AS4LC256K16EO
3.3V 256K ×16的CMOS DRAM（ EDO ）
特点
组织： 262,144字× 16位
高速
- 45/60 ns的RAS访问时间
- 10/12/15/20 ns的列地址访问时间
- 10年7月10日NS CAS访问时间
低功耗
EDO页面模式
?? 5V I / O容错
512刷新周期， 8毫秒刷新间隔
- RAS -只或CAS先于RAS刷新或自刷新
读 - 修改 - 写
LVTTL兼容，三态I / O
JEDEC标准封装
- 活动： 280毫瓦最大（ AS4LC256K16EO -35 ）
- 待机： 2.8毫瓦最大， CMOS I / O（ AS4LC256K16EO-
35)
- 400万，40引脚SOJ
- 400万， 40/44引脚TSOP II
3.3V电源
闩锁电流> 200毫安
管脚配置
SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
引脚名称
TSOP II
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
PIN码（ S）
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
读/写控制
电源（ 3.3V
±
0.3V)
地
AS4LC256K16EO
AS4LC256K16EO
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
A0到A8
RAS
I / O0至I / O15
OE
UCAS
LCAS
WE
V
CC
GND
A3
VCC
A4
GND
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
A8
A7
A6
A5
A4
GND
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
最低EDO页面模式的周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC2
AS4LC256K16EO-35
35
17
7
7
50
15
70
200
AS4LC256K16EO-45
45
20
10
10
80
17
60
200
AS4LC256K16EO-60
60
25
10
10
100
30
50
200
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
A
4/11/01; V.1.1
半导体联盟
25 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS4LC256K16EO
功能说明
该AS4LC256K16EO是作为一个高性能的4兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM ）
262,144字由16位。该AS4LC256K16EO被制造与先进的CMOS技术和设计创新
设计技术产生高速，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。
该AS4LC256K16EO设有高速页面模式操作，其中高速读取，写入和读是写
在任何512的执行
×
由列地址所定义的16比特。异步列地址使用了一个非常
短行地址的捕获时间缓和与复用寻址相关的系统级时序约束。速度非常快
CAS
输出存取时间简化了系统设计。
在8毫秒的周期刷新A0至A8的512地址的组合被执行任何实现
以下几点：
RAS-只刷新周期
隐藏刷新周期
CAS先于RAS的刷新周期
正常读取或写入周期
自刷新周期
该AS4LC256K16EO是标准的40引脚塑料SOJ提供40/44引脚TSOP II封装，广泛兼容
可自动检测和插入设备。系统级功能包括3.3V的单电源供电
±
0.3V
宽容和直接接口与TTL逻辑系列。
逻辑框图
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
数据
I / O
卜FF器
I / O0至I / O15
SENSE AMP
RAS
RAS时钟
发电机
UCAS
LCAS
CAS时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
OE
地址缓冲器
行解码器
512×512×16
ARRAY
(4,194,304)
基板
BIAS
发电机
WE
WE时钟
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
民
3.0
0.0
2.0
–1.0
典型值
3.3
0.0
–
–
(T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
最大
单位
3.6
0.0
V
CC
+ 1
0.8
V
V
V
V
4/11/01; V.1.1
半导体联盟
25 P. 2
AS4LC256K16EO
绝对最大额定值
参数
输入电压
输出电压
电源电压
工作温度
存储温度（塑料）
焊接温度
×
时间
功耗
短路输出电流
闩锁电流
符号
V
in
V
OUT
V
CC
T
OPR
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
民
-1.0
-1.0
-1.0
0
-55
–
–
–
200
最大
+7.0
+7.0
+7.0
+70
+150
260
×
10
1
50
–
单位
V
V
V
°C
°C
o
C
×
美国证券交易委员会
W
mA
mA
注意：
应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。置身于abso-
琵琶最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
DC电气特性
-35
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
工作电源
电源电流
符号
I
IL
I
OL
I
CC1
测试条件
0V
≤
V
in
≤
+5.5V
被测= 0V引脚不
D
OUT
禁用，
0V
≤
V
