EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS58C1001
结束
Of
生活
AS58C1001
修订版5.0 7/02
请注意：
一个停产通知是
该产品在发行
2001年。不过， ASI有
大量的模具库存
可用。如需帮助，
请联系您当地的
销售代表。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
EEPROM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 EEPROM
EEPROM存储器
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-38267
!
MIL-STD-883
!
AS58C1001
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚CFP （F & SF ） ， 32引脚CSOJ （ DCJ ）
32引脚SOP （ DG ）
RDY / BUSY \\
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
RES \\
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
特点
!
高速：150 ，200，和250ns的
!
数据保存： 10年
!
低功耗，有源电流（为20mW / MHz（典型值） ） ，
待机电流（ 100μW （MAX））
!
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
!
数据轮询和就绪/忙信号
!
擦除/写入耐久性（万次的页面模式）
!
软件数据保护算法
!
数据保护电路在电源开/关
!
硬件数据保护与RES引脚
!
自动编程：
自动页写： 10毫秒（ MAX）
128字节的页面大小
选项
!
!
!
定时
为150ns访问
200ns的访问
250ns的访问
套餐
陶瓷LCC
陶瓷扁平封装
辐射屏蔽陶瓷FP *
陶瓷SOJ
塑料SOP
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
结束
Of
生活
32引脚LCC （ ECA ）
A12
A15
A16
NC
VCC
WE \\
NC
标志
-15
-20
-25
4 3 2 1 32 31 30
ECA
F
SF
DCJ
DG
208号
306号
305号
508号
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
14 15 16 17 18 19 20
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
VSS
I / O 2
I / O 1
XT
IT
*注意：
包盖被连接到地（VSS） 。
概述
奥斯汀半导体公司AS58C1001是1兆位的CMOS
电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）中
组织为131 ， 072 ×8位。该AS58C1001能够或
系统电气字节和页式可重编程。
该AS58C1001实现高速接入，低功耗
消耗，并且通过采用先进的高水平的可靠性
MNOS存储技术和CMOS工艺和电路
工艺和CMOS工艺和电路技术。
该器件具有一个128字节的页编程功能，使其
擦除和更快的写入操作。该AS58C1001特征数据
轮询和就绪/忙信号，表明擦除完毕，并在
编程操作。
AS58C1001
修订版5.0 7/02
该EEPROM提供了多种级别的数据保护。
硬件数据保护设置有RES管脚，除了
在WE信号噪声保护和写入开机时抑制
和关闭。软件的数据保护使用JEDEC实施
可选的标准算法。
该AS58C1001是专为在最高可靠性
苛刻的应用。数据保存期限10年，
擦除/写入耐用性是保证在最短的10,000次
页面模式。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS58C1001
功能框图
VCC
VSS
高压发生器
I/O0
I/O7
就绪/忙
结束
Of
生活
CE \\
WE \\
RES \\
控制逻辑和时序
A0
A6
Y译码
门控
地址
缓冲区和
LATCH
X解码器
存储阵列
A7
A16
数据锁存器
OE \\
I / O缓冲器
和
输入锁存
模式选择
模式
读
待机
写
DESELECT
写
抑制
数据
轮询
节目
AS58C1001
修订版5.0 7/02
CE \\
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IL
X
OE \\
V
IL
X
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
X
WE \\
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IH
X
RES \\
V
H
X
V
H
V
H
X
X
V
H
V
IL
RDY / BUSY \\
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
---
---
V
OL
高-Z
I / O
D
OUT
高-Z
D
IN
高-Z
---
---
数据输出
(I/O7)
高-Z
