
除了在写周期和下降到V
OL
第一次写入后
信号。在写周期的结束时，RDY /忙\\信号
改变状态为高阻抗。这让很多58C1001
设备RDY /忙\\信号线进行线或在一起。
AS58C1001
修订版4.0 3/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
EEPROM
奥斯汀半导体公司
（例）
AS58C1001
VCC
RES \\
*不可编程
*不可编程
功能说明（续）
写地址
数据保护（续）
在Vcc /关闭2.数据保护。
当RES \\低时， EEPROM的不能被擦除，并
编程。因此，数据可以通过使被保护
RES \\当Vcc切换低。 RES \\应该是在高
编程，因为它不提供闩锁功能。
当Vcc接通或关断，噪声对控制销
通过外部电路（ CPU等）中产生可转动
EEPROM编程模式错误。为了防止这种情况
无意编程时，EEPROM必须保持在一个
不可编程的，待机或读出状态，通过利用CPU
复位信号RES \\引脚。
另外，当RES \\保持高在Vcc接通/断开定时，
控制引脚（ CE \\ OE \\我们\\）的输入电平必须保持
作为CE \\ = VCC或OE \\ =低或WE \\ = Vcc电平。
3.软件数据保护
为了防止由于意外编程
由外部电路产生的噪声， AS58C1001有
软件数据保护功能。到何时启动软件数据
保护模式， 3字节的数据，必须为输入，接着是
任何地址的虚写周期和任何数据字节。这
确切顺序切换设备进入保护模式。这
写在第四周期是必需的，以发起在SDP和
物理写地址和数据。而在SDP中
整个阵列被保护，其中写入可仅在发生
确切的SDP顺序重新执行或解除序列
被执行。
写数据
（正常数据输入）
AA
55
A0
5555
2AAA
5555
该软件的数据保护模式可以通过取消
输入以下6个字节。这改变了AS58C1001
到非保护模式，以进行正常操作。
地址
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
4
数据
AA
55
80
AA
55
20
AS58C1001
修订版4.0 3/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
EEPROM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
电压Vcc电源相对于Vss ................- 0.5V至+ 7.0V
1
任何引脚相对于Vss .......................- 0.6V至+ 7.0V的电压
1
储存温度............................................- 65℃至+ 150°C
工作温度范围.............................- 55
o
C至+ 125
o
C
焊接温度范围............................................... 260
o
C
最高结温** .................................... + 150°C
功耗................................................ ................... 1.0W
AS58C1001
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，循环
时间，装载，环境温度和空气流。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
A
＆ LT ; 125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压
3
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入电压（ RES \\引脚）
4
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
V
H
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
民
2.2
-0.3
Vcc-0.5
-2
-2
2.4
最大
V
CC
+ 0.3V
0.8
V
CC
+1.0
2
2
0.4
单位
V
V
V
Α
Α
V
V
笔记
9
2
4
OV < V
IN
＆ LT ; VCC
输出（S ）禁用， OV < V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= -400
A
I
OL
= 2.1毫安
参数
条件
I
OUT
= OMA ， VCC = 5.5V
周期= 1μS ，占空比= 100 ％
符号
-15
20
最大
-20
20
-25
20
单位备注
电源电流：
操作
I
CC3
I
OUT
= OMA ， VCC = 5.5V
周期= MIN ，占空比= 100 ％
65
55
50
mA
CE \\ = VCC ， VCC = 5.5V
电源电流：
待机
CE \\ = V
IH
， VCC = 5.5V
I
CC1
350
350
350
A
I
CC2
3
3
3
mA
电容
参数
输入电容