OUT
≤
+5.5V
RAS ， UCAS ， LCAS ，地址骑自行车;
t
RC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
IH
RAS骑自行车，
UCAS LCAS = = V
IH
,
t
RC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
,
针对循环：吨
SC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
CC
- 0.2V
RAS ， UCAS ， LCAS ，骑自行车;
t
RC
=分钟
I
OUT
= -2毫安
I
OUT
= 2毫安
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
,
WE = OE = A0 - A8 = V
CC
-0.2V,
DQ0 - DQ15 = V
CC
-0.2V,
0.2V开放
民
-10
-10
–
–
最大
10
10
70
200
-45
民
-10
-10
–
–
最大
10
10
60
200
-60
民
-10
-10
–
–
最大单位
10
10
50
A
A
mA
1,2
记
TTL待机功耗
I
CC2
电源电流
平均功率
电源电流， RAS我
CC3
刷新模式
EDO页模式
平均功率
电源电流
CMOS待机
电源
当前
CAS先于RAS
刷新电源
电源电流
输出电压
I
CC4
200
A
40
mA
1
–
50
–
45
–
–
40
–
35
–
35
mA
1,2
I
CC5
–
400
–
400
–
400
A
I
CC6
V
OH
V
OL
I
CC7
–
2.4
–
50
–
0.4
–
2.4
–
50
–
0.4
–
2.4
–
50
–
0.4
mA
V
V
1
自刷新电流
-
400
-
400
-
400
A
4/11/01; V.1.1
半导体联盟
25第3页
AS4LC256K16EO
3.3V 256K ×16的CMOS DRAM（ EDO ）
特点
组织： 262,144字× 16位
高速
- 45/60 ns的RAS访问时间
- 10/12/15/20 ns的列地址访问时间
- 10年7月10日NS CAS访问时间
低功耗
EDO页面模式
?? 5V I / O容错
512刷新周期， 8毫秒刷新间隔
- RAS -只或CAS先于RAS刷新或自刷新
读 - 修改 - 写
LVTTL兼容，三态I / O
JEDEC标准封装
- 活动： 280毫瓦最大（ AS4LC256K16EO -35 ）
- 待机： 2.8毫瓦最大， CMOS I / O（ AS4LC256K16EO-
35)
- 400万，40引脚SOJ
- 400万， 40/44引脚TSOP II
3.3V电源
闩锁电流> 200毫安
管脚配置
SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
引脚名称
TSOP II
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
PIN码（ S）
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
读/写控制
电源（ 3.3V
±
0.3V)
地
AS4LC256K16EO
AS4LC256K16EO
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
A0到A8
RAS
I / O0至I / O15
OE
UCAS
LCAS
WE
V
CC
GND
A3
VCC
A4
GND
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
A8
A7
A6
A5
A4
GND
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
最低EDO页面模式的周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC2
AS4LC256K16EO-35
35
17
7
7
50
15
70
200
AS4LC256K16EO-45
45
20
10
10
80
17
60
200
AS4LC256K16EO-60
60
25
10
10
100
30
50
200
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
A
4/11/01; V.1.1
半导体联盟
25 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS4LC256K16EO
功能说明
该AS4LC256K16EO是作为一个高性能的4兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM ）
262,144字由16位。该AS4LC256K16EO被制造与先进的CMOS技术和设计创新
设计技术产生高速，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。
该AS4LC256K16EO设有高速页面模式操作，其中高速读取，写入和读是写
在任何512的执行
×
由列地址所定义的16比特。异步列地址使用了一个非常
短行地址的捕获时间缓和与复用寻址相关的系统级时序约束。速度非常快
CAS
输出存取时间简化了系统设计。
在8毫秒的周期刷新A0至A8的512地址的组合被执行任何实现
以下几点：
RAS-只刷新周期
隐藏刷新周期
CAS先于RAS的刷新周期
正常读取或写入周期
自刷新周期
该AS4LC256K16EO是标准的40引脚塑料SOJ提供40/44引脚TSOP II封装，广泛兼容
可自动检测和插入设备。系统级功能包括3.3V的单电源供电
±
0.3V
宽容和直接接口与TTL逻辑系列。
逻辑框图
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
数据
I / O
卜FF器
I / O0至I / O15
SENSE AMP
RAS
RAS时钟
发电机
UCAS
LCAS