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
EEPROM
奥斯汀半导体公司
功能说明
自动翻页写
页写入功能允许数据1到128字节是
写入到在一个周期内的EEPROM中，并允许非
内128字节定义的数据与对应于写
未定义的地址（A
0
到A
6
） 。加载的第一个字节
数据为30μs的数据加载窗口打开第二。在
同样地每个数据字节的额外可在装
为30μs 。如果CE \\和\\ WE保持较高的数据之后100μs的
输入， EEPROM进入擦除和自动写入和
仅在输入数据可以被写入到EEPROM 。在第
模式中的数据可以被写入和访问10
4
每页次，
在字节模式10
3
每字节的时间。
AS58C1001
数据保护
操作和电源开/关时，在保护数据
AS58C1001有：
对噪声的控制引脚1.数据保护（ CE \\ OE \\
WE \\）运行过程中。在读或待机状态下，噪声对
控制引脚可以用作触发器，把EEPROM为
编程模式错误。为了防止这种现象，
该AS58C1001具有噪音消除功能，削减噪音
如果其宽度为20ns或更小的编程模式。要小心，不要
以允许的宽度的噪声超过上控制引脚为20ns 。
DATA \\轮询
数据\\轮询允许EEPROM的状态为阻止 -
开采。如果EEPROM被设定为写入期间阅读模式
周期的数据的最后一个字节的，并且反转被加载输出
从我把输入/输出，以指示EEPROM被执行
写操作。
写保护
（ 1 ）噪音保护：噪声对写周期不会充当
具有小于20ns的一个WE \\脉冲触发。
（ 2 ）禁止写入：控股OE \\低，我们\\高或CE \\高，
电源开/关过程中抑制一个写周期。
WE \\，并CE \\引脚操作
在写周期，地址由下落锁存
我们的边缘\\或CE \\ ，并且数据通过的上升沿锁存
WE \\或CE \\ 。
结束
Of
生活
写/擦除耐力和
数据保留
与网页编程的续航能力为10
4
周期（ 1％
累积故障率）和数据保持时间大于
当一个设备被编程小于10 10年
4
周期。
AS58C1001
修订版5.0 7/02
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
EEPROM
奥斯汀半导体公司
（例）
AS58C1001
VCC
功能说明（续）
数据保护（续）
在Vcc /关闭2.数据保护。
当RES \\低时， EEPROM的不能被擦除，并
编程。因此，数据可以通过使被保护
RES \\当Vcc切换低。 RES \\应该是在高
编程，因为它不提供闩锁功能。
当Vcc接通或关断，噪声对控制销
通过外部电路（ CPU等）中产生可转动
EEPROM编程模式错误。为了防止
这个意外的编程操作时，EEPROM必须保持
在通过使用一个不可编程的，待机或读出状态
CPU复位信号RES \\引脚。
另外，当RES \\保持高在Vcc接通/断开定时，
控制引脚（ CE \\ OE \\我们\\）的输入电平必须保持
作为CE \\ = VCC或OE \\ =低或WE \\ = Vcc电平。
3.软件数据保护
为了防止由于意外编程
由外部电路产生的噪声， AS58C1001有
软件数据保护功能。到何时启动软件数据
保护模式， 3字节的数据，必须为输入，接着
任何地址的虚写周期和任何数据字节。这
确切顺序切换设备进入保护模式。
结束
Of
生活
RES \\
*不可编程
*不可编程
写地址
5555
写数据
（正常数据输入）
AA
55
2AAA
5555
A0
该软件的数据保护模式可以通过取消
输入以下6个字节。这改变了AS58C1001
到非保护模式，以进行正常操作。
地址
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
数据
AA
55
80
AA
55
20
AS58C1001
修订版5.0 7/02
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
EEPROM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 EEPROM
EEPROM存储器
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-38267
MIL-STD-883
AS58C1001
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚CFP （F & SF ） ， 32引脚CSOJ （ DCJ ）
32引脚SOP （ DG ）
RDY / BUSY \\
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
RES \\
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
特点
高速：150 ，200，和250ns的
数据保存： 10年
低功耗，有源电流（为20mW / MHz（典型值） ） ，
待机电流（ 100μW （MAX））
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
数据轮询和就绪/忙信号
擦除/写入耐久性（万次的页面模式）
软件数据保护算法
数据保护电路在电源开/关
硬件数据保护与RES引脚
自动编程：
自动页写： 10毫秒（ MAX）
128字节的页面大小
选项
标志
-15
-20
-25
F
306号
SF
305号
DCJ 508号
DG
XT
IT
概述
奥斯汀半导体公司AS58C1001是1兆位的CMOS