输出Capactiance
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
IN
= 0
o
符号
C
IN
Co
最大
6
12
单位
pF
pF
笔记
AS58C1001
修订版4.0 3/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
EEPROM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 EEPROM
EEPROM存储器
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-38267
l
MIL-STD-883
l
AS58C1001
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚CFP （F & SF ） ， 32引脚CSOJ （ DCJ ）
RDY / BUSY \\
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
RES \\
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
特点
高速：150 ，200，和250ns的
l
数据保存： 10年
l
低功耗，有源电流（为20mW / MHz（典型值） ） ，
待机电流（ 100μW （MAX））
l
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
l
数据轮询和就绪/忙信号
l
擦除/写入耐久性（万次的页面模式）
l
软件数据保护算法
l
数据保护电路在电源开/关
l
硬件数据保护与RES引脚
l
自动编程：
自动页写： 10毫秒（ MAX）
128字节的页面大小
l
概述
奥斯汀半导体公司AS58C1001是1兆位的CMOS
电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）中
组织为131 ， 072 ×8位。该AS58C1001能够或
系统电气字节和页式可重编程。
该AS58C1001实现高速接入，低的功耗
化，并通过采用先进的MNOS高水平的可靠性
存储器技术和CMOS工艺和电路技术和
CMOS工艺和电路技术。
该器件具有一个128字节的页编程功能，使其
擦除和更快的写入操作。该AS58C1001特征数据
轮询和就绪/忙信号，表明擦除完毕，并在
编程操作。
该EEPROM提供了多种级别的数据保护。硬
器的数据保护设置有RES管脚，除了噪声
保护的WE信号和电源开启和关闭期间禁止写入。
软件的数据保护使用JEDEC可选斯坦实施
准算法。
该AS58C1001是专为高可靠性的最DE-
朱古力应用。数据保存期限10年，
擦除/写入耐用性是保证在最短的10,000次
页面模式。
选项
l
标志
l
l
定时
为150ns访问
-15
200ns的访问
-20
250ns的访问
-25
套餐
陶瓷扁平封装
F
辐射屏蔽陶瓷FP * SF
陶瓷SOJ
DCJ
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
306号
305号
508号
XT
IT
*注：包盖被连接到地（Vss ） 。
引脚名称
A0到A16
I / O0至I / O7
OE \\
CE \\
WE \\
VCC
VSS
RDY / BUSY \\
RES \\
AS58C1001
修订版4.0 3/01
功能
地址输入
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能
写使能
电源
地
准备好忙
RESET
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS58C1001
功能框图
VCC
VSS
高压发生器
I/O0
I/O7
就绪/忙
OE \\
I / O缓冲器
和
输入锁存
控制逻辑和时序
CE \\
WE \\
RES \\
A0
A6
Y译码
门控
地址
缓冲区和
LATCH
X解码器
A7
A16
存储阵列
数据锁存器
模式选择
模式
读
待机
写
DESELECT
写
抑制
数据
轮询
节目
注意事项：
1. RDY /忙\\输出只有低电平有效v
OL
和高阻抗状态。它不能去HIGH （V
OH
）状态。
AS58C1001
修订版4.0 3/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
CE \\
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IL
X
OE \\
V
IL
X
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
X
WE \\
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IH
X
RES \\
V
H
X
V
H
V
H
X
X
V
H
V
IL
RDY / BUSY \\
高-Z
高-Z
1
I / O
D
OUT
高-Z
D
IN
高-Z
---
---
数据输出
(I/O7)
高-Z
高Z到V
OL
高-Z
---
---
V
OL
高-Z