CAS时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
OE
地址缓冲器
行解码器
512×512×16
ARRAY
(4,194,304)
基板
BIAS
发电机
WE
WE时钟
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
民
3.0
0.0
2.0
–1.0
典型值
3.3
0.0
–
–
(T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
最大
单位
3.6
0.0
V
CC
+ 1
0.8
V
V
V
V
4/11/01; V.1.1
半导体联盟
25 P. 2
AS4LC256K16EO
绝对最大额定值
参数
输入电压
输出电压
电源电压
工作温度
存储温度（塑料）
焊接温度
×
时间
功耗
短路输出电流
闩锁电流
符号
V
in
V
OUT
V
CC
T
OPR
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
民
-1.0
-1.0
-1.0
0
-55
–
–
–
200
最大
+7.0
+7.0
+7.0
+70
+150
260
×
10
1
50
–
单位
V
V
V
°C
°C
o
C
×
美国证券交易委员会
W
mA
mA
注意：
应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。置身于abso-
琵琶最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
DC电气特性
-35
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
工作电源
电源电流
符号
I
IL
I
OL
I
CC1
测试条件
0V
≤
V
in
≤
+5.5V
被测= 0V引脚不
D
OUT
禁用，
0V
≤
V
OUT
≤
+5.5V
RAS ， UCAS ， LCAS ，地址骑自行车;
t
RC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
IH
RAS骑自行车，
UCAS LCAS = = V
IH
,
t
RC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
,
针对循环：吨
SC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
CC
- 0.2V
RAS ， UCAS ， LCAS ，骑自行车;
t
RC
=分钟
I
OUT
= -2毫安
I
OUT
= 2毫安
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
,
WE = OE = A0 - A8 = V
CC
-0.2V,
DQ0 - DQ15 = V
CC
-0.2V,
0.2V开放
民
-10
-10
–
–
最大
10
10
70
200
-45
民
-10
-10
–
–
最大
10
10
60
200
-60
民
-10
-10
–
–
最大单位
10
10
50
A
A
mA
1,2
记
TTL待机功耗
I
CC2
电源电流
平均功率
电源电流， RAS我
CC3
刷新模式
EDO页模式
平均功率
电源电流
CMOS待机
电源
当前
CAS先于RAS
刷新电源
电源电流
输出电压
I
CC4
200
A
40
mA
1
–
50
–
45
–
–
40
–
35
–
35
mA
1,2
I
CC5
–
400
–
400
–
400
A
I
CC6
V
OH
V
OL
I
CC7
–
2.4
–
50
–
0.4
–
2.4
–
50
–
0.4
–
2.4
–
50
–
0.4
mA
V
V
1
自刷新电流
-
400
-
400
-
400
A
4/11/01; V.1.1
半导体联盟
25第3页
AS4LC256K16EO
3.3V 256K ×16的CMOS DRAM（ EDO ）
特点
组织： 262,144字× 16位
高速
- 45/60 ns的RAS访问时间
- 10/12/15/20 ns的列地址访问时间
- 10年7月10日NS CAS访问时间
低功耗
EDO页面模式
?? 5V I / O容错
512刷新周期， 8毫秒刷新间隔
- RAS -只或CAS先于RAS刷新或自刷新
读 - 修改 - 写
LVTTL兼容，三态I / O
JEDEC标准封装
- 活动： 280毫瓦最大（ AS4LC256K16EO -35 ）
- 待机： 2.8毫瓦最大， CMOS I / O（ AS4LC256K16EO-
35)
- 400万，40引脚SOJ
- 400万， 40/44引脚TSOP II
3.3V电源
闩锁电流> 200毫安
管脚配置
SOJ
VCC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
I/O4
I/O5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
引脚名称
TSOP II
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
PIN码（ S）
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GND
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
描述
地址输入
行地址选通
输入/输出
OUTPUT ENABLE
列地址选通，高字节
列地址选通，低字节
读/写控制
电源（ 3.3V
±
0.3V)
地
AS4LC256K16EO
AS4LC256K16EO
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
A0
A1
A2
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
A0到A8
RAS
I / O0至I / O15
OE
UCAS
LCAS
WE
V
CC
GND
A3
VCC
A4
GND