电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）中
组织为131 ， 072 ×8位。该AS58C1001能够或
系统电气字节和页式可重编程。
该AS58C1001实现高速接入，低功耗
消耗，并且通过采用先进的高水平的可靠性
MNOS存储技术和CMOS工艺和电路
工艺和CMOS工艺和电路技术。
该器件具有一个128字节的页编程功能，使其
擦除和更快的写入操作。该AS58C1001特征数据
轮询和就绪/忙信号，表明擦除完毕，并在
编程操作。
该EEPROM提供了多种级别的数据保护。
硬件数据保护设置有RES管脚，除了
在WE信号噪声保护和写入开机时抑制
和关闭。软件的数据保护使用JEDEC实施
可选的标准算法。
该AS58C1001是专为在最高可靠性
苛刻的应用。数据保存期限10年，
擦除/写入耐用性是保证在最短的10,000次
页面模式。
定时
为150ns访问
200ns的访问
250ns的访问
套餐
陶瓷扁平封装
辐射屏蔽陶瓷FP *
陶瓷SOJ
塑料SOP
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
*
注意：
包盖被连接到地（VSS） 。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
AS58C1001
修订版5.5 12/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS58C1001
功能框图
VCC
VSS
I/O0
高压发生器
I/O7
就绪/忙
OE \\
I / O缓冲器
和
输入锁存
CE \\
WE \\
RES \\
控制逻辑和时序
A0
门控
A6
Y译码
地址
缓冲区和
LATCH
X解码器
A7
A16
存储阵列
数据锁存器
模式选择
模式
读
待机
写
DESELECT
写
抑制
数据
轮询
节目
AS58C1001
修订版5.5 12/08
CE \\
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IL
X
OE \\
V
IL
X
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
X
WE \\
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IH
X
RES \\
V
H
X
V
H
V
H
X
X
V
H
V
IL
RDY / BUSY \\
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
---
---
V
OL
高-Z
I / O
D
OUT
高-Z
D
IN
高-Z
---
---
数据输出
(I/O7)
高-Z
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
EEPROM
奥斯汀半导体公司
功能说明
自动翻页写
页写入功能允许数据1到128字节是
写入到在一个周期内的EEPROM中，并允许非
内128字节定义的数据与对应于写
未定义的地址（A
0
到A
6
） 。加载的第一个字节
数据为30μs的数据加载窗口打开第二。在
同样地每个数据字节的额外可在装
为30μs 。如果CE \\和\\ WE保持较高的数据之后100μs的
输入， EEPROM进入擦除和自动写入和
仅在输入数据可以被写入到EEPROM 。在第
模式中的数据可以被写入和访问10
4
每页次，
在字节模式10
3
每字节的时间。
AS58C1001
数据保护
操作和电源开/关时，在保护数据
AS58C1001有：
对噪声的控制引脚1.数据保护（ CE \\ OE \\
WE \\）运行过程中。在读或待机状态下，噪声对
控制引脚可以用作触发器，把EEPROM为
编程模式错误。为了防止这种现象，
该AS58C1001具有噪音消除功能，削减噪音
如果其宽度为20ns或更小的编程模式。要小心，不要
以允许的宽度的噪声超过上控制引脚为20ns 。
DATA \\轮询
数据\\轮询允许EEPROM的状态为阻止 -
开采。如果EEPROM被设定为写入期间阅读模式
周期的数据的最后一个字节的，并且反转被加载输出
从我把输入/输出，以指示EEPROM被执行
写操作。
写保护
（ 1 ）噪音保护：噪声对写周期不会充当
具有小于20ns的一个WE \\脉冲触发。
（ 2 ）禁止写入：控股OE \\低，我们\\高或CE \\高，
电源开/关过程中抑制一个写周期。
WE \\，并CE \\引脚操作
在写周期，地址由下落锁存
我们的边缘\\或CE \\ ，并且数据通过的上升沿锁存
WE \\或CE \\ 。
写/擦除耐力和
数据保留
与网页编程的续航能力为10
4
周期（ 1％
累积故障率）和数据保持时间大于
当一个设备被编程小于10 10年
4
周期。
AS58C1001
修订版5.5 12/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
EEPROM
奥斯汀半导体公司
（例）
AS58C1001
VCC
RES \\
*不可编程
*不可编程
功能说明（续）
数据保护（续）
在Vcc /关闭2.数据保护。
当RES \\低时， EEPROM的不能被擦除，并
编程。因此，数据可以通过使被保护
RES \\当Vcc切换低。 RES \\应该是在高
编程，因为它不提供闩锁功能。
当Vcc接通或关断，噪声对控制销