2
EEPROM
奥斯汀半导体公司
功能说明
自动翻页写
页写入功能允许数据1到128字节
被写入到EEPROM中的一个周期，并允许
在128字节未定义的数据对应写入
到未定义的地址（A
0
到A
6
） 。加载的第一个字节
数据为30μs的数据加载窗口打开第二。在
以同样的方式的数据的每个附加字节可以被加载
内为30μs 。如果CE \\和\\ WE保持高位100μS
输入数据后， EEPROM进入擦除和写入
自动地和唯一的输入数据可被写入到
EEPROM 。在页模式中的数据可以被写入和访问
10
4
次每页，并在字节模式10
3
每字节的时间。
AS58C1001
编程/擦除
该58C1001做
不
采用批量擦除功能。
的存储单元可以被编程' 0'或' 1' 。写周期
执行擦除&写函数在每个周期
擦除是对用户透明的。内部擦除数据
状态被认为是“1”。编程存储器阵列
与所有0的背景或所有1的，则用户将
程序使用页面模式的写操作，以该数据
编程所有1024的128字节的页。
数据保护
为了保护数据的操作和功率中的开/关，
该AS58C1001有：
对噪声的控制引脚1.数据保护（ CE \\
OE \\我们\\）运行过程中。在读或待机状态下，噪音
上的控制引脚可以用作触发和关闭的EEPROM
编程模式错误。为了防止这种phenom-
ENON ，所述AS58C1001具有噪声消除功能
减少噪音，如果其宽度为20ns或更少的编程模式。
要小心，不要让更多的比为20ns宽度的噪音
控制引脚。
DATA \\轮询
数据\\轮询允许EEPROM的状态为
确定的。如果EEPROM设置为只读模式期间
写周期，并且要加载的数据的最后一个字节的反转
从I / O ，输出以指示EEPROM被执行
写操作。
写保护
（ 1 ）噪音保护：噪声在写周期不会采取行动
作为具有小于20ns的一个WE \\脉冲触发。
（ 2 ）禁止写入：控股OE \\低，我们\\高或CE \\
高，抑制一写周期期间电源开/关。
WE \\，并CE \\引脚操作
在写周期，地址由下落锁存
我们的边缘\\或CE \\ ，并且数据通过的上升沿锁存
WE \\或CE \\ 。
写/擦除耐力和
数据保留
与网页编程的续航能力为10
4
周期（ 1％
累积故障率）和数据保留时间更
十多年来，当一个设备被编程小于10
4
周期。
RDY /忙\\信号
RDY /忙\\信号也允许EEPROM的状态
来确定。在RDY /忙\\信号具有高阻抗
除了在写周期和下降到V
OL
第一次写入后
信号。在写周期的结束时，RDY /忙\\信号
改变状态为高阻抗。这让很多58C1001
设备RDY /忙\\信号线进行线或在一起。
AS58C1001
修订版4.0 3/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
EEPROM
奥斯汀半导体公司
（例）
AS58C1001
VCC
RES \\
*不可编程
*不可编程
功能说明（续）
写地址
数据保护（续）
在Vcc /关闭2.数据保护。
当RES \\低时， EEPROM的不能被擦除，并
编程。因此，数据可以通过使被保护
RES \\当Vcc切换低。 RES \\应该是在高
编程，因为它不提供闩锁功能。
当Vcc接通或关断，噪声对控制销
通过外部电路（ CPU等）中产生可转动
EEPROM编程模式错误。为了防止这种情况
无意编程时，EEPROM必须保持在一个
不可编程的，待机或读出状态，通过利用CPU
复位信号RES \\引脚。
另外，当RES \\保持高在Vcc接通/断开定时，
控制引脚（ CE \\ OE \\我们\\）的输入电平必须保持
作为CE \\ = VCC或OE \\ =低或WE \\ = Vcc电平。
3.软件数据保护
为了防止由于意外编程
由外部电路产生的噪声， AS58C1001有
软件数据保护功能。到何时启动软件数据
保护模式， 3字节的数据，必须为输入，接着是
任何地址的虚写周期和任何数据字节。这
确切顺序切换设备进入保护模式。这
写在第四周期是必需的，以发起在SDP和
物理写地址和数据。而在SDP中
整个阵列被保护，其中写入可仅在发生
确切的SDP顺序重新执行或解除序列
被执行。
写数据
（正常数据输入）
AA
55
A0
5555
2AAA
5555
该软件的数据保护模式可以通过取消
输入以下6个字节。这改变了AS58C1001
到非保护模式，以进行正常操作。
地址
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
4
数据
AA
55
80
AA
55
20
AS58C1001
修订版4.0 3/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
EEPROM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
电压Vcc电源相对于Vss ................- 0.5V至+ 7.0V
1
任何引脚相对于Vss .......................- 0.6V至+ 7.0V的电压
1
储存温度............................................- 65℃至+ 150°C
工作温度范围.............................- 55
o