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
A8
A7
A6
A5
A4
GND
选购指南
符号
最大的RAS访问时间
最大列地址访问时间
最大CAS访问时间
最大输出使能（ OE ）访问时间
最小的读或写周期时间
最低EDO页面模式的周期时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
t
RAC
t
CAA
t
CAC
t
OEA
t
RC
t
PC
I
CC1
I
CC2
AS4LC256K16EO-35
35
17
7
7
50
15
70
200
AS4LC256K16EO-45
45
20
10
10
80
17
60
200
AS4LC256K16EO-60
60
25
10
10
100
30
50
200
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
mA
A
4/11/01; V.1.1
半导体联盟
25 P. 1
版权所有联半导体公司。版权所有。
AS4LC256K16EO
功能说明
该AS4LC256K16EO是作为一个高性能的4兆位的CMOS动态随机存取存储器（ DRAM ）
262,144字由16位。该AS4LC256K16EO被制造与先进的CMOS技术和设计创新
设计技术产生高速，极低的功耗，并在部件和系统的层面广泛的经营利润。
该AS4LC256K16EO设有高速页面模式操作，其中高速读取，写入和读是写
在任何512的执行
×
由列地址所定义的16比特。异步列地址使用了一个非常
短行地址的捕获时间缓和与复用寻址相关的系统级时序约束。速度非常快
CAS
输出存取时间简化了系统设计。
在8毫秒的周期刷新A0至A8的512地址的组合被执行任何实现
以下几点：
RAS-只刷新周期
隐藏刷新周期
CAS先于RAS的刷新周期
正常读取或写入周期
自刷新周期
该AS4LC256K16EO是标准的40引脚塑料SOJ提供40/44引脚TSOP II封装，广泛兼容
可自动检测和插入设备。系统级功能包括3.3V的单电源供电
±
0.3V
宽容和直接接口与TTL逻辑系列。
逻辑框图
V
CC
GND
刷新
调节器
列解码器
数据
I / O
卜FF器
I / O0至I / O15
SENSE AMP
RAS
RAS时钟
发电机
UCAS
LCAS
CAS时钟
发电机
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
OE
地址缓冲器
行解码器
512×512×16
ARRAY
(4,194,304)
基板
BIAS
发电机
WE
WE时钟
发电机
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
民
3.0
0.0
2.0
–1.0
典型值
3.3
0.0
–
–
(T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
最大
单位
3.6
0.0
V
CC
+ 1
0.8
V
V
V
V
4/11/01; V.1.1
半导体联盟
25 P. 2
AS4LC256K16EO
绝对最大额定值
参数
输入电压
输出电压
电源电压
工作温度
存储温度（塑料）
焊接温度
×
时间
功耗
短路输出电流
闩锁电流
符号
V
in
V
OUT
V
CC
T
OPR
T
英镑
T
SOLDER
P
D
I
OUT
民
-1.0
-1.0
-1.0
0
-55
–
–
–
200
最大
+7.0
+7.0
+7.0
+70
+150
260
×
10
1
50
–
单位
V
V
V
°C
°C
o
C
×
美国证券交易委员会
W
mA
mA
注意：
应力大于那些在上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。置身于abso-
琵琶最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
DC电气特性
-35
参数
输入漏
当前
输出漏
当前
工作电源
电源电流
符号
I
IL
I
OL
I
CC1
测试条件
0V
≤
V
in
≤
+5.5V
被测= 0V引脚不
D
OUT
禁用，
0V
≤
V
OUT
≤
+5.5V
RAS ， UCAS ， LCAS ，地址骑自行车;
t
RC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
IH
RAS骑自行车，
UCAS LCAS = = V
IH
,
t
RC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
,
针对循环：吨
SC
=分钟
RAS = UCAS LCAS = = V
CC
- 0.2V
RAS ， UCAS ， LCAS ，骑自行车;
t
RC
=分钟
I
OUT
= -2毫安
I
OUT
= 2毫安
RAS = UCAS LCAS = = V
IL
,
WE = OE = A0 - A8 = V
CC
-0.2V,
DQ0 - DQ15 = V
CC
-0.2V,
0.2V开放
民
-10
-10
–
–
最大
10
10
70
200
-45
民
-10
-10
–
–
最大
10
10
60
200
-60
民
-10
-10
–
–
最大单位
10
10
50
A
A
mA
1,2
记
TTL待机功耗
I
CC2
电源电流
平均功率
电源电流， RAS我
CC3
刷新模式
EDO页模式
平均功率
电源电流
CMOS待机
电源
当前
CAS先于RAS
刷新电源
电源电流
输出电压
I
CC4
200
A
40
mA
1
–
50
–
45
–
–
40
–
35
–
35
mA
1,2
I
CC5
–
400
–
400
–
400
A
I
CC6
V
OH
V
OL
I
CC7
–
2.4
–
50
–
0.4
–
2.4
–
50
–
0.4
–
2.4
–
50
–
0.4
mA
V
V
1
自刷新电流
-
400
-
400
-
400
A
4/11/01; V.1.1
半导体联盟
25第3页
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