通过外部电路（ CPU等）中产生可转动
EEPROM编程模式错误。为了防止
这个意外的编程操作时，EEPROM必须保持
在通过使用一个不可编程的，待机或读出状态
CPU复位信号RES \\引脚。
另外，当RES \\保持高在Vcc接通/断开定时，
控制引脚（ CE \\ OE \\我们\\）的输入电平必须保持
作为CE \\ = VCC或OE \\ =低或WE \\ = Vcc电平。
3.软件数据保护
为了防止由于意外编程
由外部电路产生的噪声， AS58C1001有
软件数据保护功能。到何时启动软件数据
保护模式， 3字节的数据，必须为输入，接着
任何地址的虚写周期和任何数据字节。这
确切顺序切换设备进入保护模式。
写地址
5555
2AAA
5555
写数据
（正常数据输入）
AA
55
A0
该软件的数据保护模式可以通过取消
输入以下6个字节。这改变了AS58C1001
到非保护模式，以进行正常操作。
地址
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
数据
AA
55
80
AA
55
20
AS58C1001
修订版5.5 12/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
EEPROM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
电压Vcc电源相对于Vss ................- 0.5V至+ 7.0V
1
任何引脚相对于Vss .......................- 0.6V至+ 7.0V的电压
1
储存温度............................................- 65℃至+ 150°C
工作温度范围.............................- 55
o
C至+ 125
o
C
焊接温度范围............................................... 260
o
C
最高结温** .................................... + 150°C
功耗................................................ ................... 1.0W
AS58C1001
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
**结温取决于封装类型，循环
时间，装载，环境温度和空气流。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
A
＆ LT ; 125
o
℃; VCC = 5V + 10 ％ ）
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压
3
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入电压（ RES \\引脚）
4
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
V
H
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
民
2.2
-0.3
Vcc-0.5
-2
-2
2.4
最大
V
CC
+ 0.3V
0.8
V
CC
+1.0
2
2
0.4
单位
V
V
V
μΑ
μΑ
V
V
笔记
9
2
4
OV < V
IN
＆ LT ; VCC
输出（S ）禁用， OV < V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= -400
μA
I
OL
= 2.1毫安
参数
条件
I
OUT
= OMA ， VCC = 5.5V
周期= 1μS ，占空比= 100 ％
符号
-15
20
最大
-20
20
-25
20
单位备注
电源电流：
操作
I
OUT
= OMA ， VCC = 5.5V
周期= MIN ，占空比= 100 ％
I
CC3
65
55
50
mA
CE \\ = VCC ， VCC = 5.5V
电源电流：
待机
CE \\ = V
IH
， VCC = 5.5V
I
CC1
350
350
350
μA
I
CC2
3
3
3
mA
电容
参数
输入电容
输出Capactiance
条件
T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
V
IN
= 0
o
符号
C
IN
Co
最大
6
12
单位
pF
pF
笔记
AS58C1001
修订版5.5 12/08
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS58C1001
结束
Of
生活
AS58C1001
修订版5.0 7/02
请注意：
一个停产通知是
该产品在发行
2001年。不过， ASI有
大量的模具库存
可用。如需帮助，
请联系您当地的
销售代表。
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
EEPROM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 EEPROM
EEPROM存储器
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-38267
!