C至+ 125
o
C
焊接温度范围............................................... 260
o
C
最高结温** .................................... + 150°C
功耗................................................ ................... 1.0W
AS58C1001
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，循环
时间，装载，环境温度和空气流。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
A
＆ LT ; 125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压
3
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入电压（ RES \\引脚）
4
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
V
H
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
民
2.2
-0.3
Vcc-0.5
-2
-2
2.4
最大
V
CC
+ 0.3V
0.8
V
CC
+1.0
2
2
0.4
单位
V
V
V
Α
Α
V
V
笔记
9
2
4
OV < V
IN
＆ LT ; VCC
输出（S ）禁用， OV < V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= -400
A
I
OL
= 2.1毫安
参数
条件
I
OUT
= OMA ， VCC = 5.5V
周期= 1μS ，占空比= 100 ％
符号
-15
20
最大
-20
20
-25
20
单位备注
电源电流：
操作
I
CC3
I
OUT
= OMA ， VCC = 5.5V
周期= MIN ，占空比= 100 ％
65
55
50
mA
CE \\ = VCC ， VCC = 5.5V
电源电流：
待机
CE \\ = V
IH
， VCC = 5.5V
I
CC1
350
350
350
A
I
CC2
3
3
3
mA
电容
参数
输入电容
输出Capactiance
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
IN
= 0
o
符号
C
IN
Co
最大
6
12
单位
pF
pF
笔记
AS58C1001
修订版4.0 3/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
EEPROM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 EEPROM
EEPROM存储器
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-38267
l
MIL-STD-883
l
AS58C1001
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚CFP （F & SF ） ， 32引脚CSOJ （ DCJ ）
RDY / BUSY \\
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
RES \\
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
特点
高速：150 ，200，和250ns的
l
数据保存： 10年
l
低功耗，有源电流（为20mW / MHz（典型值） ） ，
待机电流（ 100μW （MAX））
l
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
l
数据轮询和就绪/忙信号
l
擦除/写入耐久性（万次的页面模式）
l
软件数据保护算法
l
数据保护电路在电源开/关
l
硬件数据保护与RES引脚
l
自动编程：
自动页写： 10毫秒（ MAX）
128字节的页面大小
l
概述
奥斯汀半导体公司AS58C1001是1兆位的CMOS
电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）中
组织为131 ， 072 ×8位。该AS58C1001能够或
系统电气字节和页式可重编程。
该AS58C1001实现高速接入，低的功耗
化，并通过采用先进的MNOS高水平的可靠性
存储器技术和CMOS工艺和电路技术和
CMOS工艺和电路技术。
该器件具有一个128字节的页编程功能，使其
擦除和更快的写入操作。该AS58C1001特征数据
轮询和就绪/忙信号，表明擦除完毕，并在
编程操作。
该EEPROM提供了多种级别的数据保护。硬
器的数据保护设置有RES管脚，除了噪声
保护的WE信号和电源开启和关闭期间禁止写入。
软件的数据保护使用JEDEC可选斯坦实施
准算法。
该AS58C1001是专为高可靠性的最DE-
朱古力应用。数据保存期限10年，
擦除/写入耐用性是保证在最短的10,000次
页面模式。
选项
l
标志
l
l
定时
为150ns访问
-15
200ns的访问
-20
250ns的访问
-25
套餐
陶瓷扁平封装
F
辐射屏蔽陶瓷FP * SF
陶瓷SOJ
DCJ
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
306号
305号
508号
XT
IT
*注：包盖被连接到地（Vss ） 。
引脚名称
A0到A16
I / O0至I / O7
OE \\
CE \\
WE \\
VCC
VSS
RDY / BUSY \\
RES \\
AS58C1001
修订版4.0 3/01
功能
地址输入
数据输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能
写使能
电源
地
准备好忙
RESET
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS58C1001
功能框图
VCC
VSS
高压发生器
I/O0
I/O7
就绪/忙
OE \\
I / O缓冲器
和
输入锁存
控制逻辑和时序
CE \\
WE \\
RES \\
A0
A6
Y译码
门控
地址
缓冲区和
LATCH
X解码器
A7
A16
存储阵列
数据锁存器
模式选择
模式
读
待机
写
DESELECT
写
抑制
数据
轮询
节目
注意事项：
1. RDY /忙\\输出只有低电平有效v
OL
和高阻抗状态。它不能去HIGH （V
OH
）状态。
AS58C1001
修订版4.0 3/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
CE \\
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IL
X
OE \\
V
IL
X
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
X
WE \\
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IH
X
RES \\
V
H
X
V
H
V
H
X
X
V
H
V
IL
RDY / BUSY \\
高-Z
高-Z
1
I / O
D
OUT
高-Z
D
IN
高-Z
---
---
数据输出
(I/O7)
高-Z
高Z到V
OL
高-Z
---
---
V
OL
高-Z
2
EEPROM
奥斯汀半导体公司
功能说明
自动翻页写
页写入功能允许数据1到128字节
被写入到EEPROM中的一个周期，并允许
在128字节未定义的数据对应写入
到未定义的地址（A
0
到A
6
） 。加载的第一个字节
数据为30μs的数据加载窗口打开第二。在
以同样的方式的数据的每个附加字节可以被加载
内为30μs 。如果CE \\和\\ WE保持高位100μS
输入数据后， EEPROM进入擦除和写入
自动地和唯一的输入数据可被写入到
EEPROM 。在页模式中的数据可以被写入和访问
10
4
次每页，并在字节模式10
3
每字节的时间。
AS58C1001
编程/擦除
该58C1001做
不
采用批量擦除功能。
的存储单元可以被编程' 0'或' 1' 。写周期
执行擦除&写函数在每个周期
擦除是对用户透明的。内部擦除数据
状态被认为是“1”。编程存储器阵列
与所有0的背景或所有1的，则用户将
程序使用页面模式的写操作，以该数据
编程所有1024的128字节的页。
数据保护
为了保护数据的操作和功率中的开/关，
该AS58C1001有：
对噪声的控制引脚1.数据保护（ CE \\
OE \\我们\\）运行过程中。在读或待机状态下，噪音
上的控制引脚可以用作触发和关闭的EEPROM
编程模式错误。为了防止这种phenom-
ENON ，所述AS58C1001具有噪声消除功能
减少噪音，如果其宽度为20ns或更少的编程模式。
要小心，不要让更多的比为20ns宽度的噪音
控制引脚。
DATA \\轮询
数据\\轮询允许EEPROM的状态为
确定的。如果EEPROM设置为只读模式期间
写周期，并且要加载的数据的最后一个字节的反转
从I / O ，输出以指示EEPROM被执行
写操作。
写保护
（ 1 ）噪音保护：噪声在写周期不会采取行动
作为具有小于20ns的一个WE \\脉冲触发。
（ 2 ）禁止写入：控股OE \\低，我们\\高或CE \\
高，抑制一写周期期间电源开/关。
WE \\，并CE \\引脚操作
在写周期，地址由下落锁存
我们的边缘\\或CE \\ ，并且数据通过的上升沿锁存
WE \\或CE \\ 。
写/擦除耐力和
数据保留
与网页编程的续航能力为10
4
周期（ 1％
累积故障率）和数据保留时间更
十多年来，当一个设备被编程小于10
4
周期。
RDY /忙\\信号
RDY /忙\\信号也允许EEPROM的状态
来确定。在RDY /忙\\信号具有高阻抗
除了在写周期和下降到V
OL
第一次写入后
信号。在写周期的结束时，RDY /忙\\信号
改变状态为高阻抗。这让很多58C1001
设备RDY /忙\\信号线进行线或在一起。
AS58C1001
修订版4.0 3/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
EEPROM
奥斯汀半导体公司
（例）
AS58C1001
VCC