MIL-STD-883
!
AS58C1001
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚CFP （F & SF ） ， 32引脚CSOJ （ DCJ ）
32引脚SOP （ DG ）
RDY / BUSY \\
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
RES \\
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
特点
!
高速：150 ，200，和250ns的
!
数据保存： 10年
!
低功耗，有源电流（为20mW / MHz（典型值） ） ，
待机电流（ 100μW （MAX））
!
+ 5V单电源（ + 10 ％ ）电源
!
数据轮询和就绪/忙信号
!
擦除/写入耐久性（万次的页面模式）
!
软件数据保护算法
!
数据保护电路在电源开/关
!
硬件数据保护与RES引脚
!
自动编程：
自动页写： 10毫秒（ MAX）
128字节的页面大小
选项
!
!
!
定时
为150ns访问
200ns的访问
250ns的访问
套餐
陶瓷LCC
陶瓷扁平封装
辐射屏蔽陶瓷FP *
陶瓷SOJ
塑料SOP
工作温度范围
-Military （ -55
o
C至+ 125
o
C)
- 工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
结束
Of
生活
32引脚LCC （ ECA ）
A12
A15
A16
NC
VCC
WE \\
NC
标志
-15
-20
-25
4 3 2 1 32 31 30
ECA
F
SF
DCJ
DG
208号
306号
305号
508号
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE \\
I / O 7
14 15 16 17 18 19 20
I / O 6
I / O 5
I / O 4
I / O 3
VSS
I / O 2
I / O 1
XT
IT
*注意：
包盖被连接到地（VSS） 。
概述
奥斯汀半导体公司AS58C1001是1兆位的CMOS
电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）中
组织为131 ， 072 ×8位。该AS58C1001能够或
系统电气字节和页式可重编程。
该AS58C1001实现高速接入，低功耗
消耗，并且通过采用先进的高水平的可靠性
MNOS存储技术和CMOS工艺和电路
工艺和CMOS工艺和电路技术。
该器件具有一个128字节的页编程功能，使其
擦除和更快的写入操作。该AS58C1001特征数据
轮询和就绪/忙信号，表明擦除完毕，并在
编程操作。
AS58C1001
修订版5.0 7/02
该EEPROM提供了多种级别的数据保护。
硬件数据保护设置有RES管脚，除了
在WE信号噪声保护和写入开机时抑制
和关闭。软件的数据保护使用JEDEC实施
可选的标准算法。
该AS58C1001是专为在最高可靠性
苛刻的应用。数据保存期限10年，
擦除/写入耐用性是保证在最短的10,000次
页面模式。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
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2
EEPROM
奥斯汀半导体公司
AS58C1001
功能框图
VCC
VSS
高压发生器
I/O0
I/O7
就绪/忙
结束
Of
生活
CE \\
WE \\
RES \\
控制逻辑和时序
A0
A6
Y译码
门控
地址
缓冲区和
LATCH
X解码器
存储阵列
A7
A16
数据锁存器
OE \\
I / O缓冲器
和
输入锁存
模式选择
模式
读
待机
写
DESELECT
写
抑制
数据
轮询
节目
AS58C1001
修订版5.0 7/02
CE \\
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IL
X
OE \\
V
IL
X
V
IH
V
IH
X
V
IL
V
IL
X
WE \\
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IH