RES \\
*不可编程
*不可编程
功能说明（续）
写地址
数据保护（续）
在Vcc /关闭2.数据保护。
当RES \\低时， EEPROM的不能被擦除，并
编程。因此，数据可以通过使被保护
RES \\当Vcc切换低。 RES \\应该是在高
编程，因为它不提供闩锁功能。
当Vcc接通或关断，噪声对控制销
通过外部电路（ CPU等）中产生可转动
EEPROM编程模式错误。为了防止这种情况
无意编程时，EEPROM必须保持在一个
不可编程的，待机或读出状态，通过利用CPU
复位信号RES \\引脚。
另外，当RES \\保持高在Vcc接通/断开定时，
控制引脚（ CE \\ OE \\我们\\）的输入电平必须保持
作为CE \\ = VCC或OE \\ =低或WE \\ = Vcc电平。
3.软件数据保护
为了防止由于意外编程
由外部电路产生的噪声， AS58C1001有
软件数据保护功能。到何时启动软件数据
保护模式， 3字节的数据，必须为输入，接着是
任何地址的虚写周期和任何数据字节。这
确切顺序切换设备进入保护模式。这
写在第四周期是必需的，以发起在SDP和
物理写地址和数据。而在SDP中
整个阵列被保护，其中写入可仅在发生
确切的SDP顺序重新执行或解除序列
被执行。
写数据
（正常数据输入）
AA
55
A0
5555
2AAA
5555
该软件的数据保护模式可以通过取消
输入以下6个字节。这改变了AS58C1001
到非保护模式，以进行正常操作。
地址
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
4
数据
AA
55
80
AA
55
20
AS58C1001
修订版4.0 3/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
EEPROM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
电压Vcc电源相对于Vss ................- 0.5V至+ 7.0V
1
任何引脚相对于Vss .......................- 0.6V至+ 7.0V的电压
1
储存温度............................................- 65℃至+ 150°C
工作温度范围.............................- 55
o
C至+ 125
o
C
焊接温度范围............................................... 260
o
C
最高结温** .................................... + 150°C
功耗................................................ ................... 1.0W
AS58C1001
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，循环
时间，装载，环境温度和空气流。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
A
＆ LT ; 125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压
3
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入电压（ RES \\引脚）
4
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
V
H
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
民
2.2
-0.3
Vcc-0.5
-2
-2
2.4
最大
V
CC
+ 0.3V
0.8
V
CC
+1.0
2
2
0.4
单位
V
V
V
Α
Α
V
V
笔记
9
2
4
OV < V
IN
＆ LT ; VCC
输出（S ）禁用， OV < V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= -400
A
I
OL
= 2.1毫安
参数
条件
I
OUT
= OMA ， VCC = 5.5V
周期= 1μS ，占空比= 100 ％
符号
-15
20
最大
-20
20
-25
20
单位备注
电源电流：
操作
I
CC3
I
OUT
= OMA ， VCC = 5.5V
周期= MIN ，占空比= 100 ％
65
55
50
mA
CE \\ = VCC ， VCC = 5.5V
电源电流：
待机
CE \\ = V
IH
， VCC = 5.5V
I
CC1
350
350
350
A
I
CC2
3
3
3
mA
电容
参数
输入电容
输出Capactiance
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
IN
= 0
o
符号
C
IN
Co
最大
6
12
单位
pF
pF
笔记
AS58C1001
修订版4.0 3/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
QQ：2880707522 复制