X
RES \\
V
H
X
V
H
V
H
X
X
V
H
V
IL
RDY / BUSY \\
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
---
---
V
OL
高-Z
I / O
D
OUT
高-Z
D
IN
高-Z
---
---
数据输出
(I/O7)
高-Z
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3
EEPROM
奥斯汀半导体公司
功能说明
自动翻页写
页写入功能允许数据1到128字节是
写入到在一个周期内的EEPROM中，并允许非
内128字节定义的数据与对应于写
未定义的地址（A
0
到A
6
） 。加载的第一个字节
数据为30μs的数据加载窗口打开第二。在
同样地每个数据字节的额外可在装
为30μs 。如果CE \\和\\ WE保持较高的数据之后100μs的
输入， EEPROM进入擦除和自动写入和
仅在输入数据可以被写入到EEPROM 。在第
模式中的数据可以被写入和访问10
4
每页次，
在字节模式10
3
每字节的时间。
AS58C1001
数据保护
操作和电源开/关时，在保护数据
AS58C1001有：
对噪声的控制引脚1.数据保护（ CE \\ OE \\
WE \\）运行过程中。在读或待机状态下，噪声对
控制引脚可以用作触发器，把EEPROM为
编程模式错误。为了防止这种现象，
该AS58C1001具有噪音消除功能，削减噪音
如果其宽度为20ns或更小的编程模式。要小心，不要
以允许的宽度的噪声超过上控制引脚为20ns 。
DATA \\轮询
数据\\轮询允许EEPROM的状态为阻止 -
开采。如果EEPROM被设定为写入期间阅读模式
周期的数据的最后一个字节的，并且反转被加载输出
从我把输入/输出，以指示EEPROM被执行
写操作。
写保护
（ 1 ）噪音保护：噪声对写周期不会充当
具有小于20ns的一个WE \\脉冲触发。
（ 2 ）禁止写入：控股OE \\低，我们\\高或CE \\高，
电源开/关过程中抑制一个写周期。
WE \\，并CE \\引脚操作
在写周期，地址由下落锁存
我们的边缘\\或CE \\ ，并且数据通过的上升沿锁存
WE \\或CE \\ 。
结束
Of
生活
写/擦除耐力和
数据保留
与网页编程的续航能力为10
4
周期（ 1％
累积故障率）和数据保持时间大于
当一个设备被编程小于10 10年
4
周期。
AS58C1001
修订版5.0 7/02
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4
EEPROM
奥斯汀半导体公司
（例）
AS58C1001
VCC
功能说明（续）
数据保护（续）
在Vcc /关闭2.数据保护。
当RES \\低时， EEPROM的不能被擦除，并
编程。因此，数据可以通过使被保护
RES \\当Vcc切换低。 RES \\应该是在高
编程，因为它不提供闩锁功能。
当Vcc接通或关断，噪声对控制销
通过外部电路（ CPU等）中产生可转动
EEPROM编程模式错误。为了防止
这个意外的编程操作时，EEPROM必须保持
在通过使用一个不可编程的，待机或读出状态
CPU复位信号RES \\引脚。
另外，当RES \\保持高在Vcc接通/断开定时，
控制引脚（ CE \\ OE \\我们\\）的输入电平必须保持
作为CE \\ = VCC或OE \\ =低或WE \\ = Vcc电平。
3.软件数据保护
为了防止由于意外编程
由外部电路产生的噪声， AS58C1001有
软件数据保护功能。到何时启动软件数据
保护模式， 3字节的数据，必须为输入，接着
任何地址的虚写周期和任何数据字节。这
确切顺序切换设备进入保护模式。
结束
Of
生活
RES \\
*不可编程
*不可编程
写地址
5555
写数据
（正常数据输入）
AA
55
2AAA
5555
A0
该软件的数据保护模式可以通过取消
输入以下6个字节。这改变了AS58C1001
到非保护模式，以进行正常操作。
地址
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
数据
AA
55
80
AA
55
20
AS58C1001
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